1. 物料型号:
- 型号:ADP3418
- 制造商:Analog Devices, Inc.
2. 器件简介:
- ADP3418是一款双通道高电压MOSFET驱动器,专为驱动两个N沟道MOSFET而优化,这些MOSFET用于非隔离的同步降压电源转换器中。每个驱动器能够驱动3000pF的负载,且过渡时间仅为30ns。其中一个驱动器可以自举,并设计用于处理与浮动高压侧栅极驱动器相关的高电压变化率。ADP3418包括重叠驱动保护,以防止外部MOSFET中的短路电流。OD引脚关闭高侧和低侧MOSFET,以防止系统关闭期间输出电容器的快速放电。
3. 引脚分配:
- BST(引脚1):上MOSFET浮动自举供电。BST和SW引脚之间的电容器用于在高侧MOSFET切换时保持自举电压。
- IN(引脚2):逻辑电平输入。此引脚主要控制驱动输出。
- H(引脚3):输出禁用。当为低时,此引脚禁用正常操作,强制DRVH和DRVL为低。
- VCC(引脚4):输入供电。此引脚应通过~1pF陶瓷电容器旁路至PGND。
- DRVL(引脚5):同步整流器驱动。用于下侧(同步整流器)MOSFET的输出驱动。
- PGND(引脚6):电源地。应与下侧MOSFET的源极紧密连接。
- SW(引脚7):此引脚连接至降压开关节点,靠近上侧MOSFET的源极。它是上侧MOSFET驱动信号的浮动返回。
- DRVH(引脚8):降压驱动。用于上侧(降压)MOSFET的输出驱动。
4. 参数特性:
- 供电电流:3mA至13.2mA
- 输入电压高/低:2.6V/0.8V
- PWM输入:高3.0V,低0.8V
- 高侧驱动:源电流3.0mA,汇电流3.0mA,过渡时间2.5ns至45ns
- 低侧驱动:源电流3.0mA,汇电流3.0mA,过渡时间1.0ns至35ns
5. 功能详解:
- ADP3418为同步降压转换器拓扑中的两个N沟道MOSFET提供驱动。单个PWM输入信号即可正确驱动高侧和低侧MOSFET。每个驱动器能够以高达500kHz的速度驱动3nF的负载。重叠保护电路防止两个主电源开关Q1和Q2同时导通,以防止短路电流流过两个功率开关及其相关的导通/关断转换期间的损耗。
6. 应用信息:
- 适用于多相桌面CPU供电和单供电同步降压转换器。
- 供电电容选择:推荐在ADP3418的供电输入(VCC)处使用本地旁路电容器以降低噪声并提供部分峰值电流。
- 自举电路:使用充电存储电容器和二极管,这些组件可以在选择了高侧MOSFET之后选择。
- MOSFET选择:在将ADP3418与外部MOSFET接口时,设计者应注意几个问题,以使设计更加健壮,减少对驱动器和MOSFET的压力。
- PCB布局考虑:设计印刷电路板时应遵循一些通用指导方针,例如为高电流路径布线,并使用短而宽的走线连接。
7. 封装信息:
- 8引脚SOIC封装,标准小外型封装(R-8)。