### 物料型号
- 型号:ADP3120
### 器件简介
- ADP3120是一款双通道、高电压MOSFET驱动器,针对非隔离同步降压电源转换器中的两个N沟道MOSFET进行优化。每个驱动器能够驱动3000pF负载,传播延迟45ns,转换时间25ns。其中一个驱动器可以自举,能够处理浮动高侧栅极驱动器的高电压斜率。
### 引脚分配
- BST:上MOSFET浮动自举供电。BST和SW引脚之间的电容器用于在高侧MOSFET切换时保持自举电压。
- IN:逻辑电平PWM输入。此引脚主要控制驱动输出。正常操作时,拉低此引脚打开低侧驱动器;拉高则打开高侧驱动器。
- OD:输出禁用。低电平时禁用正常操作,将DRVH和DRVL强制拉低。
- VCC:输入供电。应与PGND用约1μF陶瓷电容器旁路。
- DRVL:同步整流驱动。低侧(同步整流)MOSFET的输出驱动。
- PGND:电源地。应与低侧MOSFET的源极紧密连接。
- SW:与降压开关节点连接,靠近上侧MOSFET源极。SW是上侧MOSFET驱动信号的浮动返回,也用于监控切换电压以防止低侧MOSFET在电压低于约1V之前导通。
- DRVH:降压驱动。上侧(降压)MOSFET的输出驱动。
### 参数特性
- 工作温度范围:0°C至85°C。
- PWM输入:输入电压高2.0V,输入电压低0.8V。
- OD输入:输入电压高2.0V,输入电压低0.8V。
- 高侧驱动:输出电阻源电流90Ω,输出电阻汇电流250Ω,无偏置输出电阻10kΩ。
- 低侧驱动:输出电阻源电流110Ω,输出电阻汇电流95Ω,无偏置输出电阻10kΩ。
### 功能详解
- ADP3120为同步降压转换器中的两个N沟道MOSFET提供优化驱动,需要单个PWM输入信号。高侧驱动器通过外部自举供电电路供电,自举电路包括一个二极管和一个电容器。低侧驱动器设计为驱动接地参考的N沟道MOSFET。
- 重叠保护电路防止主电源开关Q1和Q2同时导通,以防止直通电流流经两个电源开关及其相关的开关损耗。
### 应用信息
- 适用于多相桌面CPU供电、单供电同步降压转换器。
- OD引脚关闭高侧和低侧MOSFET,以防止系统关闭期间快速放电输出电容器。
- 推荐在VCC引脚旁放置一个4.7μF、低ESR的旁路电容器,以减少噪声并提供部分峰值电流。
### 封装信息
- 8引脚SOIC和8引脚LFCSP封装。