ADT75BRMZ

±1℃精度、12位数字 温度传感器 ADT75 产品特性 产品特色 12位温度-数字转换器 B级精度：±1.0°C(0°C至70°C) A级精度：±2.0°C(−25℃至+100°C) SMBus/I2C兼容接口 工作电压范围：−55℃至+125℃ 工作电压范围：2.7 V至5.5 V 过温指示器 低功耗关断模式 功耗：79 μW(典型值，3.3 V) 小型低成本8引脚MSOP锡铅和无铅封装 标准8引脚SOIC无铅封装 1. 片内温度传感器，可以精确测量环境温度。测量温度范 围为−55℃至+125℃。 2. 电源电压为2.7 V至5.5 V。 3. 采用节省空间的8引脚MSOP和8引脚SOIC封装。 4. 温度精度：±1°C(最大值)。 5. 温度分辨率：0.0625°C。 6. 关断模式下，功耗降至3 μA(典型值)。 7. 一条SMBus/I2C总线最多支持8个ADT75。 应用 隔离传感器 环境控制系统 计算机热温监控 热保护 工业过程控制 电源系统监控器 手持式应用 功能框图 VDD 8 DIGITAL COMPARATOR 12-BIT 3 OS/ALERT 1 SDA 2 SCL DECIMATOR LPF TEMPERATURE SENSOR 1-BIT TEMPERATURE SENSOR REGISTER + – REFERENCE CONFIGURATION REGISTER Σ-Δ 1-BIT DAC CLK AND TIMING GENERATION THYST SETPOINT REGISTER TOS SETPOINT REGISTER POINTER REGISTER A0 7 SMBus/I2C INTERFACE A2 5 4 GND 05326-001 A1 6 图1. Rev. B Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 www.analog.com Fax: 781.461.3113 © 2005–2012 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 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B | Page 2 of 24 ADT75 概述 ADT75是一款完整的温度检测系统，采用8引脚MSOP和 SOIC封装。该器件内置一个带隙温度传感器和一个12位模 数转换器(ADC)，用于监控温度并进行数字转换，分辨率 为0.0625°C。ADT75与LM75和AD7416引脚兼容且寄存器 兼容。 ADT75提供关断模式来实现器件断电，关断电流典型值为 3 μA。ADT75的额定工作温度范围为−55°C至+125°C。 有三个引脚(A0、A1和A2)可用于地址选择。OS/ALERT引 脚属于开漏输出，当温度超过限值(可编程)时，该引脚变为 有效。OS/ALERT引脚能够以比较器模式或中断模式工作。 ADT75可以保证工作的电压范围为2.7 V至5.5 V。工作电压 为3.3 V时，平均电源电流的典型值为200 μA。 Rev. B | Page 3 of 24 ADT75 技术规格 A级 TA = TMIN至TMAX，VDD = 2.7 V至5.5 V。除非另有说明，所有规格的温度范围均为−55°C至+125°C。 表1. 参数 温度传感器和ADC VDD= 2.7 V至5.5 V时的精度 VDD= 2.7 V至3.6 V时的精度 VDD= 4.5 V至5.5 V时的精度 ADC分辨率 温度分辨率 温度转换时间 更新速率 长期漂移 温度迟滞 OS/ALERT输出(开漏) 输出低电压VOL 引脚电容 高输出漏电流IOH RON电阻(低输出) 数字输入 输入电流 输入低电压VIL 输入高电压VIH SCL、SDA毛刺抑制 引脚电容 数字输出(开漏) 输出高电流IOH 输出低电压VOL 输出高电压VOH 输出电容COUT 电源要求 电源电压 3.3 V时的电源电流 5.0 V时的电源电流 3.3 V时的平均电流 5.0 V时的平均电流 3.3 V时的关断模式 5.0 V时的关断模式 平均功耗 1 SPS 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件/注释 ±2 ±3 ±3 °C °C °C °C 位 °C ms ms °C °C TA = −25°C至+100°C TA = −55°C至+100°C TA = 100°C至 125°C TA = 100°C至 125°C V pF µA Ω IOL = 3 mA µA V V ns pF VIN = 0 V至VDD mA V V pF VOH = 5 V IOL = 3 mA ±2 12 0.0625 60 100 0.08 0.03 0.4 10 0.1 15 5 ±1 0.3 × VDD 0.7 × VDD 50 10 3 1 0.4 0.7 × VDD 3 10 2.7 350 380 200 225 3 5.5 798.6 78.6 140 5.5 500 525 8 12 V µA µA µA µA µA µA µW µW µW Rev. B | Page 4 of 24 每隔100 ms开始转换 温度55°C下工作10年的漂移量 温度循环：25°C至125°C再返回至25°C OS/ALERT引脚上拉至5.5 V 与电源和温度相关 输入滤波可抑制小于50 ns的噪声尖峰 转换时的峰值电流，I2C接口无效 转换时的峰值电流，I2C接口无效 器件转换，I2C接口无效 器件转换，I2C接口无效 关断模式下的电源电流 关断模式下的电源电流 VDD = 3.3 V，25°C下正常模式 VDD = 3.3 V、关断模式、25°C下的平均功耗 VDD = 5.0 V、关断模式、25°C下的平均功耗 ADT75 B级 TA = TMIN至TMAX，VDD = 2.7 V至5.5 V。除非另有说明，所有规格的温度范围均为−55°C至+125°C。 表2. 参数 温度传感器和ADC VDD= 2.7 V至5.5 V时的精度 VDD= 2.7 V至3.6 V时的精度 VDD= 4.5 V至5.5 V时的精度 ADC分辨率 温度分辨率 温度转换时间 更新速率 长期漂移 温度迟滞 OS/ALERT输出(开漏) 输出低电压VOL 引脚电容 高输出漏电流IOH RON电阻(低输出) 数字输入 输入电流 输入低电压VIL 输入高电压VIH SCL、SDA毛刺抑制 引脚电容 数字输出(开漏) 输出高电流IOH 输出低电压VOL 输出高电压VOH 输出电容COUT 电源要求 电源电压 3.3 V时的电源电流 5.0 V时的电源电流 3.3 V时的平均电流 5.0 V时的平均电流 3.3 V时的关断模式 5.0 V时的关断模式 平均功耗 1 SPS 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件/注释 ±1 ±2 ±3 ±3 °C °C °C °C °C 位 °C ms ms °C °C TA = 0°C至+70°C TA = −25°C至+100°C TA = −55°C至+100°C TA = 100°C至 125°C TA = 100°C至 125°C V pF µA Ω IOL = 3 mA µA V V ns pF VIN = 0 V至VDD mA V V pF VOH = 5 V IOL = 3 mA ±2 12 0.0625 60 100 0.08 0.03 0.4 10 0.1 15 5 ±1 0.3 × VDD 0.7 × VDD 50 10 3 1 0.4 0.7 × VDD 3 10 2.7 350 380 200 225 3 5.5 798.6 78.6 140 5.5 500 525 8 12 每隔100 ms开始转换 温度55°C下工作10年的漂移量 温度循环：25°C至125°C再返回至25°C OS/ALERT引脚上拉至5.5 V 与电源和温度相关 输入滤波可抑制小于50 ns的噪声尖峰 V µA µA µA µA µA µA µW µW 转换时的峰值电流，I2C接口无效 转换时的峰值电流，I2C接口无效 器件转换，I2C接口无效 器件转换，I2C接口无效 关断模式下的电源电流 关断模式下的电源电流 VDD = 3.3 V，25°C下正常模式 VDD = 3.3 V、关断模式、25°C下的平均功耗 µW VDD = 5.0 V、关断模式、25°C下的平均功耗 Rev. B | Page 5 of 24 ADT75 时序规格和时序图 测量SDA和SCL时序，输入滤波器开启以满足快速模式I2C规范。关闭输入滤波器可提高传输速率，但对器件的EMC特性 有不利影响。 除非另有说明，TA = TMIN至TMAX，VDD = 2.7 V至5.5 V。 表3. 参数1 串行时钟周期，t1 SCL高电平前的数据输入建立时间，t2 SCL低电平后的数据输出稳定时间，t3 SCL低电平后的数据输出稳定时间，t3 SCL低电平前的SDA低电平建立时间(起始条件)，t4 SCL高电平后的SDA高电平保持时间(停止条件)，t5 SDA和SCL上升时间，t6 SDA和SCL上升时间，t6 SDA和SCL下降时间，t7 各条总线的容性负载，CB 2 典型值 最大值 单位 µs ns ns µs ns ns ns ns ns pF 0.9 2 3.452 300 1000 300 400 测试条件/注释 快速模式I2C。参见图2 参见图2 快速模式I2C。参见图2 标准模式I2C。参见图2 参见图2 参见图2 快速模式I2C。参见图2 标准模式I2C。参见图2 参见图2 通过设计和特性保证，但未经生产测试。 仅当主器件的SCL信号低电平周期没有延长时，才必须满足该时间要求。 t1 SCL t4 t5 t2 SDA DATA IN t3 SDA DATA OUT t7 图2. SMBus/I 2C时序图 Rev. B | Page 6 of 24 t6 05326-002 1 最小值 2.5 50 0 0 50 50 ADT75 绝对最大额定值 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损 表4. 坏。这只是额定最值，不表示在这些条件下或者在任何其 额定值 –0.3 V至+7 V –0.3 V至V DD + 0.3 V –0.3 V至V DD + 0.3 V –0.3 V至V DD + 0.3 V –0.3 V至V DD + 0.3 V –55°C至+150°C –65°C至+160°C 150.7°C 它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，器件能 够正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器 件的可靠性。 1.2 205.9°C/W 43.74°C/W WMAX = (TJMAX − TA)/θJA 0.8 0.6 0.4 0.2 MAX PD = 3.4mW AT 150°C 0 –55 –50 –40 –30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 157°C/W 56°C/W 220°C (0°C/5°C) 10秒至20秒 3°C/秒(最大值) –6°C/秒(最大值) 6分钟(最大值) 1.0 05326-003 WMAX = (TJMAX − TA)/θJA MAXIMUM POWER DISSIPATION (Watts) 参数 VDD to GND SDA输入电压至GND SDA输出电压至GND SCL输入电压至GND OS/ALERT输出电压至GND 工作温度范围 存储温度范围 最高结温TJMAX 8引脚MSOP (RM-8) 功耗1, 2 热阻3 θJA(结至环境，静止空气) θJC(结至外壳) 8引脚SOIC-N (R-8) 功耗1, 2 热阻3 θJA(结至环境，静止空气) θJC(结至外壳) IR回流焊 峰值温度 峰值温度时间 上斜坡速率 下斜坡速率 从25°C至峰值温度的时间 IR回流焊(无铅封装) 峰值温度 峰值温度时间 上斜坡速率 下斜坡速率 从25°C至峰值温度的时间 TEMPERATURE (°C) 图3. MSOP最大功耗与环境温度的关系 ESD警告 ESD(静电放电)敏感器件。 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放 电。尽管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇 到高能量ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采 取适当的ESD防范措施，以避免器件性能下降或功 能丧失。 260°C (+0°C) 20秒至40秒 3°C/秒(最大值) –6°C/秒(最大值) 8分钟(最大值) 1 值与标准2层PCB上使用的封装相关。由此可得出最差条件θJA和θJC。 最大功耗与环境温度(TA)的关系曲线见图3。 2 TA = 环境温度。 3 结至外壳热阻适用于具有优先流向特性的元件，例如安装在散热器 上的元件。结至环境热阻更适用于PCB式安装的气冷元件。 Rev. B | Page 7 of 24 ADT75 SDA 1 SCL 2 OS/ALERT 3 ADT75 TOP VIEW (Not to Scale) GND 4 8 VDD 7 A0 6 A1 5 A2 05326-004 引脚配置和功能描述 图4. 引脚配置 表5. 引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 1 SDA 2 SCL 3 4 5 6 7 8 OS/ALERT GND A2 A1 A0 VDD 描述 SMBus/I2C串行数据输入/输出。此引脚提供要载入和读取自ADT75寄存器的串行数据。 开漏配置，需要上拉电阻。 串行时钟输入。这是串行端口的时钟输入。串行时钟用于向ADT75的任一寄存器逐个输入数据或 从其逐个输出数据。开漏配置，需要上拉电阻。 过温和欠温指示器。上电时默认用作OS引脚。开漏配置，需要上拉电阻。 模拟地和数字地。 SMBus/I2C串行总线地址选择引脚。逻辑输入。可以设置为GND或VDD。 SMBus/I2C串行总线地址选择引脚。逻辑输入。可以设置为GND或VDD。 SMBus/I2C串行总线地址选择引脚。逻辑输入。可以设置为GND或VDD。 正电源电压，2.7 V至5.5 V。将此电源去耦至地。 Rev. B | Page 8 of 24 ADT75 典型性能参数 7 1.0 TA = 30°C 6 0.2 0 –0.2 VDD = 5V –0.4 –0.6 –0.8 –1.0 –55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 5 4 3 2 1 0 2.6 125 3.1 3.6 图5. 3.3 V和5 V时的温度精度 0.05 CONVERTING @ 5.5V TEMPERATURE ERROR (°C) 350 300 250 AVERAGE @ 5.5V AVERAGE @ 3.3V 05326-024 100 50 –35 –15 5 25 45 65 85 105 0 –0.01 –0.02 –0.03 VDD = 3.3V ± 10% 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 TEMPERATURE (°C) SUPPLY RIPPLE FREQUENCY (MHz) 图6. 工作电流与温度的关系 图9. 温度精度与电源纹波频率的关系 5.0 0.025 TA = 30°C 0.020 TEMPERATURE ERROR (°C) 225 220 215 210 205 200 0.015 0.010 MSOP PACKAGE 0.005 0 –0.005 SOIC PACKAGE –0.010 –0.015 –0.020 3.1 3.6 4.1 4.6 5.1 5.6 SUPPLY VOLTAGE (V) 05326-025 AVERAGE SUPPLY CURRENT (µA) 0.01 –0.05 125 230 195 2.6 VDD = 5V ± 10% 0.02 –0.04 240 235 0.03 05326-028 SUPPLY CURRENT (µA) 400 0 –55 TA = 25°C A 0.1µF CAPACITOR IS CONNECTED AT THE VDD PIN. 0.04 CONVERTING @ 3.3V 150 5.6 5.1 图8. 30°C时关断电流与电源电压的关系 500 200 4.6 SUPPLY VOLTAGE (V) TEMPERATURE (°C) 450 4.1 05326-026 VDD = 3.3V 05326-027 0.4 SHUTDOWN CURRENT (µA) 0.6 05326-023 TEMPERATURE ERROR (°C) 0.8 图7. 30°C时平均工作电源电流与电源电压的关系 –0.025 0 2 4 6 8 图10. 热冲击响应 Rev. B | Page 9 of 24 10 RECOVERY TIME AT 25°C (Hours) 12 14 ADT75 工作原理 电路信息 功能描述 ADT75是一款12位数字温度传感器，第12位用作符号位。 器件的转换时钟内部产生。只有在从串行端口读取或写入 片上温度传感器产生与绝对温度成精确比例的电压，该电 串行端口时才需要外部时钟。正常模式下，内部时钟振荡 压与内部基准电压相比较并输入至精密数字调制器。 器执行一个自动转换序列。在该自动转换序列期间，每隔 ADT75 A级的整体精度为±2°C(−25°C至+100°C范围)，ADT75 100 ms启动一次转换。此时，器件的模拟电路上电并执行 B级为±1°C(0°C至+70°C范围)。两种等级均具有出色的传 感器线性度。串行接口为SMBus /I2C兼容型，ADT75的开漏 输出能够吸收3 mA电流。 温度转换。 温度转换通常需要60 ms，转换完成后，器件的模拟电路自 动关断。40 ms后，100 ms定时器超时，模拟电路再次上电， 片上温度传感器在整个额定温度范围内都具有出色的精度 开始执行下一次转换。温度值寄存器始终提供最近一次温 和线性度，用户无需进行校正或校定。 度转换的结果，因为SMBus/I2C电路永远不会关断。 传感器输出通过一个一阶Σ-Δ调制器(亦称电荷平衡型ADC) 通过配置寄存器可以将ADT75置于关断模式，在这种情况 进行数字化。这种转换器利用时域过采样和一个高精度比 下，片内振荡器关断，在ADT75退出关断模式之前，不会 较器在一个极紧凑的电路中实现12位有效精度。 继续启动任何转换。通过将0写入配置寄存器中的位D0， 转换器详解 可以使ADT75退出关断模式。ADT75退出关断模式的典型 Σ-Δ调制器包括一个输入采样器、一个求和网络、一个积 分器、一个比较器和一个1位DAC。与电压频率转换器相 时间为1.7 ms。即使ADT75处于关断模式，仍然可以从ADT75 读取关断前最后一次转换的结果。 似，此架构通过响应输入电压变化而改变比较器输出的占 正常转换模式下，内部时钟振荡器在每次读或写操作后都 空比，从而产生一个负反馈环路，将积分器输出降至最 会复位，致使器件开始温度转换，转换结果通常在60 ms后 小。比较器以比输入采样频率高得多的速率来对积分器的 可用。同样，当器件退出关断模式时，内部时钟振荡器启 输出进行采样，这就是所谓“过采样”。过采样在比输入信 动，并启动一次转换。 号宽得多的频带内扩展量化噪声，从而改善总体噪声性能 转换结果通常在60 ms后可用。转换完成前读取器件会导致 并提高精度。 ADT75停止转换；当串行通信结束时，器件再次开始转 换。该读操作读取的是上一次转换的结果。 Σ-∆ MODULATOR INTEGRATOR VOLTAGE REF AND VPTAT COMPARATOR + 所测得的温度值与16位TOS读写寄存器中存储的高温限值，以 及16位THYST读写寄存器中存储的迟滞温度限值相比较，如果 – 测量值超过这些限值，则激活OS/ALERT引脚。该OS/ALERT 1-BIT DAC 引脚可经由配置寄存器针对模式和极性进行编程。 LPF DIGITAL FILTER TEMPERATURE VALUE 12-BIT REGISTER 05326-011 1-BIT CLOCK GENERATOR 图11. 一阶Σ-Δ型调制器 比较器的已调输出通过电路进行编码产生SMBus/I2C温度 数据。 Rev. B | Page 10 of 24 ADT75 表6. 12位温度数据格式 配置寄存器功能包括 • 在正常工作模式和完全关断模式之间切换 • 在比较器模式和中断事件模式之间切换 • 设置OS/ALERT引脚的有效极性 • 设置激活OS/ALERT引脚的故障数量 • 使能单次采样模式 • 使能OS/ALERT引脚的SMBus报警功能模式 温度数据格式 ADC的一个LSB对应0.0625°C。ADC理论上可以测量255°C (−128°C至+127°C)的温度范围，但ADT75可以保证正常工 作 的 测 量 范 围 是 低 值 温 度 限 值 −55°C至 高 值 温 度 限 值 +125°C。温度测量结果存储在16位温度值寄存器中，并与 存储在TOS设定点寄存器中的高温限值和存储在THYST设定 温度 −55°C −50°C −25°C −0.0625°C 0°C +0.0625°C +10°C +25°C +50°C +75°C +100°C +125°C 数字输出(二进制) DB15至DB4 1100 1001 0000 1100 1110 0000 1110 0111 0000 1111 1111 1111 0000 0000 0000 0000 0000 0001 0000 1010 0000 0001 1001 0000 0011 0010 0000 0100 1011 0000 0110 0100 0000 0111 1101 0000 数字输出(十六进制) 0xC90 0xCE0 0xE70 0xFFF 0x000 0x001 0x0A0 0x190 0x320 0x4B0 0x640 0x7D0 温度转换公式 点寄存器中的迟滞限值相比较。 12位温度数据格式 温度值寄存器、TOS设定点寄存器和THYST设定点寄存器中 • 负温度 = (ADC码(十进制)1− 4096)/16，或者负温度 = 的温度数据由12位二进制补码字表示。MSB是温度符号 位。四个LSB(位DB0至DB3)不是温度转换结果的一部分， 始终为0。表6所示为不带位DB0至DB3的温度数据格式。 从温度值寄存器回读温度需要一个双字节读操作，但如果 只需要1°C(8位)分辨率，则可以使用单字节读操作。使用9 位温度数据格式的设计人员仍可使用ADT75，只需忽略12 位温度值的后三个LSB。这三个LSB是表6中的位D4至D6。 • 正温度 = ADC码(十进制)/16 (ADC码(十进制)2 – 2048)/16 9位温度数据格式 • 正温度 = ADC码(十进制)/2 • 负温度 = (ADC码(十进制)3− 512)/2，或者负温度 = (ADC 码(十进制)4 – 256)/2 8位温度数据格式 • 正温度 = ADC码(十进制) • 负温度 = ADC码(十进制)5− 256，或者负温度 = ADC码 (十进制)6 – 128 ADC码去除位DB7(符号位) ADC码使用所有12位数据字节，包括符号位。 ADC码去除位DB11(符号位)。 3 ADC码使用所有9位数据字节，包括符号位。 4 ADC码去除位DB8(符号位)。 5 ADC码使用所有8位数据字节，包括符号位。 6 ADC码去除位DB7(符号位)。 1 2 Rev. B | Page 11 of 24 ADT75 TEMPERATURE 单次采样模式 82°C 将配置寄存器的位D5设为1可使能单次采样模式。使能此 81°C 模式时，ADT75立即进入关断模式，功耗降至典型值3 μA 80°C (VDD为3.3 V)或5.5 μA(VDD为5 V)。将地址0x04写入地址指 79°C TOS 78°C 针寄存器时，就会写入单次采样寄存器，从而启动单次采 77°C 样温度测量：ADT75上电，执行一次温度转换，然后再次 76°C 关断。 75°C 写入单次采样寄存器后，回读温度之前至少应等待60 ms。 73°C THYST 74°C 此等待时间确保ADT75有时间上电和完成一次转换。回读 单次采样寄存器(地址0x04)可获得温度转换结果。回读温 度值寄存器也能获得同样的温度值。 选择任一过温检测模式时，如果温度超过过温限值，则写 入单次采样寄存器(地址0x04)将激活OS/ALERT引脚。有关 单次采样OS/ALERT引脚操作的更多信息，请参见图12。 注意：在中断模式下，如果OS/ALERT引脚因为写入单次 OS/ALERT PIN (COMPARATOR MODE) POLARITY = ACTIVE LOW OS/ALERT PIN (INTERRUPT MODE) POLARITY = ACTIVE LOW OS/ALERT PIN (COMPARATOR MODE) POLARITY = ACTIVE HIGH OS/ALERT PIN (INTERRUPT MODE) POLARITY = ACTIVE HIGH 采样寄存器而激活，则读取任意寄存器都会复位该引脚。 TIME READ1 写入单次采样寄存器就会复位OS/ALERT引脚。 WRITE TO 0x04 REG.2 电路设计优先考虑降低功耗时，单次采样模式非常有用。 READ1 WRITE TO 0x04 REG.2 READ1 WRITE TO 0x04 REG.2 1READ FROM ANY 2THERE IS A 60ms REGISTER. DELAY BETWEEN WRITING TO THE ONE-SHOT REGISTER AND THE OS/ALERT PIN GOING ACTIVE. THIS IS DUE TO THE CONVERSION TIME. 05326-022 在比较器模式下，一旦温度降至THYST寄存器的值以下，则 图12. 单次采样OS/ALERT引脚操作 故障队列 配置寄存器的位D3和位D4用于设置故障队列。在高温度 噪声环境下使用ADT75时，队列可提供最多6个故障以防 误触发OS/ALERT引脚。队列中所设故障的数目必须连续 发生才能设置OS/ALERT输出。 Rev. B | Page 12 of 24 ADT75 寄存器 地址指针寄存器 ADT75内置6个寄存器：4个数据寄存器、1个地址指针寄 此8位只写寄存器存储一个指向四个数据寄存器之一或选 存器和1个单次采样寄存器。其中只有配置寄存器是8位宽 择单次转换模式的地址。P0和P1选择后续数据字节要写入 数据寄存器，其余都是16位宽。温度值寄存器是唯一的只 或读出的数据寄存器。P0、P1和P2用于选择单次采样模 读数据寄存器，其余数据寄存器和单次采样寄存器都是可 式，方法是将04h写入此寄存器。其余位应写入0。 读可写的。上电时，地址指针寄存器装载0x00并指向温度 值寄存器。 P7 0 上电默认设置 表7. ADT75寄存器 指针地址 0x00 0x01 0x02 0x03 0x04 表8. 地址指针寄存器 名称 温度值 配置 THYST 设定点 TOS 设定点 单次采样 上电默认值 0x00 0x00 0x4B00 (75°C) 0x5000 (80°C) 0xXX P6 0 P5 0 P4 0 表9. 寄存器地址 P2 0 0 0 0 1 Rev. B | Page 13 of 24 P1 0 0 1 1 0 P0 0 1 0 1 0 所选寄存器 温度值 配置 THYST 设定点 TOS 设定点 单次采样模式 P3 0 P2 0 P1 0 P0 0 ADT75 温度值寄存器 配置寄存器 此16位只读寄存器存储内部温度传感器测量的温度，温度 此8位读写寄存器存储ADT75的各种配置模式。这些模式 以二进制补码格式存储，MSB作为温度符号位。读取此寄 包括：关断、过温中断、单次采样、SMBus报警功能使 存器时，首先读取8个MSB(位D15至D8)，然后读取8个LSB 能、OS/ALERT引脚极性和过温故障队列。参见表10。 (位D7至D0)。控制寄存器设置是上电时的默认设置。 MSB D15 0 1 D14 0 D13 0 D12 0 D11 0 D10 0 D9 0 D8 0 D7 0 D6 0 N/A表示不适用。 表10. 位 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 配置模式 OS/SMBus报警 保留 单次采样 故障队列 故障队列 OS/ALERT引脚极性 比较器/中断 关断 上电默认设置 0 0 0 0 0 0 0 0 Rev. B | Page 14 of 24 D5 0 D4 0 D3 N/A1 D2 N/A1 D1 N/A1 LSB D0 N/A1 ADT75 表11. 位 D0 关断 D1 Cmp/Int D2 OS/ALERT D4:D3 故障 队列 D5 单次采样 D6 保留 D7 OS/SMBus 报警 模式 功能 关断位。此位设为1时，ADT75进入关断模式，SMBus/I2C接口以外的所有电路都关断。 要使器件重新上电，应将0写入此位。 此位在比较器模式与中断模式之间进行选择。 D1 0 过温中断模式 比较器模式 1 中断模式 此位选择OS/ALERT引脚的输出极性。 D2 OS/ALERT引脚极性 0 低电平有效 1 高电平有效 这两个位选择在设置OS/ALERT引脚之前会发生的过温故障的数目。 这有助于避免温度噪声所引起的误触发。 D [4:3] 过温故障队列 00 1个故障(默认) 01 2个故障 10 4个故障 11 6个故障 单次采样模式。此位设为1时，器件进入单次采样模式。在这种模式下，器件通常都处于关断状态， 直到将0x04写入地址指针寄存器，然后执行转换，转换完成后，器件再次关断。 D5 单次采样模式 0 正常模式；上电后每隔100 ms转换一次 1 单次采样模式 保留。将0写入此位。 仅中断模式。使能SMBus报警功能模式。选择中断模式时(D1 = 1)，此位可以使ADT75支持SMBus报警功能。 D7 0 OS/SMBus报警模式 禁用SMBus报警功能。选择该位状态时，OS/ALERT引脚用作OS引脚。 1 使能SMBus报警功能。 THYST设定点寄存器 此16位读写寄存器存储两种中断模式的温度迟滞限值，温度限值以二进制补码格式存储，MSB作为温度符号位。读取此寄存 器时，首先读取8个MSB，然后读取8个LSB。THYST限值的默认设置是75°C。控制寄存器设置是上电时的默认设置。 MSB D15 0 1 D14 1 D13 0 D12 0 D11 1 D10 0 D9 1 D8 1 D7 0 D6 0 D5 0 D4 0 D3 N/A1 D2 N/A1 D1 N/A1 LSB D0 N/A1 N/A表示不适用。 TOS设定点寄存器 此16位读写寄存器存储两种中断模式的过温限值，温度限值以二进制补码格式存储，MSB作为温度符号位。读取此寄存器 时，首先读取8个MSB，然后读取8个LSB。TOS限值的默认设置是80°C。控制寄存器设置是上电时的默认设置。 MSB D15 0 1 D14 1 D13 0 D12 1 D11 0 D10 0 D9 0 D8 0 D7 0 N/A表示不适用。 Rev. B | Page 15 of 24 D6 0 D5 0 D4 0 D3 N/A1 D2 N/A1 D1 N/A1 LSB D0 N/A1 ADT75 串行接口 串行总线协议按如下方式工作： ADT75的控制经由SMBus/I2C兼容串行接口实现。ADT75 作为从器件连接至此总线，受主器件控制。 义为在串行时钟线(SCL)保持高电平时，串行数据线 图13所示为一个典型SMBus/I2C接口连接。 PULL-UP VDD (SDA)发生高低转换。这表示随后将产生地址/数据流。 PULL-UP VDD VDD 1. 主器件通过建立起始条件而启动数据传输；起始条件定 所有连接至串行总线的从外设器件都对起始条件做出响 应，并读取接下来的8个位，包括一个7位地址(MSB优 10kΩ ADT75 OS/ALERT A0 A1 A2 先)加一个读写(R/W)位。R/W位决定数据是写入从器件 0.1µF 或由从器件读出。 SCL SDA GND 2. 地址与所发送地址相对应的外设通过在第9个时钟脉冲 SMBus/I2C ADDRESS = 1001 000 (亦称应答位)之前的低电平周期期间将数据线拉至低电 05326-012 10kΩ 10kΩ 平来做出响应。在选定器件等待读写数据期间，总线上 图13. 典型SMBus/I 2C接口连接 的所有其它器件保持空闲状态。如果R/W位为0，则主 串行总线地址 器件向从器件写入数据。如果R/W位为1，则主器件由 与其它SMBus/I 2C兼容器件一样，ADT75具有7位串行地 从器件读取数据。 址。此地址的4个MSB设置为1001。引脚A2、A1和A0设置 3. 数据按9个时钟脉冲(8个数据位后跟1个来自数据接收器 三个LSB。这些引脚可以配置成低和高两种电平，以提供8 的应答位)的顺序通过串行总线发送。数据线上的转换 种不同的地址选项。表12显示可用的不同总线地址选项。 必须发生在时钟信号的低电平周期期间，并且当时钟处 SDA线和SCL线的推荐上拉电阻值为10 kΩ。 于高电平时保持稳定，因为在时钟线高电平周期期间的 表12. SMBus/I2C总线地址选项 数据线低电平至高电平转换，将被视为一个停止信号。 A6 1 1 1 1 1 1 1 1 A5 0 0 0 0 0 0 0 0 二进制 A4 A3 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 A2 0 0 0 0 1 1 1 1 4. 读取或写入所有数据字节之后，停止条件随即建立。在 A1 0 0 1 1 0 0 1 1 A0 0 1 0 1 0 1 0 1 写入模式下，主机在第10个时钟脉冲期间拉高数据线， 十六进制 0x48 0x49 0x4A 0x4B 0x4C 0x4D 0x4E 0x4F 以置位停止条件。在读取模式下，主器件在第9个时钟 脉冲之前的低电平周期期间将数据线拉至高电平。这称 为不应答。主器件在第10个时钟脉冲之前的低电平周期 期间将数据线置于低电平，然后在第10个时钟脉冲期间 将数据线拉至高电平，以置位停止条件。 一次操作中，通过串行总线可以传输任一数量的数据字 ADT75具有SMBus/I2C超时功能。SDA线无活动持续75 ms至 325 ms后，SMBus/I2C接口超时。经过超时时间后，ADT75 将SDA线复位到空闲状态(SDA设置为高阻抗)，等待下一 个起始条件。 节。然而，因为操作类型在开始时已确定，且随后如果不 开始一个新操作便无法更改，因此不能在一个操作中混合 读取和写入。 器件不会锁存三个地址引脚所设置的I2C地址，除非两次发 送该地址。在第二次有效通信的第8个SCL周期，串行总线 地址被锁存；该周期是器件看见自己的I2C串行总线地址之 后紧接着的SCL周期。随后对此引脚的任何更改都不会影 响I2C串行总线地址。 Rev. B | Page 16 of 24 ADT75 写入数据 写入数据到寄存器 ADT75有两种不同的写操作方式，具体取决于所写入的寄 配置寄存器为8位宽，因此只能将一个字节的数据写入此 存器。 寄存器。对配置寄存器写入的单字节数据包括串行总线地 址、写入地址指针寄存器的数据寄存器地址，后跟写入所 为随后的读操作写入地址指针寄存器 选数据寄存器的数据字节，如图15所示。THYST寄存器和TOS 为了从特定寄存器读取数据，地址指针寄存器必须包含该 寄存器均为16位宽，因此可以写入两个数据字节。将双字 寄存器的地址。如果不包含，则必须执行单字节写操作， 节数据写入这些寄存器包括串行总线地址、写入地址指针 将正确的地址写入地址指针寄存器，如图14所示。该写操 寄存器的数据寄存器地址，后跟写入所选数据寄存器的两 作包括串行总线地址和地址指针字节。无数据写入任何数 个数据字节，如图16所示。如果将超过要求数目的数据字 据寄存器。然后，执行读操作以读取寄存器。 节写入一个寄存器，该寄存器会忽略这些额外的数据字 节。若要写入一个不同的寄存器，则需要另一个起始或重 复起始条件。 1 9 1 9 SCL 0 0 1 A1 A2 A0 R/W START BY MASTER P7 P6 P5 P4 P3 P2 P1 P0 ACK. BY ADT75 ACK. BY ADT75 FRAME 1 SERIAL BUS ADDRESS BYTE STOP BY MASTER FRAME 2 ADDRESS POINTER REGISTER BYTE 图14. 写入地址指针寄存器以选择用于随后读操作的寄存器 1 9 1 9 SCL 1 0 0 1 A2 A1 A0 START BY MASTER P7 R/W P6 P5 P4 P3 P2 P1 P0 ACK. BY ADT75 ACK. BY ADT75 FRAME 1 SERIAL BUS ADDRESS BYTE FRAME 2 ADDRESS POINTER REGISTER BYTE 1 9 SCL (CONTINUED) SDA (CONTINUED) D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 ACK. BY ADT75 FRAME 3 DATA BYTE 图15. 写入地址指针寄存器，然后将单字节数据写入配置寄存器 Rev. B | Page 17 of 24 STOP BY MASTER 05326-014 SDA 05326-013 1 SDA ADT75 1 9 1 9 SCL 1 SDA 0 0 1 A2 A1 A0 P7 R/W START BY MASTER P6 P5 P4 P3 P2 P1 P0 ACK. BY ADT75 ACK. BY ADT75 FRAME 1 SERIAL BUS ADDRESS BYTE FRAME 2 ADDRESS POINTER REGISTER BYTE 1 1 9 9 SCL (CONTINUED) D15 D14 D13 D12 D11 D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 ACK. BY ADT75 ACK. BY ADT75 FRAME 3 DATA BYTE STOP BY MASTER FRAME 4 DATA BYTE 05326-015 SDA (CONTINUED) 图16. 写入地址指针寄存器，然后将双字节数据写入THYST 或TOS 寄存器 1 1 9 9 SCL 0 0 1 A1 A2 A0 R/W START BY MASTER D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 ACK. BY ADT75 NO ACK. BY STOP BY MASTER MASTER FRAME 1 SERIAL BUS ADDRESS BYTE FRAME 2 DATA BYTE FROM CONFIGURATION REGISTER 05326-016 1 SDA 图17. 从配置寄存器读回数据 1 9 1 9 SCL SDA 1 0 0 1 A2 A1 A0 START BY MASTER D15 R/W D14 D13 D12 D11 D10 D9 D8 ACK. BY ADT75 ACK. BY MASTER FRAME 1 SERIAL BUS ADDRESS BYTE FRAME 2 MSB DATA BYTE FROM TEMPERATURE VALUE REGISTER 9 1 SCL (CONTINUED) D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 NO ACK. BY MASTER FRAME 3 LSB DATA BYTE FROM TEMPERATURE VALUE REGISTER STOP BY MASTER 05326-017 SDA (CONTINUED) 图18. 从温度值寄存器读回数据 读取数据 设置相关寄存器地址。因此，无法执行块读取，即I2C没有 从ADT75读取数据，对于配置寄存器，通过单数据字节操 自动递增功能。如果之前已使用要接收读取命令的寄存器 作完成；对于温度值寄存器、THYST寄存器和TOS设定点寄 的地址来设置地址指针寄存器，则无需重复写入操作来再 存器，则通过双数据字节操作来完成。回读配置寄存器的 次设置寄存器地址。 内容如图17所示。回读温度值寄存器的内容如图18所示。 从任何寄存器回读数据时，首先需要对地址指针寄存器进 行单字节写操作，以设置要读取的寄存器的地址。要从另 一寄存器读取，需要对地址指针寄存器执行另一写操作来 Rev. B | Page 18 of 24 ADT75 OS/ALERT输出过温模式 中断模式 ADT75有 两 种 过 温 模 式 ： 比 较 器 模 式 和 中 断 模 式 。 在中断模式下，读取ADT75的任何寄存器时，OS/ALERT OS/ALERT引脚的上电默认设置是OS引脚，比较器模式是 引脚都会进入无效状态。只有当测得的温度低于THYST设定 上电默认的过温模式。当测得的温度超过TOS设定点寄存器 点寄存器中存储的限值时，OS/ALERT引脚才能返回有效 中存储的温度限值时，OS/ALERT输出引脚激活。此引脚 状态。一旦OS/ALERT引脚复位，则只有当温度高于TOS限 在此事件后的反应方式取决于所选的过温模式。 值时，OS/ALERT引脚才会再次有效。当OS/ALERT引脚用 作SMBus报警引脚时，SMBus报警响应地址(ARA)也能复 比较器模式 位OS/ALERT引脚。更多信息请参阅“SMBUS报警”部分。 在比较器模式下，当测得的温度降至THYST设定点寄存器中 图19所示为两种引脚极性设置情况下的比较器模式和中断 存储的限值以下时，OS/ALERT引脚返回无效状态。该模 模 式 。 在 中 断 模 式 下 ， 将 ADT75置 于 关 断 模 式 可 复 位 式下，使ADT75处于关断模式不会复位OS/ALERT状态。 OS/ALERT引脚。 TEMPERATURE 82°C 81°C TOS 80°C 79°C 78°C 77°C 76°C THYST 75°C 74°C 73°C OS/ALERT PIN (COMPARATOR MODE) POLARITY = ACTIVE LOW OS/ALERT PIN (INTERRUPT MODE) POLARITY = ACTIVE LOW OS/ALERT PIN (COMPARATOR MODE) POLARITY = ACTIVE HIGH TIME READ READ 图19. OS/ALERT输出温度响应图 Rev. B | Page 19 of 24 READ 05326-018 OS/ALERT PIN (INTERRUPT MODE) POLARITY = ACTIVE HIGH ADT75 1. SMBALERT 被拉低。 SMBus报警 将 配 置 寄 存 器 的 位 D7置 1以 使 能 SMBus报 警 功 能 时 ， OS/ALERT引脚可以用作SMBus报警引脚。同时还必须选 择中断模式(配置寄存器的位D1)。OS/ALERT引脚为开漏 输出，需要上拉至VDD。多个SMBus报警输出可以通过“线 2. 主器件启动一个读操作，并发送SMBus报警响应地址 (ARA = 0001 100)。这一保留的SMBus/I2C地址不得用作特 定器件地址。 3. SMBus报警输出为低电平的器件响应SMBus报警响应地 与”方式连在一起，如果其中一个或多个SMBus报警输出变 址，主器件读取其器件地址。由于器件地址只有7位， 为低电平，则公共输出线路变为低电平。为将多个输出通 因此ADT75的LSB可以用来指示是哪个温度限值被超 过“线与”方式连在一起，必须将OS/ALERT引脚的极性设 过。如果温度大于或等于TOS，则LSB为1；如果温度小 置为低电平有效。 于THYST，则LSB为0。此时，器件的地址是已知的了，可 器件一般无法向主器件发出信号要求通信，但利用 SMBALERT功能却可以这样做。SMBALERT与SMBus广播 地址一同使用。 可以将一个或多个SMBus报警输出连接到一条与主器件相 连的公共SMBALERT线。当任一器件将SMBALERT线拉低 时，将发生下列操作，如图20所示。 MASTER RECEIVES SMBALERT 4. 如果有多个器件的SMBus报警输出为低电平，根据一般 的SMBus规范，器件地址最低的器件将优先响应。 ADT75响应SMBus报警响应地址后，就会复位SMBus报警 输出。如果SMBALERT线仍为低电平，主器件将再次发送 ARA。主器件将重复这一操作，直到所有SMBALERT输出 为低电平的器件都已做出响应。 MASTER RECEIVES SMBALERT ALERT RESPONSE ADDRESS MASTER SENDS ARA AND READ COMMAND NO RD ACK DEVICE ADDRESS ACK STOP DEVICE SENDS ITS ADDRESS 图20. ADT75响应SMBALERT ARA RESPONSE START ALERT ADDRESS 05326-019 START 以通过一般方式查询。 MASTER SENDS ARA AND READ COMMAND DEVICE ACK MASTER ACK DEVICE RD ACK ADDRESS ACK MASTER NACK PEC NO ACK STOP DEVICE SENDS DEVICE SENDS ITS ADDRESS ITS PEC DATA 图21. ADT75响应SMBALERT ARA，带有分组差错校验(PEC) Rev. B | Page 20 of 24 05326-020 OS/ALERT输出可以充当SMBALERT功能。SMBus上的从 ADT75 应用信息 热响应时间 电源去耦 温度传感器建立到额定精度所需的时间是传感器的热质量 应在VDD与GND之间连接一个0.1 μF陶瓷电容来去耦。如果 和传感器与检测对象之间的导热率的函数。一般认为热质 ADT75安装于离电源较远处，这点尤其重要。ADT75等精 量等效于电容。导热率常用符号Q表示，可以看作热阻， 密模拟产品都需要充分滤波的电源。ADT75采用单电源供 通 常 以 通 过 热 接 点 传 输 的 功 率 (°C/W) 为 单 位 。 因 此 ， 电，因此利用数字逻辑电源看起来较为方便。但是，逻辑 ADT75建立至所需精度要求的时间取决于所选的封装、特 电源通常采用开关模式设计，会产生20 kHz至1 MHz范围内 定应用中确立的热接触和热源的等效功率。在大部分应用 的噪声。此外，由于线路电阻和电感，高速逻辑门会产生 中，最好是凭经验确定建立时间。 幅度达到数百毫伏的毛刺。 自热效应 如果可能，应直接从系统电源为ADT75供电。图22所示的 在某些应用中，由于自热效应，ADT75的温度测量精度可 配置可以隔离模拟部分和逻辑开关瞬变。即使不能使用独 能会降低。静态功耗和转换时的功耗可能会引入误差。这 立的电源走线，大量的电源旁路仍能降低电源线路引起的 些温度误差的幅度取决于ADT75封装的导热率、安装技术 误差。包括0.1 μF陶瓷电容的本地电源旁路对要实现的温度 和气流效应。在25°C、3.3 V工作电压时，ADT75的静态功耗 精度规格来说至关重要。此去耦电容必须尽可能靠近 典型值为798.6 μW。对于安装于自由空气中的8引脚MSOP封 ADT75的VDD引脚放置。 装，自热效应引起的温度升幅为： TTL/CMOS LOGIC CIRCUITS T = PDISS × θJA = 798.6 µW × 205.9°C/W = 0.16°C 0.1µF ADT75 建议尽可能降低器件消耗的电流，因为电流越大，温度误 使用关断模式可以降低ADT75消耗的电流，从而降低自热 效应。当ADT75处于关断模式、工作温度为25°C、VDD = 3.3 V 且上电/转换速率为1 SPS(每秒样本数)时，ADT75的静态功 耗典型值为78.6 μW。对于安装于自由空气中的8引脚MSOP 封装，自热效应引起的温度升幅为： T = PDISS × θJA = 78.6 µW × 205.9°C/W = 0.016°C Rev. B | Page 21 of 24 POWER SUPPLY 图22. 使用独立走线降低电源噪声 05326-021 差也越大。 ADT75 温度监控 如果热阻确定，则可从ADT75的输出推导出热源的温度。 ADT75非常适合于监控电子设备内的热环境。例如，表贴 从热源传输到ADT75芯片上热传感器的热量有60%之多经 封装可精确反映影响附近集成电路的确切热条件。 由铜走线、封装引脚和焊盘散发掉。在ADT75的引脚中， ADT75测量并转换其本身半导体芯片表面的温度。使用 GND引脚传输的热量最多。因此，要测量一个热源的温 ADT75测量附近热源的温度时，必须考虑热源和ADT75之 度，建议尽可能降低ADT75 GND引脚与热源的GND之间 间的热阻。常常使用热电偶或其它温度传感器测量热源的 的热阻。 温度，同时回读ADT75温度值寄存器以监控温度。 例如，使用ADT75的独特特性来监控高功耗微处理器的温 度。ADT75器件采用表贴封装，直接安装在微处理器的引 脚栅阵列(PGA)封装之下。ADT75产生线性温度输出，只 需两个I/O引脚，无需进行外部特性测试。 Rev. B | Page 22 of 24 ADT75 外形尺寸 3.20 3.00 2.80 8 3.20 3.00 2.80 5.15 4.90 4.65 5 1 4 PIN 1 IDENTIFIER 0.65 BSC 0.95 0.85 0.75 15° MAX 1.10 MAX 6° 0° 0.40 0.25 0.80 0.55 0.40 0.23 0.09 10-07-2009-B 0.15 0.05 COPLANARITY 0.10 COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-AA 图23. 8引脚超小型封装[MSOP] (RM-8) 图示尺寸单位：mm 5.00 (0.1968) 4.80 (0.1890) 8 1 5 4 1.27 (0.0500) BSC 0.25 (0.0098) 0.10 (0.0040) COPLANARITY 0.10 SEATING PLANE 6.20 (0.2441) 5.80 (0.2284) 1.75 (0.0688) 1.35 (0.0532) 0.51 (0.0201) 0.31 (0.0122) 0.50 (0.0196) 0.25 (0.0099) 45° 8° 0° 0.25 (0.0098) 0.17 (0.0067) 1.27 (0.0500) 0.40 (0.0157) COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AA CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS (IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN. 图24. 8引脚标准小型封装[SOIC_N] 窄体 (R-8) 图示尺寸单位：mm和(inch) Rev. B | Page 23 of 24 012407-A 4.00 (0.1574) 3.80 (0.1497) ADT75 订购指南 型号1 ADT75ARMZ ADT75ARMZ-REEL7 ADT75ARMZ-REEL ADT75ARZ ADT75ARZ-REEL7 ADT75ARZ-REEL ADT75BRMZ ADT75BRMZ-REEL7 ADT75BRMZ-REEL EVAL-ADT75EBZ 温度范围 –55°C至+125°C –55°C至+125°C –55°C至+125°C –55°C至+125°C –55°C至+125°C –55°C至+125°C –55°C至+125°C –55°C至+125°C –55°C至+125°C 温度精度2,3 ±2°C ±2°C ±2°C ±2°C ±2°C ±2°C ±1°C ±1°C ±1°C 封装描述 8引脚 MSOP 8引脚 MSOP 8引脚 MSOP 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 MSOP 8引脚 MSOP 8引脚 MSOP 评估板 1 Z = 符合RoHS标准的器件。 A级温度精度相对于−25°C至+100°C的温度范围。 3 B级温度精度相对于0°C至70°C的温度范围。 2 I2C指最初由Philips Semiconductors(现为NXP Semiconductors)开发的一种通信协议。 ©2005–2012 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D05326sc-0-8/12(B) Rev. B | Page 24 of 24 封装选项 RM-8 RM-8 RM-8 R-8 R-8 R-8 RM-8 RM-8 RM-8 标识 T5B T5B T5B T5C T5C T5C