3 kV RMS双通道数字隔离器
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
产品特性
概述
数据速率最高可达100 Mbps (NRZ)
低传播延迟：20 ns(典型值)
低动态功耗
双向通信
3 V至5 V电平转换
工作温度最高可达：125°C
高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs
默认输出高电平：ADuM1280/ADuM1281
默认输出低电平：ADuM1285/ADuM1286
8引脚窄体SOIC封装，符合RoHS标准
安全和法规认证
UL认证：依据UL 1577，1分钟3,000 V rms
CSA元件验收通知#5A
符合VDE认证
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)： 2006-12
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM12861(本数据手
册中亦称为ADuM128x)均为双通道数字隔离器，采用ADI
的iCoupler®技术。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片空
芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成
式耦合器等替代器件的出色性能特征。
这些器件的传播延迟为20 ns，C级脉冲宽度失真小于2 ns。
C级还具有5 ns的严格通道间匹配。ADuM128x的双通道属
于独立式隔离通道，提供两种配置选择、三种不同数据速
率，最高可达100 Mbps(见订购指南)。工业级型号可采用2.7 V
至5.5 V电源电压工作，而汽车级型号可采用3.0 V至5.5 V电
源电压工作，与低压系统兼容，并且能够跨越隔离栅实现
电压转换功能。与其它光耦合器不同，ADuM128x隔离器
具有已取得专利的刷新特性，可确保不存在输入逻辑转换
时的直流正确性。首次上电或尚未在输入端施加电源时，
ADuM1280和ADuM1281默认输出高电平，ADuM1285和
ADuM1286则默认输出低电平。
VIORM = 560 V峰值
通过汽车应用认证
应用
有 关 安 全 和 法 规 认 证 的 更 多 信 息 ， 请 访 问
http://www.analog.com/icouplersafety。
通用多通道隔离
数据转换器隔离
工业现场总线隔离
混合动力汽车、电池监控器和电机驱动
VDD1 1
ADuM1280/
ADuM1285
8
VDD2
VDD1 1
8
VDD2
ENCODE
DECODE
7
VOA
VOA 2
DECODE
ENCODE
7
VIA
VIB 3
ENCODE
DECODE
6
VOB
VIB 3
ENCODE
DECODE
6
VOB
5
GND2
5
GND2
10444-001
VIA 2
GND1 4
GND1 4
图1. ADuM1280/ADuM1285
1
ADuM1281/
ADuM1286
10444-002
功能框图
图2. ADuM1281/ADuM1286
受美国专利第5,952,849号、6,873,065号、6,903,578号和7,075,329号保护，其他专利正在申请中。
Rev. B
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的最新英文版数据手册。
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
目录
特性.................................................................................................. 1
应用.................................................................................................. 1
概述.................................................................................................. 1
功能框图 ......................................................................................... 1
修订历史 ......................................................................................... 2
技术规格 ......................................................................................... 3
电气特性—5 V电源供电(所有等级产品)........................... 3
电气特性—3 V电源供电(A、B和C级) ............................... 4
电气特性—混合5 V/3 V电源供电(A、B和C级)............... 5
电气特性—混合3 V/5 V电源供电(A、B和C级)............... 6
电气特性—3 V电源供电(WA、WB和WC级) ................... 7
电气特性—混合5 V/3 V电源供电(WA、WB和WC级)... 8
电气特性—混合3 V/5 V电源供电(WA、WB和WC级)... 9
封装特性.................................................................................. 10
法规信息.................................................................................. 10
隔离和安全相关特性............................................................ 10
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：
2006-12隔离特性.................................................................... 11
建议工作条件 ......................................................................... 11
绝对最大额定值.......................................................................... 12
ESD警告................................................................................... 12
引脚配置和功能描述 ................................................................. 13
典型性能参数 .............................................................................. 15
应用信息 ....................................................................................... 16
PCB布局................................................................................... 16
传播延迟相关参数 ................................................................ 16
直流正确性和磁场抗扰度 ................................................... 16
功耗 .......................................................................................... 17
隔离寿命.................................................................................. 18
外形尺寸 ....................................................................................... 19
订购指南.................................................................................. 19
汽车应用级产品..................................................................... 19
修订历史
2014年3月—修订版A至修订版B
更改特性 ......................................................................................... 1
更改法规信息部分和表23 ........................................................ 10
更改表24 ....................................................................................... 10
2013年3月—修订版0至修订版A
更改“产品特性”部分、“应用”部分和“概述”部分 ................. 1
增加表13至表21，重新排序 ...................................................... 7
更改表26 ....................................................................................... 11
更改表29和表30 .......................................................................... 13
更改“订购指南”部分.................................................................. 19
增加“汽车应用级产品”部分..................................................... 19
2012年5月—修订版0：初始版
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ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
技术规格
电气特性—5 V电源供电(所有等级产品)
所有典型规格在TA = 25°C、VDD1 = VDD2 = 5 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：4.5 V ≤ VDD1
≤ 5.5 V、4.5 V ≤ VDD2 ≤ 5.5 V、−40°C ≤ TA ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为CL = 15 pF和CMOS信号电平。
表1.
参数
开关规格
脉冲宽度
数据速率
传播延迟
脉冲宽度失真
温度变化率
传播延迟偏斜
通道匹配
同向
反向
抖动
符号
A级
最小值 典型值 最大值
B级
最小值 典型值 最大值
C级
最小值 典型值 最大值
PW
1000
40
10
1
50
10
tPHL, tPLH
PWD
25
35
3
7
13
18
100
24
2
1.5
3
单位
测试条件
ns
Mbps
ns
ns
在PWD限值内
在PWD限值内
50%输入至50%输出
|tPLH − tPHL|
ps/°C
tPSK
38
12
9
ns
tPSKCD
tPSKOD
5
10
3
6
2
5
ns
ns
ns
2
1
2
同样工作条件下的任意两个
单位之间
表2.
参数
电源电流
ADuM1280/ADuM1285
ADuM1281/ADuM1286
符号
1 Mbps—A、B、C级
最小值 典型值 最大值
IDD1
IDD2
IDD1
IDD2
1.1
2.7
2.1
2.3
25 Mbps—B级
100 Mbps—B级
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位
1.6
4.5
2.6
2.9
6.2
4.8
4.9
4.7
7.0
7.0
6.0
6.4
20
9.5
15
15.6
25
15
19
19
测试条件
空载
mA
mA
mA
mA
表3. 适用于所有型号
参数
直流规格
逻辑高电平输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
最小值
VIH
VIL
VOH
0.7 VDDx
逻辑低电平输出电压
VOL
每个通道的输入电流
每个通道的电源电流
静态输入电源电流
静态输出电源电流
动态输入电源电流
动态输出电源电流
欠压闭锁
正VDDx阈值
负VDDx阈值
VDDx迟滞
II
交流规格
输出上升/下降时间
共模瞬变抗扰度1
刷新周期
1
典型值
最大值
0.3 VDDx
VDDx − 0.1
VDDx − 0.4
−10
5.0
4.8
0.0
0.2
+0.01
0.1
0.4
+10
测试条件
V
V
V
V
V
V
µA
IOx = −20 µA, VIx = VIxH
IOx = −4 mA, VIx = VIxH
IOx = 20 µA, VIx = VIxL
IOx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx
IDDI(Q)
IDDO(Q)
IDDI(D)
IDDO(D)
0.54
1.6
0.09
0.04
VDDXUV+
VDDXUVVDDXUVH
2.6
2.4
0.2
V
V
V
2.5
35
ns
kV/µs
1.6
µs
tR/tF
|CM|
tr
25
0.8
2.0
单位
mA
mA
mA/Mbps
mA/Mbps
|CM|是在维持Vo > 0.8 VDDx时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。
Rev. B | Page 3 of 20
10%至90%
VIx = VDDx，VCM = 1000 V，
瞬变幅度 = 800 V
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
电气特性—3 V电源供电(A、B和C级)
所有典型规格在TA = 25°C、VDD1 = VDD2 = 3.0 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：2.7 V ≤ VDD1
≤ 3.6 V、2.7 V ≤ VDD2 ≤ 3.6 V、−40°C ≤ TA ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为CL = 15 pF和CMOS信号电平。
表4.
参数
开关规格
脉冲宽度
数据速率
传播延迟
脉冲宽度失真
温度变化率
传播延迟偏斜
通道匹配
同向
反向
抖动
符号
A级
B级
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
C级
最小值 典型值 最大值 单位
PW
1000
10
40
1
50
10
tPHL, tPLH
PWD
25
35
3
7
20
25
2.5
ns
Mbps
ns
ns
100
33
1.5
3
38
16
12
ns
tPSKCD
tPSKOD
5
10
3
6
2.5
5
ns
ns
ns
1
2
在PWD限值内
在PWD限值内
50%输入至50%输出
|tPLH − tPHL|
ps/°C
tPSK
2
测试条件
同样工作条件下的任意
两个单位之间
7 Codirectional channel matching is the absolute value of the difference in propagation delays between any two channels with in
puts on the same side of the isolation barrier. Opposing-directional channel matching is the absolute value of the difference in propagation delays between any two channels with inputs on opposing sides of the isolation barrier.
表5.
参数
电源电流
ADuM1280/ADuM1285
ADuM1281/ADuM1286
符号
1 Mbps—A、B、C级
最小值 典型值 最大值
IDD1
IDD2
IDD1
IDD2
0.75
2.0
1.6
1.7
25 Mbps—B、C级
最小值 典型值 最大值
1.4
3.5
2.1
2.3
5.1
2.7
3.8
3.9
9.0
4.6
5.0
6.2
100 Mbps—C级
最小值 典型值 最大值 单位
17
4.8
11
11
23
9
15
15
测试条件
空载
mA
mA
mA
mA
表6. 适用于所有型号
参数
直流规格
逻辑高电平输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
最小值
VIH
VIL
VOH
0.7 VDDx
逻辑低电平输出电压
VOL
每个通道的输入电流
每个通道的电源电流
静态输入电源电流
静态输出电源电流
动态输入电源电流
动态输出电源电流
欠压闭锁
正VDDx阈值
负VDDx阈值
VDDX迟滞
II
交流规格
输出上升/下降时间
共模瞬变抗扰度1
刷新周期
1
典型值
最大值
0.3 VDDx
VDDx − 0.1
VDDx − 0.4
−10
3.0
2.8
0.0
0.2
+0.01
0.1
0.4
+10
测试条件
V
V
V
V
V
V
µA
IOx = −20 µA, VIx = VIxH
IOx = −4 mA, VIx = VIxH
IOx = 20 µA, VIx = VIxL
IOx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx
IDDI(Q)
IDDO(Q)
IDDI(D)
IDDO(D)
0.4
1.2
0.08
0.015
VDDxUV+
VDDxUV−
VDDxUVH
2.6
2.4
0.2
V
V
V
3
35
ns
kV/µs
1.6
µs
tR/tF
|CM|
tr
25
0.6
1.7
单位
mA
mA
mA/Mbps
mA/Mbps
|CM|是在维持Vo > 0.8 VDDX时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。
Rev. B | Page 4 of 20
10%至90%
VIx = VDDx，VCM = 1000 V，
瞬变幅度 = 800 V
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
电气特性—混合5 V/3 V电源供电(A、B和C级)
所有典型规格在TA = 25°C、VDD1 = 5V、VDD2 = 3.0 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：4.5 V ≤
VDD1 ≤ 5.5 V、2.7 V ≤ VDD2 ≤ 3.6 V、−40°C ≤ TA ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为CL = 15 pF和CMOS信号电平。
表7.
参数
开关规格
脉冲宽度
数据速率
传播延迟
脉冲宽度失真
温度变化率
传播延迟偏斜
通道匹配
同向
反向
抖动
符号
A级
最小值 典型值 最大值
B级
最小值 典型值 最大值
C级
最小值 典型值 最大值
PW
1000
40
10
1
50
10
tPHL, tPLH
PWD
25
35
3
7
13
20
单位
测试条件
2
ns
Mbps
ns
ns
在PWD限值内
在PWD限值内
50%输入至50%输出
|tPLH − tPHL|
100
26
1.5
3
ps/0C
tPSK
38
16
12
ns
tPSKCD
tPSKOD
5
10
3
6
2
5
ns
ns
ns
2
1
2
同样工作条件下的任意
两个单位之间
7 Codirectional channel matching is the absolute value of the difference in propagation delays between any two channels with in
puts on the same side of the isolation barrier.
-directional
Opposingchannel
absolute
matching
valueis of
thethe difference in propagation delays between any two channels with inputs on opposing sides of the isolatio
n barrier.
表8.
参数
电源电流
ADuM1280/ADuM1285
ADuM1281/ADuM1286
符号
1 Mbps—A、B、C级
最小值 典型值 最大值
IDD1
IDD2
IDD1
IDD2
1.1
2.0
2.1
1.7
25 Mbps—B、C级
最小值 典型值 最大值
1.6
3.5
2.6
2.3
6.2
2.7
4.9
3.9
7.0
4.6
6.0
6.2
100 Mbps—C级
最小值 典型值 最大值 单位
20
4.8
15
11
25
9.0
19
15
测试条件
空载
mA
mA
mA
mA
表9. 适用于所有型号
参数
直流规格
逻辑高电平输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
最小值
VIH
VIL
VOH
0.7 VDDx
逻辑低电平输出电压
VOL
每个通道的输入电流
每个通道的电源电流
静态输入电源电流
静态输出电源电流
动态输入电源电流
动态输出电源电流
欠压闭锁
正VDDX阈值
负VDDX阈值
VDDX迟滞
II
交流规格
输出上升/下降时间
共模瞬变抗扰度1
刷新周期
1
典型值
最大值
0.3 VDDx
VDDx − 0.1
VDDx − 0.4
−10
VDDx
VDDx − 0.2
0.0
0.2
+0.01
0.1
0.4
+10
单位
测试条件
V
V
V
V
V
V
µA
IOx = −20 µA, VIx = VIxH
IOx = −4 mA, VIx = VIxH
IOx = 20 µA, VIx = VIxL
IOx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx
IDDI(Q)
IDDO(Q)
IDDI(D)
IDDO(D)
0.54
1.2
0.09
0.02
VDDxUV+
VDDxUV−
VDDxUVH
2.6
2.4
0.2
V
V
V
2.5
35
ns
kV/µs
1.6
µs
tR/tF
|CM|
tr
25
0.75
2.0
mA
mA
mA/Mbps
mA/Mbps
|CM|是在维持Vo > 0.8 VDDX时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。
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10% to 90%
VIx = VDDx，VCM = 1000 V，
瞬变幅度 = 800 V
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
电气特性—混合3 V/5 V电源供电(A、B和C级)
所有典型规格在TA = 25°C、VDD1 = 3.0 V、VDD2 = 5 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：2.7 V ≤
VDD1 ≤ 3.6 V、4.5 V ≤ VDD2 ≤ 5.5 V、−40°C ≤ TA ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为CL=15 pF和CMOS信号电平。
表10.
参数
开关规格
脉冲宽度
数据速率
传播延迟
脉冲宽度失真
温度变化率
传播延迟偏斜
符号
A级
最小值 典型值 最大值
B级
C级
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位
PW
1000
40
tPHL, tPLH
PWD
25
35
3
7
通道匹配
同向
反向
抖动
10
1
50
10
16
3
24
100
30
2.5
1.5
tPSK
38
16
12
tPSKCD
tPSKOD
5
10
3
6
2.5
5
2
2
1
ns
Mbps
ns
ns
ps/0C
ns
测试条件
在PWD限值内
在PWD限值内
50%输入至50%输出
|tPLH − tPHL|
同样工作条件下的任意
两个单位之间
ns
ns
ns
-
表11.
参数
电源电流
ADuM1280/ADuM1285
ADuM1281/ADuM1286
符号
1 Mbps—A、B、C级
最小值 典型值 最大值
IDD1
IDD2
IDD1
IDD2
0.75
2.7
1.6
1.7
25 Mbps—B、C级
最小值 典型值 最大值
1.4
4.5
2.1
2.3
5.1
4.8
3.8
3.9
9.0
7.0
5.0
6.2
100 Mbps—C级
最小值 典型值 最大值 单位
17
9.5
11
11
23
15
15
15
测试条件
空载
mA
mA
mA
mA
表12. 适用于所有型号
参数
直流规格
逻辑高电平输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
最小值
VIH
VIL
VOH
0.7 VDDx
逻辑低电平输出电压
VOL
每个通道的输入电流
每个通道的电源电流
静态输入电源电流
静态输出电源电流
动态输入电源电流
动态输出电源电流
欠压闭锁
正VDDX阈值
负VDDX阈值
VDDX迟滞
II
交流规格
输出上升/下降时间
共模瞬变抗扰度1
刷新周期
1
典型值
最大值
0.3 VDDx
VDDx − 0.1
VDDx − 0.4
−10
VDDx
VDDx − 0.2
0.0
0.2
+0.01
0.1
0.4
+10
测试条件
V
V
V
V
V
V
µA
IOx = −20 µA, VIx = VIxH
IOx = −4 mA, VIx = VIxH
IOx = 20 µA, VIx = VIxL
IOx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx
IDDI(Q)
IDDO(Q)
IDDI(D)
IDDO(D)
0.4
1.6
0.08
0.03
VDDxUV+
VDDxUV−
VDDxUVH
2.6
2.4
0.2
V
V
V
2.5
35
ns
kV/µs
1.6
µs
tR/tF
|CM|
tr
25
0.75
2.0
单位
mA
mA
mA/Mbps
mA/Mbps
|CM|是在维持Vo > 0.8 VDDX时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。
Rev. B | Page 6 of 20
10%至90%
VIx = VDDx，VCM = 1000 V，
瞬变幅度 = 800 V
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
电气特性—3 V电源供电(WA、WB和WC级)
所有典型规格在TA = 25°C、VDD1 = VDD2 = 3.0 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：3.0 V ≤ VDD1
≤ 3.6 V、3.0 V ≤ VDD2 ≤ 3.6 V、−40°C ≤ TA ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为CL = 15 pF和CMOS信号电平。
表13.
参数
开关规格
脉冲宽度
数据速率
传播延迟
脉冲宽度失真
温度变化率
传播延迟偏斜
通道匹配
同向
反向
抖动
符号
WA级
最小值 典型值 最大值
WB级
WC级
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位
PW
1000
40
10
1
50
10
tPHL, tPLH
PWD
25
35
3
7
20
3
25
100
33
2.5
1.5
tPSK
38
16
12
tPSKCD
tPSKOD
5
10
3
6
2.5
5
2
2
1
ns
Mbps
ns
ns
ps/°C
ns
测试条件
在PWD限值内
在PWD限值内
50%输入至50%输出
|tPLH − tPHL|
同样工作条件下的任意
两个单位之间
ns
ns
ns
ation barrier.
表14.
参数
电源电流
ADuM1280/ADuM1285
ADuM1281/ADuM1286
符号
1 Mbps–WA, WB, WC级
最小值 典型值 最大值
IDD1
IDD2
IDD1
IDD2
0.75
2.0
1.6
1.7
25 Mbps–WB, WC级
最小值 典型值 最大值
1.4
3.5
2.1
2.3
5.1
2.7
3.8
3.9
9.0
4.6
5.0
6.2
100 Mbps–WC级
最小值 典型值 最大值 单位
17
4.8
11
11
23
9
15
15
测试条件
空载
mA
mA
mA
mA
表15. 适用于所有型号
参数
直流规格
逻辑高电平输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
最小值
VIH
VIL
VOH
0.7 VDDx
逻辑低电平输出电压
VOL
每个通道的输入电流
每个通道的电源电流
静态输入电源电流
静态输出电源电流
动态输入电源电流
动态输出电源电流
欠压闭锁
正VDDx阈值
负VDDx阈值
VDDX迟滞
II
交流规格
输出上升/下降时间
共模瞬变抗扰度1
刷新周期
1
典型值
最大值
0.3 VDDx
VDDx − 0.1
VDDx − 0.4
−10
3.0
2.8
0.0
0.2
+0.01
0.1
0.4
+10
测试条件
V
V
V
V
V
V
µA
IOx = −20 µA, VIx = VIxH
IOx = −4 mA, VIx = VIxH
IOx = 20 µA, VIx = VIxL
IOx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx
IDDI(Q)
IDDO(Q)
IDDI(D)
IDDO(D)
0.4
1.2
0.08
0.015
VDDxUV+
VDDxUV−
VDDxUVH
2.6
2.4
0.2
V
V
V
3
35
ns
kV/µs
1.6
µs
tR/tF
|CM|
tr
25
0.6
1.7
单位
mA
mA
mA/Mbps
mA/Mbps
|CM|是在维持Vo > 0.8 VDDX时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。
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10%至90%
VIx = VDDx，VCM = 1000 V，
瞬变幅度 = 800 V
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
电气特性—混合5 V/3 V电源供电(WA、WB和WC级)
所有典型规格在TA = 25°C、VDD1 = 5V、VDD2 = 3.0 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：4.5 V ≤
VDD1 ≤ 5.5 V、3.0 V ≤ VDD2 ≤ 3.6 V、−40°C ≤ TA ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为CL = 15 pF和CMOS信号电平。
表16.
参数
开关规格
脉冲宽度
数据速率
传播延迟
脉冲宽度失真
温度变化率
传播延迟偏斜
通道匹配
同向
反向
抖动
符号
WA级
最小值 典型值 最大值
WB级
最小值 典型值 最大值
WC级
最小值 典型值 最大值 单位
PW
1000
40
10
1
50
10
tPHL, tPLH
PWD
25
35
3
7
13
3
20
100
26
2
1.5
tPSK
38
16
12
tPSKCD
tPSKOD
5
10
3
6
2
5
2
2
1
ns
Mbps
ns
ns
ps/0C
ns
测试条件
在PWD限值内
在PWD限值内
50%输入至50%输出
|tPLH − tPHL|
同样工作条件下的任意
两个单位之间
ns
ns
ns
n barrier.
表17.
参数
电源电流
ADuM1280/ADuM1285
ADuM1281/ADuM1286
符号
1 Mbps–WA, WB, WC级
最小值 典型值 最大值
IDD1
IDD2
IDD1
IDD2
1.1
2.0
2.1
1.7
25 Mbps–WB, WC级
最小值 典型值 最大值
1.6
3.5
2.6
2.3
6.2
2.7
4.9
3.9
7.0
4.6
6.0
6.2
100 Mbps–WC级
最小值 典型值 最大值 单位
20
4.8
15
11
25
9.0
19
15
测试条件
空载
mA
mA
mA
mA
表18. 适用于所有型号
参数
直流规格
逻辑高电平输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
最小值
VIH
VIL
VOH
0.7 VDDx
逻辑低电平输出电压
VOL
每个通道的输入电流
每个通道的电源电流
静态输入电源电流
静态输出电源电流
动态输入电源电流
动态输出电源电流
欠压闭锁
正VDDx阈值
负VDDx阈值
VDDX迟滞
II
交流规格
输出上升/下降时间
共模瞬变抗扰度1
刷新周期
1
典型值
最大值
0.3 VDDx
VDDx − 0.1
VDDx − 0.4
−10
VDDx
VDDx − 0.2
0.0
0.2
+0.01
0.1
0.4
+10
单位
测试条件
V
V
V
V
V
V
µA
IOx = −20 µA, VIx = VIxH
IOx = −4 mA, VIx = VIxH
IOx = 20 µA, VIx = VIxL
IOx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx
IDDI(Q)
IDDO(Q)
IDDI(D)
IDDO(D)
0.54
1.2
0.09
0.02
VDDxUV+
VDDxUV−
VDDxUVH
2.6
2.4
0.2
V
V
V
2.5
35
ns
kV/µs
1.6
µs
tR/tF
|CM|
tr
25
0.75
2.0
mA
mA
mA/Mbps
mA/Mbps
|CM|是在维持Vo > 0.8 VDDX时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。
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10%至90%
VIx = VDDx，VCM = 1000 V，
瞬变幅度 = 800 V
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
电气特性—混合3 V/5 V电源供电(WA、WB和WC级)
所有典型规格在TA = 25°C、VDD1 = 3.0 V、VDD2 = 5 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：3.0 V ≤
VDD1 ≤ 3.6 V、4.5 V ≤ VDD2 ≤ 5.5 V、−40°C ≤ TA ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为CL=15 pF和CMOS信号电平。
表19.
参数
开关规格
脉冲宽度
数据速率
传播延迟
脉冲宽度失真
温度变化率
传播延迟偏斜
通道匹配
同向
反向
抖动
符号
WA级
最小值 典型值 最大值
WB级
最小值 典型值 最大值
WC级
最小值 典型值 最大值
PW
1000
40
10
1
50
10
tPHL, tPLH
PWD
25
35
3
7
16
3
24
100
30
2.5
1.5
tPSK
38
16
12
tPSKCD
tPSKOD
5
10
3
6
2.5
5
2
2
1
单位
测试条件
ns
Mbps
ns
ns
ps/0C
ns
在PWD限值内
在PWD限值内
50%输入至50%输出
|tPLH − tPHL|
同样工作条件下的任意
两个单位之间
ns
ns
ns
7
表20.
参数
电源电流
ADuM1280/ADuM1285
ADuM1281/ADuM1286
符号
1 Mbps–WA, WB, WC级
最小值 典型值 最大值
IDD1
IDD2
IDD1
IDD2
0.75
2.7
1.6
1.7
25 Mbps–WB, WC级
最小值 典型值 最大值
1.4
4.5
2.1
2.3
5.1
4.8
3.8
3.9
9.0
7.0
5.0
6.2
100 Mbps–WC级
最小值 典型值 最大值 单位
17
9.5
11
11
23
15
15
15
测试条件
空载
mA
mA
mA
mA
表21. 适用于所有型号
参数
直流规格
逻辑高电平输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
符号
最小值
VIH
VIL
VOH
0.7 VDDx
逻辑低电平输出电压
VOL
每个通道的输入电流
每个通道的电源电流
静态输入电源电流
静态输出电源电流
动态输入电源电流
动态输出电源电流
欠压闭锁
正VDDX阈值
负VDDX阈值
VDDX迟滞
II
交流规格
输出上升/下降时间
共模瞬变抗扰度1
刷新周期
1
典型值
最大值
0.3 VDDx
VDDx − 0.1
VDDx − 0.4
−10
VDDx
VDDx − 0.2
0.0
0.2
+0.01
V
V
V
V
V
V
µA
IOx = −20 µA, VIx = VIxH
IOx = −4 mA, VIx = VIxH
IOx = 20 µA, VIx = VIxL
IOx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx
0.03
mA
mA
mA/Mbps
mA/Mbps
VDDxUV+
VDDxUV−
VDDxUVH
2.6
2.4
0.2
V
V
V
2.5
35
ns
kV/µs
1.6
µs
tr
25
0.75
2.0
测试条件
IDDI(Q)
IDDO(Q)
IDDI(D)
IDDO(D)
tR/tF
|CM|
0.4
1.6
0.08
0.1
0.4
+10
单位
|CM|是在维持Vo > 0.8 VDDX时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。
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10%至90%
VIx = VDDx，VCM = 1000 V，
瞬变幅度 = 800 V
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
封装特性
表22.
参数
电阻(输入至输出)1
电容(输入至输出)1
输入电容2
IC结至环境热阻
1
2
符号
RI-O
CI-O
CI
θJA
最小值 典型值 最大值
1013
2
4.0
85
单位
Ω
pF
pF
°C/W
测试条件
f = 1 MHz
热电偶位于封装底部正中间
假设器件为双端器件；引脚1至引脚4短接，引脚5至引脚8短接。
输入电容是从任意输入数据引脚到地的容值。
法规信息
ADuM128x已获得表23所列机构的认证。
关于特定交叉隔离波形和绝缘水平下的推荐最大工作电压，请参阅表27和表28。
表23.
UL
UL 1577器件认可程序认可1
CSA
CSA元件验收通知#5A批准
单一保护，3,000 V RMS隔离电压
基本绝缘符合CSA 60950-1-03和IEC 60950-1
标准，390 V rms(550 V峰值)最大工作电压
文件205078
文件E214100
1
2
VDE
进行DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10)
认证： 2006-122
加强绝缘，560 V峰值
文件2471900-4880-0001
依据UL1577，每个ADuM128x都经过1秒钟绝缘测试电压≥ 3,600 V rms的验证测试(漏电流检测限值为6μA)。
依据DIN V VDE V 0884-10，每个ADuM128x器件都经过1秒钟绝缘测试电压≥1050 V峰值的验证测试(局部放电检测限值为5 pC)。器件上的星号(*)标志表示
通过DIN V VDE V 0884-10认证。
隔离和安全相关特性
表24.
参数
额定电介质隔离电压
PCB层中的间隙
符号
CLPCB
值
3000
4.5
最小外部气隙(间隙)
L(I01)
4.0
最小外部爬电距离
L(I02)
4.0
0.017
最小内部间隙
漏电阴抗(相对漏电指数)
隔离组
CTI
>400
II
单位
V rms
mm，
最小值
mm，
最小值
mm，
最小值
mm，
最小值
V
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条件
持续1分钟
测量输入端至输出端，PCB层中的隔空最短线路
距离
测量输入端至输出端，隔空最短距离
测量输入端至输出端，沿壳体最短距离
隔离距离
DIN IEC 112/VDE 0303第1部分
材料组(DIN VDE 0110，1/89，表1)
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12绝缘特性
这些隔离器适合安全限制数据范围内的加强电气隔离。通过保护电路保持安全数据。封装上的星号(*)标志表示通过DIN V VDE V
0884-10认证。
表25.
描述
DIN VDE 0110装置分类
额定电源电压≤ 150 V rms
额定电源电压≤ 300 V rms
额定电源电压≤ 400 V rms
环境分类
污染度(DIN VDE 0110，表1)
最大工作绝缘电压
输入至输出测试电压，方法B1
条件
VIORM × 1.875 = Vpd(m)，100%生产测试，
tini = tm = 1秒，局部放电 < 5 pC
输入至输出测试电压，方法A
跟随环境测试，子类1
VIORM × 1.5 = Vpd(m)，tini = 60秒，tm = 10秒，
局部放电 < 5 pC
VIORM × 1.2 = Vpd(m)，tini = 60秒，tm = 10秒，
局部放电 < 5 pC
跟随输入和/或安全测试，子类2和子类3
最高允许过压
耐受隔离电压
浪涌隔离电压
安全限值
壳温
第1侧IDD1电流
TS上的绝缘电阻
1分钟耐受额定值
VPEAK = 10 kV，1.2 µs上升时间，50 µs，50%下降时间
出现故障时允许的最大值(见图3)
VIO = 500 V
特性
单位
VIORM
Vpd(m)
I至IV
I至III
I至II
40/105/21
2
560
1050
VPEAK
VPEAK
Vpd(m)
840
VPEAK
Vpd(m)
672
VPEAK
VIOTM
VISO
VIOSM
4000
3000
6000
VPEAK
VRMS
VPEAK
TS
IS1
RS
150
290
>109
°C
mA
Ω
建议工作条件
300
表26.
250
参数
工作温度
电源电压1
A、B和C级
WA、WB和WC级
输入信号上升和下降时间
200
150
100
1
0
0
50
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
200
符号
TA
VDD1, VDD2
参见“直流正确性和磁场抗扰度”部分。
50
10444-003
SAFETY-LIMITING CURRENT (mA)
符号
图3. VDDx = 5 V时热减额曲线，依据DIN V VDE V 0884-10获得的
安全限值与壳温的关系
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最小值 最大值 单位
−40
+1 25 °C
2.7
3.0
5.5
5.5
1.0
V
V
ms
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
绝对最大额定值
除非另有说明，TA = 25°C。
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性
损坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其
它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器
件能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影
响器件的可靠性。
表27.
参数
存储温度(TST)范围
工作环境温度(TA)范围
电源电压（VDD1、VDD2）
输入电压（VIA、VIB）
输出电压（VOA、VOB）
每个引脚的平均输出电流1
第1侧(IO1)
第2侧(IO2)
共模瞬变2
1
2
额定值
−65°C至+150°C
−40°C至+125°C
−0.5 V至+7.0 V
−0.5 V至VDD1 + 0.5 V
−0.5 V至VDD2 + 0.5 V
−10 mA至+10 mA
−10 mA至+10 mA
−100 kV/μs至+100 kV/μs
不同温度下的最大额定电流值参见图3。
指隔离栅上的共模瞬变。超过绝对最大额定值的共模瞬变可能导致闩锁或
永久损坏。
表28. 最大连续工作电压1
参数
交流电压，双极性波形
交流电压，单极性波形
基本绝缘
增强绝缘
直流电压
基本绝缘
增强绝缘
1
最大值 单位
565
V峰值
约束条件
最少50年寿命
1131
560
V峰值
V峰值
IEC 60950-1最大认证工作电压
IEC 60950-1和VDE V 0884-10最大认证工作电压
1131
560
V峰值
V峰值
IEC 60950-1最大认证工作电压
IEC 60950-1和VDE V 0884-10最大认证工作电压
指隔离栅上的连续电压幅度。详情见隔离寿命摂部分。
ESD警告
ESD(静电放电)敏感器件。
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽
管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量
ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD
防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。
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ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
VDD1 1
VIA 2
VIB 3
GND1 4
ADuM1280/
ADuM1285
8
VDD2
7
VOA
TOP VIEW
(Not to Scale)
6
VOB
5
GND2
10444-004
引脚配置和功能描述
图4. ADuM1280/ADuM1285引脚配置
图29. ADuM1280/ADuM1285引脚功能描述
引脚名称
VDD1
VIA
VIB
GND1
GND2
VOB
VOA
VDD2
描述
隔离器第1侧的电源电压(A、B和C级为2.7 V至5.5 V；WA、WB和WC级为3.0 V至5.5 V)。
逻辑输入A。
逻辑输入B。
地1。隔离器第1侧的接地基准点。
地2。隔离器第2侧的接地基准点。
逻辑输出B。
逻辑输出A。
隔离器第2侧的电源电压(A、B和C级为2.7 V至5.5 V；WA、WB和WC级为3.0 V至5.5 V)。
VDD1 1
VOA 2
VIB 3
GND1 4
ADuM1281/
ADuM1286
8
VDD2
7
VIA
TOP VIEW
(Not to Scale)
6
VOB
5
GND2
10444-005
引脚编号
1
2
3
4
5
6
7
8
图5. ADuM1281/ADuM1286引脚配置
图30. ADuM1281/ADuM1286引脚功能描述
引脚编号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
VDD1
VOA
VIB
GND1
GND2
VOB
VIA
VDD2
描述
隔离器第1侧的电源电压(A、B和C级为2.7 V至5.5 V；WA、WB和WC级为3.0 V至5.5 V)。
逻辑输出A。
逻辑输入B。
地1。隔离器第1侧的接地基准点。
地2。隔离器第2侧的接地基准点。
逻辑输出B。
逻辑输入A。
隔离器第2侧的电源电压(A、B和C级为2.7 V至5.5 V；WA、WB和WC级为3.0 V至5.5 V)。
关于特定布局原则，请参考AN-1109应用笔记：“iCoupler器件的辐射控制建议。”
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ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
表31. ADuM1280真值表(正逻辑)
VIA 输入
H
L
H
L
L
VIB 输入
H
L
L
H
L
VDD1 状态
上电
上电
上电
上电
未上电
VDD2 状态
上电
上电
上电
上电
上电
VOA 输出
H
L
H
L
H
VOB 输出
H
L
L
H
H
X
X
上电
未上电
不确定
不确定
注释
输出在VDDI电源恢复后的1.6 μs内恢复到
输入状态。
输出在VDDO电源恢复后的1.6 μs内恢复到
输入状态。
表32. ADuM1281真值表(正逻辑)
VIA 输入
H
L
H
L
X
VIB 输入
H
L
L
H
L
VDD1 状态
上电
上电
上电
上电
未上电
VDD2 状态
上电
上电
上电
上电
上电
VOA 输出
H
L
H
L
不确定
VOB 输出
H
L
L
H
H
L
X
上电
未上电
H
不确定
注释
输出在VDD1电源恢复后的1.6 µs内返回到
输入状态。
输出在VDDO电源恢复后的1.6 μs内恢复到
输入状态。
表33. ADuM1285真值表(正逻辑)
VIA 输入
H
L
H
L
L
VIB 输入
H
L
L
H
L
VDD1 状态
上电
上电
上电
上电
未上电
VDD2 状态
上电
上电
上电
上电
上电
VOA 输出
H
L
H
L
L
VOB 输出
H
L
L
H
L
X
X
上电
未上电
不确定
不确定
注释
输出在VDDI电源恢复后的1.6 μs内恢复到
输入状态。
输出在VDDO电源恢复后的1.6 μs内恢复到
输入状态。
表34. ADuM1286真值表(正逻辑)
VIA 输入
H
L
H
L
X
VIB 输入
H
L
L
H
L
VDD1 状态
上电
上电
上电
上电
未上电
VDD2 状态
上电
上电
上电
上电
上电
VOA 输出
H
L
H
L
不确定
VOB 输出
H
L
L
H
L
L
X
上电
未上电
L
不确定
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注释
输出在VDD1电源恢复后的1.6 µs内返回到
输入状态。
输出在VDDO电源恢复后的1.6 μs内恢复到
输入状态。
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
典型性能参数
10
20
8
CURRENT (mA)
CURRENT (mA)
15
6
5V
3V
4
5V
10
3V
5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
DATA RATE (Mbps)
0
10444-006
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
DATA RATE (Mbps)
图6. 5 V和3 V电源下每个输入通道的典型
电源电流与数据速率的关系
10444-009
2
图9. 5 V和3 V电源下ADuM1280或ADuM1285典型
VDD1 电源电流与数据速率的关系
10
20
8
CURRENT (mA)
CURRENT (mA)
15
6
4
5V
10
5V
5
2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
DATA RATE (Mbps)
0
10444-007
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
DATA RATE (Mbps)
图7. 5 V和3 V电源下每个输出通道的典型
电源电流与数据速率的关系(无输出负载)
10444-010
3V
3V
图10. 5 V和3 V电源下ADuM1280或ADuM1285典型
VDD2 电源电流与数据速率的关系
10
20
8
CURRENT (mA)
6
5V
4
10
5V
3V
5
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
DATA RATE (Mbps)
90
100
图8. 5 V和3 V电源下每个输出通道的典型
电源电流与数据速率的关系(15 pF输出负载)
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
DATA RATE (Mbps)
图11. 5 V和3 V电源下ADuM1281或ADuM1286典型
VDD1 或VDD2 电源电流与数据速率的关系
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100
10444-011
3V
10444-008
CURRENT (mA)
15
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
应用信息
直流正确性和磁场抗扰度
PCB布局
ADuM128x数字隔离器的逻辑接口不需要外部接口电路。
强烈建议在输入和输出供电引脚VDD1和VDD2上进行电源旁
路(见图12)。电容值应在0.01 µF和0.1 µF之间。电容两端到
输入电源引脚的走线总长应该小于20 mm。
如果PCB设计选择得当，ADuM128x很容易满足CISPR 22
Class A(和FCC Class A)辐射标准，甚至能够满足更严格的
无屏蔽环境CISPR 22 Class B(和FCC Class B)标准。有关PCB
相关的抗电磁辐射技术，包括电路板布局和堆叠问题，请
参见AN-1109应用笔记：“iCoupler器件的辐射控制建议”。
传播延迟相关参数
传播延迟是衡量逻辑信号穿过器件所需时间的参数。高到
低转换的输入至输出传播延迟时间可能不同于低到高转换
的传播延迟时间。
50%
10444-012
tPHL
OUTPUT (VOx)
该器件磁场抗扰度的限制由变压器接收线圈中的感应电压
状态决定，电压足够大就会错误地置位或复位解码器。下
面的分析可说明此情况。在3 V工作条件下检测ADuM1280，
这是最易受干扰的工作模式。
变压器输出端的脉冲幅度大于1.5 V。解码器的检测阈值大
约是1.0 V，因此有一个0.5 V的噪声容限。接收线圈上的感
应电压由以下公式计算：
50%
tPLH
如果解码器在超过大约6.4 µs没有接收到脉冲，则输入侧认
为没有供电或者无效，在这种情况下，隔离器的输出被看
门狗计时电路强制设置为默认低电平状态。
图12. 传播延迟参数
脉冲宽度失真指这两个传播延迟值的最大差异，反映了输
入信号时序的保持精度。
通道间匹配指单个ADuM128x器件内各通道的传播延迟之
间的最大差异。
其中：
β是磁通密度。
rn是接收线圈第n圈的半径。
N是接收线圈匝数。
给定ADuM1280接收线圈几何形状及感应电压，解码器最
多能够有0.5 V余量的50%，允许的最大磁场见图13所示计算。
100
MAXIMUM ALLOWABLE MAGNETIC FLUX
DENSITY (kgauss)
传播延迟偏斜指在相同条件下运行的多个ADuM128x器件
的传播延迟之间的最大差异。
V = (−dβ/dt)∑πrn2; n = 1, 2, …, N
10
1
0.1
0.01
0.001
1k
1M
10k
100k
10M
MAGNETIC FIELD FREQUENCY (Hz)
图13. 最大允许外部磁通密度
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100M
10444-013
INPUT (VIx)
在隔离器输入端的正负逻辑电平转换会使一个很窄的(约1 ns)
脉冲通过变压器被送到解码器。解码器是双稳态的，因此，
可以被这个脉冲置位或复位，表示输入逻辑的转换。当输
入端没有超过约1.6 µs的逻辑转换时，会发送一组用以表示
正确输入状态的周期性刷新脉冲，以确保输出的直流正
确性。
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
例如，在1 MHz的磁场频率下，最大允许0.08 K高斯的磁场在
接收线圈可以感应出0.25 V的电压。这大约是检测阈值的50%
并且不会引起输出转换错误。如果这样的情况在发送脉冲
时发生(最差的极性)，这会使接收到的脉冲从大于1.0 V下降
到0.75 V。注意，这仍然高于解码器检测阈值0.5 V。
先前的磁通密度值对应于与ADuM1280变压器给定距离的
额定电流幅度。图14表明这些允许的电流幅度是频率与所
选距离的函数。ADuM1280不受外部磁场的影响，只会受
非常靠近器件的极大高频电流的影响。例如1 MHz时，0.2 kA
电流必须置于距离ADuM1280 5 mm以内才会影响器件的
工作。
请注意,在强磁场和高频率的叠加作用下，印刷电路板走线
形成的任何回路都会感应出足够大的错误电压触发后续电
路的阈值。小心不要使PCB结构形成环路。
功耗
ADuM128x隔离器给定通道的电源电流是电源电压、通道
数据速率和通道输出负载的函数。
对于每个输入通道，电源电流按照下式计算：
IDDI = IDDI (D) × (2f − fr) + IDDI (Q)
f > 0.5 fr
IDDO = IDDO (Q)
IDDO = (IDDO (D) + (0.5 × 10 ) × CL × VDDO) × (2f − fr) + IDDO (Q)
f > 0.5 fr
DISTANCE = 1m
100
10
DISTANCE = 100mm
1
DISTANCE = 5mm
0.1
1k
10k
100k
1M
10M
f ≤ 0.5 fr
−3
100M
MAGNETIC FIELD FREQUENCY (Hz)
图14. 不同电流至ADuM1280距离下的最大允许电流
10444-014
MAXIMUM ALLOWABLE CURRENT (kA)
f ≤ 0.5 fr
对于每个输出通道，电源电流按照下式计算：
1000
0.01
IDDI = IDDI (Q)
其中：
I DDI (D) 、I DD O (D) 是每个通道的输入和输出动态电源电流
(mA/Mbps)。
CL是输出负载电容(pF)。
VDDO是输出电源电压(V)。
f是输入逻辑信号频率(MHz)；它是输入数据速率的一半，
单位为Mbps。
fr是输入级刷新速率(Mbps) = 1/tr (µs)。
IDDI(Q)、IDDO(Q)是额定输入和输出静态电源电流(mA)。
为了计算总VDD1和VDD2电源电流，必须计算与VDD1和VDD2相
对应的各输入和输出通道的电源电流并求和。图6和图7显
示无输出负载条件下每个通道的电源电流与数据速率的关
系。图8显示15 pF输出负载条件下每个通道的电源电流与数
据速率的关系。图9至图11显示ADuM1280/ADuM1281通道
配置的总VDD1和VDD2电源电流与数据速率的关系。
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ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
ADI公司使用超过额定连续工作电压的电压执行加速寿命
测试。确定多种工作条件下的加速系数，利用这些系数可
以计算实际工作电压下的失效时间。表28示的值总结了双
极 性 交 流 工 作 条 件 下 50年 工 作 寿 命 的 峰 值 电 压 以 及
CSA/VDE认可的最大工作电压。许多情况下，认可工作电
压高于50年工作寿命电压。某些情况下，在这些高工作电
压下工作会导致隔离寿命缩短。
请注意，图17所示的正弦电压波形仅作为示例提供，它代
表任何在0 V与某一限值之间变化的电压波形。该限值可以
为正值或负值，但电压不能穿过0 V。
ADuM128x的隔离寿命由施加在隔离栅上的电压波形决
定。iCoupler结构的隔离度以不同速率衰减，这由波形是
否为双极性交流、单极性交流或直流决定。图15、图16和
图17显示这些不同隔离电压的波形。
双极性交流电压是最苛刻的环境。在交流双极性条件下工
作50年的目标决定ADI推荐的最大工作电压。
RATED PEAK VOLTAGE
10444-015
所有的隔离结构在长时间的电压作用下，最终会被破坏。
隔离衰减率由施加在隔离上的电压波形的参数决定。除了
监管机构所执行的测试外，ADI公司还进行一系列广泛的
评估来确定ADuM128x内部隔离结构的寿命。
在单极性交流或者直流电压的情况下，隔离应力显然低得
多。此工作模式在能够获得50年工作时间的前提下，允许
更高的工作电压。表28中列出的工作电压在维持50年最低
工作寿命的前提下，提供了符合单极性交流或者直流电压
情况下的工作电压。任何与图16和图17中不一致的交叉隔
离电压波形都应被认为是双极性交流波形，其峰值电压应
限制在表28出的50年工作寿命电压以下。
0V
图15. 双极性交流波形
RATED PEAK VOLTAGE
10444-016
隔离寿命
0V
图16. 单极性交流波形
10444-017
RATED PEAK VOLTAGE
0V
图17. 直流波形
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ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
外形尺寸
5.00 (0.1968)
4.80 (0.1890)
1
5
6.20 (0.2441)
5.80 (0.2284)
4
1.27 (0.0500)
BSC
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0040)
COPLANARITY
0.10
SEATING
PLANE
1.75 (0.0688)
1.35 (0.0532)
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
0.50 (0.0196)
0.25 (0.0099)
45°
8°
0°
0.25 (0.0098)
0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AA
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
012407-A
8
4.00 (0.1574)
3.80 (0.1497)
图18. 8引脚标准小型封装[SOIC_N]
窄体(R-8)
图示尺寸单位：mm和(inch)
订购指南
型号123
输入数，
VDD1侧
输入数，
VDD2侧
最大数据
速率
最大传播
延迟，5 V 输出默认状态 温度范围
封装描述
封装选项
ADuM1280ARZ
ADuM1280WARZ
ADuM1280BRZ
ADuM1280WBRZ
ADuM1280CRZ
ADuM1280WCRZ
ADuM1281ARZ
ADuM1281WARZ
ADuM1281BRZ
ADuM1281WBRZ
ADuM1281CRZ
ADuM1281WCRZ
ADuM1285ARZ
ADuM1285WARZ
ADuM1285BRZ
ADuM1285WBRZ
ADuM1285CRZ
ADuM1285WCRZ
ADuM1286ARZ
ADuM1286WARZ
ADuM1286BRZ
ADuM1286WBRZ
ADuM1286CRZ
ADuM1286WCRZ
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1 Mbps
1 Mbps
25 Mbps
25 Mbps
100 Mbps
100 Mbps
1 Mbps
1 Mbps
25 Mbps
25 Mbps
100 Mbps
100 Mbps
1 Mbps
1 Mbps
25 Mbps
25 Mbps
100 Mbps
100 Mbps
1 Mbps
1 Mbps
25 Mbps
25 Mbps
100 Mbps
100 Mbps
50
50
35
35
24
24
50
50
35
35
24
24
50
50
35
35
24
24
50
50
35
35
24
24
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
1
2
3
高电平
高电平
高电平
高电平
高电平
高电平
高电平
高电平
高电平
高电平
高电平
高电平
低电平
低电平
低电平
低电平
低电平
低电平
低电平
低电平
低电平
低电平
低电平
低电平
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
Z = 符合RoHS标准的器件。
可提供卷带和卷盘形式。“-RL7”后缀表示7”(1,000片)卷带和卷盘选项。
W = 通过汽车应用认证。
汽车应用级产品
ADuM1280W、ADuM1281W、ADuM1285W和ADuM1286W生产工艺受到严格控制，以提供满足汽车应用的质量和可靠性
要求。请注意，车用型号的技术规格可能不同于商用型号；因此，设计人员应仔细阅读本数据手册的技术规格部分。只有
显示为汽车应用级的产品才能用于汽车应用。欲了解特定产品的订购信息并获得这些型号的汽车可靠性报告，请联系当地
ADI客户代表。
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ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
注释
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D10444sc-0-3/14(B)
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