隔离式精密半桥驱动器，提供4 A输出
ADuM3223/ADuM4223
产品特性
概述
峰值输出电流：4 A
工作电压
高端或低端相对于输入：565 V峰值
高端至低端差分：800 V峰值
高工作频率：1 MHz(最大值)
3.3 V至5 V CMOS输入逻辑
4.5 V至18 V输出驱动
UVLO：2.5 V VDD1
ADuM3223A/ADuM4223A UVLO：4.1 V VDD2
ADuM3223B/ADuM4223B UVLO：7.0 V VDD2
ADuM3223C/ADuM4223C UVLO：11.0 V VDD2
精密时序特性
隔离器和驱动器传播延迟：54 ns(最大值)
通道间匹配：5 ns(最大值)
CMOS输入逻辑电平
高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs
增强的系统级ESD保护性能，符合IEC 61000-4-x标准
工作结温高达：125°C
热关断保护
默认低电平输出
安全和法规认证
ADuM3223：窄体，16引脚SOIC封装
UL1577 3000 V rms输入至输出耐受电压
ADuM4223：宽体，16引脚SOIC封装
UL 1577 5000 V rms输入至输出耐受电压
通过汽车应用认证
ADuM3223/ADuM42231是4 A隔离式半桥栅极驱动器，采
用ADI公司的iCoupler®技术，提供独立且隔离的高端和低
端输出。ADuM3223能够提供3000 V rms隔离，采用窄体16
引脚SOIC封装，ADuM4223则提供5000 V rms隔离，采用宽
体16引脚SOIC封装。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片
变压器技术融为一体，具有优于脉冲变压器和栅极驱动器
组合等替代器件的出色性能特征。
ADuM3223/ADuM4223隔离器均提供两个独立的隔离通
道。这些器件采用3.0 V至5.5 V电源电压工作，可与低压系
统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，
ADuM3223/ADuM4223的输入与各输出之间具有真电流隔
离优势。相对于输入，各路输出的持续工作电压最高可达
565 V峰值，因而支持低端切换至负电压。高端与低端之间
的差分电压最高可达800 V峰值。
因此，ADuM3223/ADuM4223可以在很宽的正或负切换电
压范围内，可靠地控制IGBT/MOSFET配置的开关特性。
应用
开关电源
隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
工业逆变器汽车电子
功能框图
VIB 2
ADuM3223/
ADuM4223
16 VDDA
ENCODE
DECODE
VDD1 3
15 VOA
14 GNDA
GND1 4
13 NC
DISABLE 5
12 NC
NC 6
NC 7
11 VDDB
ENCODE
DECODE
VDD1 8
10 VOB
9
NC = NO CONNECT
GNDB
10450-001
VIA 1
图1.
1
受美国专利第5,952,849号、6,873,065号和7,075,239号保护，其它专利正在申请中。
Rev. D
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的最新英文版数据手册。
ADuM3223/ADuM4223
目录
产品特性 ...........................................................................................1
应用....................................................................................................1
概述....................................................................................................1
功能框图 ...........................................................................................1
修订历史 ...........................................................................................2
技术规格 ...........................................................................................3
电气特性—5 V电源供电 ..........................................................3
电气特性——3.3 V电源供电...................................................4
封装特性......................................................................................5
隔离和安全相关特性................................................................5
法规信息......................................................................................6
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)隔离特性.............7
建议工作条件 .............................................................................8
绝对最大额定值..............................................................................9
ESD警告.......................................................................................9
引脚配置和功能描述 ...................................................................11
典型性能参数 ................................................................................12
应用信息 .........................................................................................15
PCB布局.....................................................................................15
传播延迟相关参数 ..................................................................15
热限制和开关负载特性 .........................................................15
输出负载特性 ...........................................................................15
自举半桥操作 ...........................................................................16
直流正确性和磁场抗扰度 .....................................................16
功耗 ............................................................................................17
隔离寿命....................................................................................18
外形尺寸 .........................................................................................19
订购指南....................................................................................20
汽车应用级产品.......................................................................20
修订历史
2014年4月—修订版C至修订版D
2013年5月—修订版A至修订版B
更改应用部分 ..................................................................................1
更改隔离寿命部分 .......................................................................18
更改“订购指南”.............................................................................20
表10中增加VDDA、VDDB上升时间：0.5 V/µs .............................8
更改图22 .........................................................................................16
2013年1月—修订版0至修订版A
2013年12月—修订版B至修订版C
增加汽车应用信息(通篇)..............................................................1
更改特性部分 ..................................................................................1
更改表1的开关规格参数...............................................................3
表1中增加热关断温度参数 ..........................................................3
更改表2的开关规格参数...............................................................4
表2中增加热关断温度参数 ..........................................................4
更改表10 ...........................................................................................8
更改图13标题 ................................................................................13
更改热限制和开关负载特性部分
15
更改自举半桥操作部分...............................................................16
更新安全和法规认证(通篇) .........................................................1
将高端至低端差分从700 VDC PEAK改为800 Vpeak.....................1
表1中增加ROA、ROB最小和最大值..............................................3
表2中增加ROA、ROB最小和最大值..............................................4
更改表13 .........................................................................................10
更改图19 .........................................................................................15
增加自举半桥操作部分和图22；重新排序............................16
更改“订购指南”.............................................................................20
2012年5月—修订版0：初始版
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ADuM3223/ADuM4223
技术规格
电气特性——5 V电源
所有电压均参照其各自的地。除非另有说明，4.5 V ≤ VDD1 ≤ 5.5 V，4.5 V ≤ VDD2 ≤ 18 V。所有最小值/最大值规格适用于TJ =
−40°C到125°C。所有典型值规格在TJ = 25°C，VDD1 = 5 V，VDD2 = 12 V下测得。开关规格的测试条件为CMOS信号电平。
表1.
参数
直流规格
输入电源电流，静态
每个通道的输出电源电流，静态
1 MHz时的电源电流
VDD1电源电流
VDDA/VDDB电源电流
输入电流
逻辑高电平输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
逻辑低电平输出电压
欠压闭锁，VDD2供电
趋正阈值
趋负阈值
迟滞
趋正阈值
趋负阈值
迟滞
趋正阈值
趋负阈值
迟滞
输出短路脉冲电流1
输出脉冲源电阻
输出脉冲灌电阻
热关断温度
结温关断，上升沿
结温关断，下降沿
开关规格
脉冲宽度2
最大数据速率3
传播延迟4
ADuM3223A/ADuM4223A
传播延迟偏斜5
通道间匹配6
输出上升/下降时间(10%至90%)
每个通道的动态输入电源电流
每个通道的动态输出电源电流
刷新速率
符号
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件
IDDI(Q)
IDDO(Q)
1.4
2.3
2.4
3.2
mA
mA
IDD1(Q)
IDDA/IDDB(Q)
IIA, IIB
VIH
VIL
VOAH, VOBH
VOAL, VOBL
1.6
5.6
+0.01
2.5
8.0
+1
mA
mA
µA
V
V
V
V
最高1 MHz，空载
最高1 MHz，空载
0 ≤ VIA, VIB ≤ VDD1
VDD2UV+
VDD2UV−
VDD2UVH
VDD2UV+
VDD2UV−
VDD2UVH
VDD2UV+
VDD2UV−
VDD2UVH
IOA(SC), IOB(SC)
ROA, ROB
ROA, ROB
−1
0.7 × VDD1
0.3 × VDD1
VDD2 – 0.1
3.2
5.7
8.9
2.0
0.3
0.3
TJR
TJF
PW
tDHL, tDLH
tDHL, tDLH
tPSK
tPSKCD
tPSKCD
tR/tF
IDDI(D)
IDDO(D)
fr
VDD2
0.0
0.15
4.1
3.6
0.5
4.4
V
V
V
A级
A级
A级
6.9
6.2
0.7
10.5
9.6
0.9
4.0
1.1
0.6
7.4
V
V
V
V
V
V
A
Ω
Ω
B级
B级
B级
C级
C级
C级
VDD2 = 12 V
VDD2 = 12 V
VDD2 = 12 V
11.1
3.0
3.0
150
140
50
1
31
35
6
IOx = −20 mA, VIx = VIxH
IOx = +20 mA, VIx = VIxL
43
47
1
1
12
0.05
1.65
1.2
°C
°C
54
59
12
5
7
18
ns
MHz
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA/Mbps
mA/Mbps
Mbps
CL = 2 nF, VDD2 = 12 V
CL = 2 nF, VDD2 = 12 V
CL = 2 nF, VDD2 = 12 V; 见图20
CL = 2 nF, VDD2 = 4.5 V; 见图20
CL = 2 nF, VDD2 = 12 V; 见图20
CL = 2 nF, VDD2 = 12 V; 见图20
CL = 2 nF, VDD2 = 4.5 V; 见图20
CL = 2 nF, VDD2 = 12 V; 见图20
VDD2 = 12 V
VDD2 = 12 V
短路持续时间小于1 µs。平均功率必须符合“绝对最大额定值”下所示的限值。
最小脉冲宽度指保证额定时序参数的最短脉冲宽度。
3
最大数据速率指保证额定时序参数的最快数据速率。
4
tDLH传播延迟根据输入上升逻辑高电平阈值VIH到VOx信号的输出上升10%电平的时间测得。tDHL传播延迟根据输入下降逻辑低电平阈值VIL到VOx信号的输出下降
90%阈值测得。有关传播延迟参数的波形，参见图20。
5
tPSK指器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的tDLH和/或tDHL的最差情况偏差。有关传播延迟参数的波形，参见图20。
6
通道间匹配指两个通道间传播延迟之差的绝对值。
1
2
Rev. D | Page 3 of 20
ADuM3223/ADuM4223
电气特性——3.3 V电源
所有电压均参照其各自的地。除非另有说明，3.0 V ≤ VDD1 ≤ 3.6 V，4.5 V ≤ VDD2 ≤ 18 V。所有最小值/最大值规格适用于TJ = −40°C
到125°C。所有典型值规格在TJ = 25°C，VDD1 = 3.3 V，VDD2 = 12 V下测得。开关规格的测试条件为CMOS信号电平。
表2.
参数
直流规格
输入电源电流，静态
每个通道的输出电源电流，静态
1 MHz时的电源电流
VDD1电源电流
VDDA/VDDB电源电流
输入电流
逻辑高电平输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
逻辑低电平输出电压
欠压闭锁，VDD2供电
趋正阈值
趋负阈值
迟滞
趋正阈值
趋负阈值
迟滞
趋正阈值
趋负阈值
迟滞
输出短路脉冲电流1
输出脉冲源电阻
输出脉冲灌电阻
热关断温度
结温关断，上升沿
结温关断，下降沿
开关规格
脉冲宽度2
最大数据速率3
传播延迟4
ADuM3223A/ADuM4223A
传播延迟偏斜5
通道间匹配6
输出上升/下降时间(10%至90%)
每个通道的动态输入电源电流
每个通道的动态输出电源电流
刷新速率
1
符号
典型值
最大值
单位
IDDI(Q)
IDDO(Q)
0.87
2.3
1.4
3.2
mA
mA
IDD1(Q)
IDDA/IDDB(Q)
IIA, IIB
VIH
VIL
VOAH, VOBH
VOAL, VOBL
1.1
5.6
+0.01
1.5
8.0
+10
mA
mA
µA
V
V
V
V
最高1 MHz，空载
最高1 MHz，空载
0 ≤ VIA, VIB ≤ VDD1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
Ω
Ω
A级
A级
A级
B级
B级
B级
C级
C级
C级
VDD2 = 12 V
VDD2 = 12 V
VDD2 = 12 V
VDD2UV+
VDD2UV−
VDD2UVH
VDD2UV+
VDD2UV−
VDD2UVH
VDD2UV+
VDD2UV−
VDD2UVH
IOA(SC), IOB(SC)
ROA, ROB
ROA, ROB
最小值
−10
0.7 × VDD1
0.3 × VDD1
VDD2 – 0.1
3.2
5.7
8.9
2.0
0.3
0.3
TJR
TJF
PW
tDHL, tDLH
tDHL, tDLH
tPSK
tPSKCD
tPSKCD
tR/tF
IDDI(D)
IDDO(D)
fr
VDD2
0.0
4.1
3.6
0.5
6.9
6.2
0.7
10.5
9.6
0.9
4.0
1.1
0.6
0.15
4.4
7.4
11.1
3.0
3.0
150
140
50
1
35
37
6
47
51
1
1
12
0.05
1.65
1.1
测试条件
IOx = −20 mA, VIx = VIxH
IOx = +20 mA, VIx = VIxL
°C
°C
59
65
12
5
7
22
ns
MHz
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA/Mbps
mA/Mbps
Mbps
CL = 2 nF, VDD2 = 12 V
CL = 2 nF, VDD2 = 12 V
CL = 2 nF, VDD2 = 12 V, 见图20
CL = 2 nF, VDD2 = 4.5 V, 见图20
CL = 2 nF, VDD2 = 12 V, 见图20
CL = 2 nF, VDD2 = 12 V, 见图20
CL = 2 nF, VDD2 = 4.5 V, 见图20
CL = 2 nF, VDD2 = 12 V, 见图20
VDD2 = 12 V
VDD2 = 12 V
短路持续时间小于1 µs。平均功率必须符合“绝对最大额定值”下所示的限值。
2
最小脉冲宽度指保证额定时序参数的最短脉冲宽度。
3
最大数据速率指保证额定时序参数的最快数据速率。
4
tDLH传播延迟根据输入上升逻辑高电平阈值VIH到VOx信号的输出上升10%电平的时间测得。tDHL传播延迟根据输入下降逻辑低电平阈值VIL到VOx信号的输出下降
5
tPSK指器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的tDLH和/或tDHL的最差情况偏差。有关传播延迟参数的波形，参见图20。
90%阈值测得。有关传播延迟参数的波形，参见图20。
6
通道间匹配指两个通道间传播延迟之差的绝对值。
Rev. D | Page 4 of 20
ADuM3223/ADuM4223
ADP1740/ADP1741
封装特性
表3.
参数
电阻(输入至输出)
电容(输入至输出)
输入电容
IC结至环境热阻
ADuM3223
ADuM4223
IC结至外壳热阻
ADuM3223
ADuM4223
符号
RI-O
CI-O
CI
最小值 典型值 最大值
1012
2.0
4.0
单位
Ω
pF
pF
θJA
θJA
76
45
°C/W
°C/W
θJC
θJC
42
29
°C/W
°C/W
测试条件
f = 1 MHz
隔离和安全相关特性
ADuM3223
表4.
参数
额定电介质隔离电压
最小外部气隙(间隙)
最小外部爬电距离
最小内部间隙
漏电阻抗(相对漏电指数)
隔离组
符号
L(I01)
L(I02)
CTI
数值
3000
4.0 min
4.0 min
单位
V rms
mm
mm
条件
持续1分钟
测量输入端至输出端，隔空最短距离
测量输入端至输出端，沿壳体最短距离
0.017(最小值)
>400
II
mm
V
隔离距离
DIN IEC 112/VDE 0303第1部分
材料组(DIN VDE 0110，1/89，表1)
单位
V rms
mm
mm
mm
V
条件
持续1分钟
测量输入端至输出端，隔空最短距离
测量输入端至输出端，沿壳体最短距离
隔离距离
DIN IEC 112/VDE 0303第1部分
材料组(DIN VDE 0110，1/89，表1)
ADuM4223
表5.
参数
额定电介质隔离电压
最小外部气隙(间隙)
最小外部爬电距离
最小内部间隙
漏电阻抗(相对漏电指数)
隔离组
符号
L(I01)
L(I02)
CTI
数值
5000
8.0(最小值)
7.6 min
0.017(最小值)
>400
II
Rev. D | Page 5 of 20
ADuM3223/ADuM4223
法规信息
ADuM3223已获得表6所列机构的认可。
表6.
UL
UL 1577器件认可程序认可1
CSA
CSA元件验收通知#5A批准
单一保护3,000 V均方根值
隔离电压
文件E214100
基本绝缘符合CSA 60950-1-07和IEC 60950-1标准，
400 V rms (565 V峰值)最大工作电压
文件205078
VDE
进行DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10)
认证： 2006-122
加强绝缘，560 V峰值
文件2471900-4880-0001
1
依据UL1577，每个ADuM3223都经过1秒钟绝缘测试电压≥ 3,600 V rms的验证测试(漏电流检测限值为6 µA)。
2
依据DIN V VDE V 0884-10，每个ADuM3223器件都经过1秒钟绝缘测试电压≥1050 V峰值的验证测试(局部放电检测限值为5 pC)。器件标识中的星号(*)表示通过
DIN V VDE V 0884-10认证。
ADuM4223已获得表7所列机构的认可。
表7.
UL
CSA
VDE
UL 1577器件认可程序认可
CSA元件验收通知#5A批准
单一保护5,000 V均方根值
隔离电压
加强绝缘符合CSA 60950-1-07和IEC 60950-1标准，
400 V rms(565 V峰值)最大工作电压；基本绝
缘符合CSA 60950-1-07和IEC 60950-1标准，
800 V rms(1131 V峰值)最大工作电压
文件205078
进行DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10)
认证： 2006-122
加强绝缘，849 V峰值
1
文件E214100
1
2
文件2471900-4880-0001
依据UL1577，每个ADuM4223都经过1秒钟绝缘测试电压≥ 6,000 V rms的验证测试(漏电流检测限值为10 µA)。
依据DIN V VDE V 0884-10，每个ADuM4223器件都经过1秒钟绝缘测试电压≥1,590 V峰值的验证测试(局部放电检测限值为5 pC)。器件标识中的星号(*)表示通过
DIN V VDE V 0884-10认证。
Rev. D | Page 6 of 20
ADuM3223/ADuM4223
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)隔离特性
这些隔离器仅适合安全限制数据范围内的加强隔离。通过保护电路保持安全数据。封装上的星号(*)标志表示通过560 V峰值工
作电压的DIN V VDE V 0884-10认证。
表8. ADuM3223 VDE特性
说明
DIN VDE 0110装置分类
额定电源电压≤ 150 V rms
额定电源电压≤ 300 V rms
额定电源电压≤ 400 V rms
环境分类
污染度(DIN VDE 0110，表1)
最大工作绝缘电压
输入至输出测试电压，方法B1
输入至输出测试电压，方法A
跟随环境测试，子类1
跟随输入和/或安全测试，子类2和子类3
最高允许过压
浪涌隔离电压
安全限值
最高结温
总安全功耗
TS上的绝缘电阻
条件
符号
VIORM × 1.875 = Vpd(m)，100%生产测试，
tini = tm = 1秒，局部放电 < 5 pC
VIORM × 1.5 = Vpd(m)，tini = 60秒，tm = 10秒，
局部放电 < 5 pC
VIORM × 1.2 = Vpd(m)，tini = 60秒，tm = 10秒，
局部放电 < 5 pC
VPEAK = 10 kV，1.2 µs上升时间，50 µs，50%下降时间
出现故障时允许的最大值(见图2)
VIO = 500 V
特性
单位
I至IV
I至III
I至II
40/105/21
2
560
1050
V峰值
V峰值
Vpd(m)
896
672
V峰值
V峰值
VIOTM
VIOSM
4000
6000
V峰值
V峰值
TS
PS
RS
150
1.64
>109
°C
W
Ω
VIORM
Vpd(m)
Vpd(m)
表9. ADuM4223 VDE特性
说明
DIN VDE 0110装置分类
额定电源电压≤ 150 V rms
额定电源电压≤ 300 V rms
额定电源电压≤ 400 V rms
环境分类
污染度(DIN VDE 0110，表1)
最大工作绝缘电压
输入至输出测试电压，方法B1
输入至输出测试电压，方法A
跟随环境测试，子类1
跟随输入和/或安全测试，子类2和子类3
最高允许过压
浪涌隔离电压
安全限值
最高结温
总安全功耗
TS上的绝缘电阻
条件
符号
VIORM × 1.875 = Vpd(m)，100%生产测试，
tini = tm = 1秒，局部放电 < 5 pC
VIORM × 1.875 = Vpd(m)，100%生产测试，
VIORM
Vpd(m)
Vpd(m)
VIOTM
VPEAK = 10 kV，1.2 µs上升时间，50 µs，50%下降时间 VIOSM
出现故障时允许的最大值(见图3)
TS
PS
VIO = 500 V
RS
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单位
I至IV
I至III
I至II
40/105/21
2
849
1592
V峰值
V峰值
1273
1018
V峰值
V峰值
6000
6000
V峰值
V峰值
150
2.77
>109
°C
W
Ω
Vpd(m)
tini = tm = 1秒，局部放电 < 5 pC
VIORM × 1.2 = Vpd(m)，tini = 60秒，tm = 10秒，
局部放电 < 5 pC
特性
建议工作条件
1.8
表10.
1.6
参数
工作结温
电源电压1
1.4
1.2
1.0
VDD1上升时间
VDDA、VDDB上升时间
输入信号最大上升和
下降时间
共模瞬变抗扰度，静态2
共模瞬变抗扰度，动态3
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
50
100
150
200
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
10450-102
SAFE OPERATING PVDD1 , PVDDA OR PVDDB POWER (W)
ADuM3223/ADuM4223
2
3.0
3
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
50
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
200
最小值 最大值 单位
−40
+125
°C
VDD1
3.0
VDDA, VDDB
4.5
TVDD1
TVDDA, TVDDB
TVIA, TVIB
−50
−25
5.5
18
1
10
1
V
V
V/µs
V/µs
ms
+50
+25
kV/µs
kV/µs
所有电压均参照各自的地。有关外部磁场抗扰度的信息，参见“应用信息”
部分。
静态共模瞬变抗扰度定义为GND1和GNDA/GNDB之间的最高dv/dt值，其输
入保持高电平或低电平，从而使输出电压保持在0.8 × VDD2以上(如果VIA/VIB
= 高电平)，或0.8 V(如果VIA/VIB = 低电平)。以超出建议水平的瞬态电压工作
可能会导致暂时性的数据扰乱。
动态共模瞬变抗扰度定义为GND1和GNDA/GNDB之间的最高dv/dt值，其开
关边沿与瞬变测试脉冲重合。以超出建议水平的瞬态电压工作可能会导致
暂时性的数据扰乱。
10450-103
SAFE OPERATING PVDD1 , PVDDA OR PVDDB POWER (W)
图2. ADuM3223热减额曲线，依据DIN V VDE V 0884-10获得的
安全限值与壳温的关系
1
符号
TJ
图3. ADuM4223热减额曲线，依据DIN V VDE V 0884-10获得的
安全限值与壳温的关系
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ADuM3223/ADuM4223
绝对最大额定值
除非另有说明，环境温度 = 25°C。
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性
损坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其
它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器
件能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影
响器件的可靠性。
表11.
参数
存储温度
工作结温
电源电压1
输入电压1
输出电压1
每个引脚的平均
输出电流2
共模瞬变3
1
2
3
符号
TST
TJ
VDD1
VDDA, VDDB
VIA, VIB，
禁用
VOA
VOB
IO
额定值
−55 °C至+150 °C
−40 °C至+150 °C
−0.5 V至+7.0 V
−0.5 V至+20 V
−0.5 V至VDD1 + 0.5 V
−0.5 V至VDDA + 0.5 V
−0.5 V至VDDB + 0.5 V
−35 mA至+35 mA
CMH, CML
−100 kV/µs至+100 kV/µs
ESD警告
ESD(静电放电)敏感器件。
所有电压均参照各自的地。
不同温度下的最大容许电流参见图2和图3。
指隔离栅上的共模瞬变。超过绝对最大额定值的共模瞬变可能导致闩
锁或永久损坏。
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带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽
管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量
ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD
防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。
ADuM3223/ADuM4223
表12. 最大连续工作电压1
参数
交流电压，双极性波形
交流电压，单极性波形
直流电压
1
最大值
565
1131
1131
单位
V峰值
V峰值
V峰值
约束条件
最少50年寿命
最少50年寿命
最少50年寿命
指隔离栅上的连续电压幅度。详情见隔离寿命摂部分。
表13. 真值表ADuM3223/ADuM4223(正逻辑)1
禁用
L
VIA
输入
L
VIB
输入
L
VDD1 状态
有电
VDDA/VDDB 状态
有电
VOA 输出
L
VOB 输出
L
L
L
H
有电
有电
L
H
L
H
L
有电
有电
H
L
L
H
H
有电
有电
H
H
H
X
X
有电
有电
L
L
L
L
L
无电
有电
L
L
X
X
X
有电
无电
L
L
1
X = 无关，L = 低电平，H = 高电平。
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注释
输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复
到输入状态。
输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复
到输入状态。
输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复
到输入状态。
输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复
到输入状态。
输出在DISABLE = H置位后的3 µs内处于
默认低电平状态。
输出在VDD1电源恢复后的1 µs内返回到
输入状态。
输出在VDDA/VDDB电源恢复后的50 μs内
恢复到输入状态。
ADuM3223/ADuM4223
引脚配置和功能描述
VIA 1
VDD1 3
GND1 4
DISABLE 5
16 VDDA
ADuM3223/
ADuM4223
TOP VIEW
(Not to Scale)
15 VOA
14 GNDA
13 NC
12 NC
NC 6
11 VDDB
NC 7
10 VOB
VDD1 8
9
GNDB
NOTES
1. NC = NO CONNECT.
DO NOT CONNECT TO THIS PIN.
10450-003
VIB 2
图4. 引脚配置
表14. ADuM3223/ADuM4223引脚功能描述
引脚编号1
1
6, 7, 12, 13
2
3, 8
4
5
引脚名称
VIA
NC
VIB
VDD1
GND1
禁用
9
10
11
14
15
16
GNDB
VOB
VDDB
GNDA
VOA
VDDA
1
说明
逻辑输入A。
不连接。
逻辑输入B。
输入电源电压。
输入逻辑信号的接地参考。
输入禁用。禁用隔离器输入，刷新电路。输出在DISABLE = H置位后的3 µs内处于默认低电平状态。
输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复到输入状态。
输出B的接地参考。
输出B。
输出B电源电压。
输出A的接地参考。
输出A。
输出A电源电压。
引脚3和引脚8内部互连，并且建议将二者均连接至VDD1。
关于特定布局原则，请参考AN-1109应用笔记：iCoupler器件的辐射控制建议。
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ADuM3223/ADuM4223
典型性能参数
1000
800
GATE CHARGE (nC)
CH2 = VO (5V/DIV)
2
VDD2 = 5V
600
VDD2 = 8V
400
VDD2 = 10V
CH1 = VI (5V/DIV)
200
1
CH1 5.00V Ω
M40.0ns
2.50GS/s
100k POINTS
A CH1
2.70V
10450-105
CH1 5.00V
0
200
400
600
800
1000
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
10450-108
VDD2 = 15V
0
图8. 典型ADuM4223最大负载与频率的关系(RG = 1 Ω)
图5. 2 nF负载的输出波形(12 V输出电源)
3.0
a
b
–820ps
b 10.5ns
Δ11.3ns
a
1.40V
11.4V
Δ10.0V
2.5
IDD1 CURRENT (mA)
CH2 = VOB (5V/DIV)
2
2.0
VDD1 = 5V
1.5
VDD1 = 3.3V
1.0
CH1 = VOA (5V/DIV)
0.5
CH2 5.00V Ω
M20.0ns
2.50GS/s
100k POINTS
A CH1
2.70V
0
10450-106
0
CH1 5.00V
0.25
0.50
0.75
1.00
FREQUENCY (MHz)
10450-109
1
图9. 典型IDD1 电源电流与频率的关系
图6. 2 nF负载的输出匹配和上升时间波形(12 V输出电源)
50
500
40
IDDA , IDDB CURRENT (mA)
VDD2 = 5V
300
VDD2 = 8V
200
VDD2 = 10V
VDD2 = 15V
30
VDD2 = 10V
20
VDD2 = 5V
10
VDD2 = 15V
0
0
200
0
400
600
800
1000
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
图7. 典型ADuM3223最大负载与频率的关系(RG = 1 Ω)
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0
0.25
0.50
0.75
1.00
FREQUENCY (MHz)
图10. 典型IDDA 、IDDB 电源电流与频率的关系(2 nF负载)
10450-110
100
10450-107
GATE CHARGE (nC)
400
ADuM3223/ADuM4223
60
30
25
tDHL
40
RISE/FALL TIME (ns)
tDLH
30
20
0
20
40
60
80
100
120
140
RISE TIME
5
7
9
11
13
15
17
OUTPUT SUPPLY VOLTAGE (V)
图11. 典型传播延迟与温度的关系
图14. 典型上升/下降时间变化与输出电源电压的关系
5
50
tDHL
40
tDLH
30
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
INPUT SUPPLY VOLTAGE (V)
3
2
PD MATCH tDHL
PD MATCH tDLH
1
0
10450-112
10
4
5
7
9
11
13
15
10450-115
PROPAGATION DELAY CH-CH MATCHING (ns)
60
PROPAGATION DELAY (ns)
10
0
10450-111
–20
JUNCTION TEMPERATURE (°C)
17
OUTPUT SUPPLY VOLTAGE (V)
图12. 典型传播延迟与输入电源电压的关系，(VDDA 、VDDB = 12 V)
图15. 典型传播延迟通道间匹配与输出电源电压的关系
5
PROPAGATION DELAY CH-CH MATCHING (ns)
60
50
tDHL
40
tDLH
30
20
10
5
7
9
11
13
15
17
OUTPUT SUPPLY VOLTAGE (V)
图13. 典型传播延迟与输出电源电压的关系，VDD1 = 5 V
4
3
2
PD MATCH tDLH
1
0
–40
10450-113
PROPAGATION DELAY (ns)
FALL TIME
5
0
–40
0
15
10450-114
10
20
PD MATCH tDHL
–20
0
20
40
60
80
100
JUNCTION TEMPERATURE (°C)
120
140
10450-116
PROPAGATION DELAY (ns1
50
图16. 典型传播延迟通道间匹配与温度的关系，(VDDA 、VDDB = 12 V)
Rev. D | Page 13 of 20
ADuM3223/ADuM4223
8
1.4
7
1.2
SOURCE/SINK CURRENT (A)
1.6
VOUT SOURCE RESISTANCE
0.8
VOUT SINK RESISTANCE
0.6
0.4
4
SOURCE IOUT
3
2
4
6
8
10
12
14
16
OUTPUT SUPPLY VOLTAGE (V)
18
图17. 典型输出电阻与输出电源电压的关系
0
4
6
8
10
12
14
16
OUTPUT SUPPLY VOLTAGE (V)
图18. 典型输出电流与输出电源电压的关系
Rev. D | Page 14 of 20
18
10450-118
0
5
1
0.2
10450-117
ROUT (Ω)
1.0
SINK IOUT
6
ADuM3223/ADuM4223
应用信息
PCB布局
ADuM3223/ADuM4223数字隔离器不需要外部接口电路作
为逻辑接口。输入和输出供电引脚需要电源旁路，如图19
所示。使用电容值在0.01 µF到0.1 µF之间的小型陶瓷电容，
以提供良好的高频旁路。在输出电源引脚VDDA或VDDB上，建
议再增加一个10 µF电容，以提供驱动ADuM3223/ADuM4223输
出端栅极电容所需的电荷。在输出电源引脚上，应避免使
用旁路电容过孔，或者应该使用多个过孔来降低旁路电感
值。较小的电容两端到输入或输出电源引脚的走线总长不
应超过5 mm。
VIA
VDDA
VOA
VDD1
GNDA
GND1
NC
DISABLE
NC
VDDB
NC
VOB
VDD1
GNDB
10450-119
NC
图19. 推荐的PCB布局
传 播 延 迟 偏 斜 指 在 相 同 条 件 下 工 作 的 多 个 ADuM3223/
ADuM4223器件的传播延迟之间的最大差异。
热限制和开关负载特性
对于隔离式栅极驱动器，在输入和输出电路之间进行必要
的隔离可防止在部件下方使用单一散热焊盘。因此主要通
过封装引脚来散热。
对于不同输出电压值使用1 Ω串联栅极电阻能够驱动的最大
负载电容，封装散热限制了开关频率与输出负载之间的性
能 表 现 ， 如 图 7和 图 8所 示 。 例 如 ， 此 曲 线 显 示 典 型 的
ADuM3223器件可以驱动140 nC栅极电荷、8 V输出(相当于
17 nF负载)、最高频率约300 kHz的大型MOSFET。
ADuM3223/ADuM4223隔离器的全部输出均提供热关断保
护功能，当上升结温典型值达到150°C时，该功能会将输
出设为逻辑低电平，并当结温从关断时的温度下降约10°C
时返回原状态。
输出负载特性
传播延迟相关参数
传播延迟是衡量逻辑信号穿过器件所需时间的参数。到逻
辑低电平输出的传播延迟可能不同于到逻辑高电平输出的
传播延迟。ADuM3223/ADuM4223指定tDLH(见图20)作为上
升输入高电平逻辑阈值VIH到输出上升10%阈值之间的时间。
同样，下降传播延迟tDHL定义为输入下降逻辑低电平阈值
VIL到输出下降90%阈值之间的时间。上升和下降时间取决
于负载条件，并且不包含在传播延迟中，这是栅极驱动器
的工业标准。
ADuM3223/ADuM4223输出信号取决于输出负载(通常是N
通道MOSFET)的特性。驱动器输出对于N通道MOSFET负
载的响应可以模拟为开关输出电阻(RSW)、印刷电路板走线
的电感(LTRACE)、串联栅极电阻(RGATE)和源电容栅极(Cgs)，
如图21所示。
VIA
ADuM3223/
ADuM4223
VOA RSW
RGATE
LTRACE
VO
CGS
10450-006
VIB
通道间匹配指单个ADuM3223/ADuM4223器件内各通道的
传播延迟之间的最大差异。
图21. N通道MOSFET栅极的RLC模型
90%
RSW为内部ADuM3223/ADuM4223驱动器输出的开关电阻，
约等于1.1 Ω。RGATE为MOSFET的固有栅极电阻加任意外部
串联电阻。需要4 A栅极驱动器的MOSFET，其典型固有栅
极电阻约为1 Ω，栅极-源极电容CGS介于2 nF到10 nF之间。
LTRACE为印刷电路板走线的电感，其典型值为5 nH，或者当
采用从ADuM3223/ADuM4223输出端到MOSFET栅极具有短
而宽的连接的精心布局，这个值会更小。
OUTPUT
10%
VIH
INPUT
VIL
tR
tF
10450-005
tDHL
tDLH
图20. 传播延迟参数
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ADuM3223/ADuM4223
在图5中，12 V输出的ADuM3223/ADuM4223输出波形显示对
应2 nF的CGS。请注意图5中的少量输出响铃振荡，CGS为2 nF，
RSW为1.1 Ω，RGATE为0 Ω，计算得出的Q因数为0.75，对
于高阻尼应用应小于1。
通过添加串联栅极电阻可以减少输出响铃振荡，从而抑制
响应。对于负载低于1 nF的应用，建议添加一个数值约为2 Ω
至5 Ω的串联栅极电阻。
自举半桥操作
ADuM3223/ADuM4223非常适合用于两个输出栅极信号参
考不同接地的操作，比如半桥配置。减少电源数是有好处
的，因为隔离辅助电源通常十分昂贵。实现该配置的一种
方法是为ADuM3223/ADuM4223的高端电源采用自举配
置。在该拓扑中，去耦电容CA用来存储高端电源的电能，
并且只要关闭低端开关，就会对其填充电能，将GNDA变
为GNDB。在CA充电期间，必须控制VDDA电压的dv/dt，减
少 输 出 端 产 生 毛 刺 的 可 能 性 。 对 于 ADuM3223/
ADuM4223，建议将dv/dt保持在10 V/µs以下。这可以通过
在CA的充电路径上引入一个串联电阻RBOOT来控制。例如，
假定VAUX为12 V，CA总电容为10 µF，自举二极管的正向压
降为1 V：
VIA
VIB
VPRIM
VPRIM
VDD1
CDD1
1
GND1
DISABLE
NC
VPRIM
NC
VDD1
1
2
直流正确性和磁场抗扰度
在隔离器输入端的正负逻辑电平转换会使一个很窄的(约1 ns)
脉冲通过变压器被送到解码器。解码器是双稳态的，因此，
可以被这个脉冲置位或复位，表示输入逻辑的转换。当输
入端超过1 µs没有逻辑转换时，会发送一组用以表示正确输
入状态的周期性刷新脉冲，以确保输出的直流正确性。
如果解码器在超过大约3 µs没有接收到内部脉冲，则输入侧
认为没有供电或者无效，在这种情况下，隔离器的输出被
看门狗计时电路强制设置为默认低电平状态。此外，当电
源电压小于UVLO阈值时，输出端处于低电平默认值状态。
ADuM3223/ADuM4223具有抗扰性能，不易受外部磁场的
影响。ADuM3223/ADuM4223磁场抗扰度的限制是由变压
器接收线圈中的感应电压的状态决定的，电压足够大就会
错误地置位或复位解码器。下面的分析说明此情况发生的
条件。检测ADuM3223/ADuM4223的3 V工作电压是因为它
在此条件下工作时最易受到干扰。变压器输出端的脉冲幅
度大于1.0 V。解码器的检测阈值大约是0.5 V，因此感应电
压可承受的噪声容限为0.5 V。接收线圈上的感应电压由以
下公式计算：
V = (−dβ/dt) ∑π rn2, n = 1, 2, ... , N
其中：
β是磁通密度(高斯)。
N是接收线圈匝数。
rn是接收线圈第n圈的半径(cm)。
ADuM3223/
ADuM4223
ENCODE
16
DECODE
15
3
14
4
13
5
12
6
11
7
ENCODE
DECODE
10
9
8
VDDA
RBOOT
VOA
REXT_A
VDBOOT
VBUS
DBOOT
CA
GNDA
NC
NC
VDDB
VOB
VAUX
REXT_B
CB
GNDB
2
NC = NO CONNECT
图22. 自举半桥操作电路图
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10450-222
以 下 公 式 定 义 了 RLC电 路 的 Q因 数 ， 表 示 ADuM3223/
ADuM4223输出端如何响应阶跃变化。对于高阻尼输出而
言，Q小于1。添加串联栅极电阻会抑制输出响应。
ADuM3223/ADuM4223
给定ADuM3223/ADuM4223接收线圈几何形状及感应电压，
解码器最多能够有0.5 V余量的50%，允许的最大磁场见图23
所示计算。
ADuM3223/ADuM4223隔离器给定通道的电源电流是电源
电压、通道数据速率和通道输出负载的函数。
对于每个输入通道，电源电流按照下式计算：
100
MAXIMUM ALLOWABLE MAGNETIC FLUX
DENSITY (kgauss)
功耗
10
f ≤ 0.5fr
IDDI = IDDI(D) × (2f – fr) + IDDI(Q)
f > 0.5fr
对于每个输出通道，电源电流按照下式计算：
1
IDDO = IDDO(Q)
10k
100k
1M
10M
100M
MAGNETIC FIELD FREQUENCY (Hz)
10450-122
0.001
1k
图23. 最大允许外部磁通密度
例如，在1 MHz的磁场频率下，最大允许0.08 K高斯的磁场
在接收线圈可以感应出0.251 V的电压。这大约是检测阈值
的50%并且不会引起输出转换错误。同样，如果这样的情
况在发送脉冲时发生(最差的极性)，这会使接收到的脉冲
从大于1.0 V下降到0.75 V，仍然高于解码器检测阈值0.5 V。
先前的磁通密度值对应于与ADuM3223/ADuM4223变压器
给定距离的额定电流幅度。图24表明这些允许的电流幅度
是 频 率 与 所 选 距 离 的 函 数 。 如 图 所 示 ， ADuM3223/
ADuM4223只有在离器件很近的高频大电流下才会受影
响。例如：当工作频率为1 MHz时，0.2 kA电流必须放置在
距离ADuM3223/ADuM4223 5 mm以外的地方，才不会影响
器件的工作。
其中：
IDDI(D)、IDDO(D)是每个通道的输入和输出动态电源电流
(mA/Mbps)。
CL是输出负载电容(pF)。
VDDO是输出电源电压(V)。
f是输入逻辑信号频率(MHz，输入数据速率的一半，NRZ
信令)。
fr是输入级刷新速率(Mbps)。
IDDI(Q)、IDDO(Q)是额定输入和输出静态电源电流(mA)。
为了计算总电源电流，必须计算与IDD1、IDDA和IDDB相
对应的各输入和输出通道的电源电流并求和。
图9提供了两个输入通道的总输入IDD1电源电流与数据速
率的函数关系。图10提供了两个2 nF电容负载输出端的总
IDDA或IDDB电源电流与数据速率的函数关系。
1k
DISTANCE = 1m
100
10
DISTANCE = 100mm
1
DISTANCE = 5mm
10k
100k
1M
10M
MAGNETIC FIELD FREQUENCY (Hz)
100M
10450-123
0.1
0.01
1k
f ≤ 0.5fr
IDDO = (IDDO(D) + (0.5) × CLVDDO) × (2f – fr) +
IDDO(Q)
f > 0.5fr
0.1
0.01
MAXIMUM ALLOWABLE CURRENT (kA)
IDDI = IDDI(Q)
图24. 不同电流至ADuM3223/ADuM4223距离下的最大允许电流
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ADuM3223/ADuM4223
表12中显示的值总结了双极性交流工作条件下50年工作寿
命的峰值电压以及CSA/VDE认可的最大工作电压。许多情
况下，认可工作电压高于50年工作寿命电压。某些情况
下，在这些高工作电压下工作会导致隔离寿命缩短。
ADuM3223/ADuM4223的隔离寿命由施加在隔离栅上的电
压波形决定。iCoupler结构的隔离度以不同速率衰减，这
由波形是否为双极性交流、单极性交流或直流决定。图
25、图26和图27显示这些不同隔离电压的波形。
双极性交流电压环境对于 i Coupler产品而言是最差的情
况，ADI公司推荐的最大工作电压对应的工作寿命为50
年。在单极性交流或者直流电压的情况下，隔离应力显然
低得多。此工作模式在能够获得50年工作时间的前提下，
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RATED PEAK VOLTAGE
10450-009
ADI公司使用超过额定连续工作电压的电压执行加速寿命
测试。确定多种工作条件下的加速系数，利用这些系数可
以计算实际工作电压下的失效时间。
请注意，图26所示的正弦电压波形仅作为示例提供，它代
表任何在0 V与某一限值之间变化的电压波形。该限值可以
为正值或负值，但电压不能穿过0 V。
0V
图25. 双极性交流波形
RATED PEAK VOLTAGE
10450-010
所有的隔离结构在长时间的电压作用下，最终会被破坏。
隔离衰减率由施加在隔离层上的电压波形特性决定。除了
由监管机构进行测试，ADI也进行一系列广泛的评估来确
定ADuM3223/ADuM4223内部隔离架构的寿命。
允许更高的工作电压。任何与图26和图27中不一致的交叉
隔离电压波形都应被认为是双极性交流波形，其峰值电压
应限制在表12中列出的50年工作寿命电压以下。
0V
图26. 单极性交流波形
RATED PEAK VOLTAGE
10450-011
隔离寿命
0V
图27. 直流波形
ADuM3223/ADuM4223
外形尺寸
10.00 (0.3937)
9.80 (0.3858)
9
16
4.00 (0.1575)
3.80 (0.1496)
1
8
1.27 (0.0500)
BSC
0.50 (0.0197)
0.25 (0.0098)
1.75 (0.0689)
1.35 (0.0531)
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0039)
COPLANARITY
0.10
6.20 (0.2441)
5.80 (0.2283)
SEATING
PLANE
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
45°
8°
0°
0.25 (0.0098)
0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AC
060606-A
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
图27. 16引脚标准小型封装[SOIC_N]
窄体
(R-16)
图示尺寸单位：mm和(inch)
10.50 (0.4134)
10.10 (0.3976)
9
16
7.60 (0.2992)
7.40 (0.2913)
8
1.27 (0.0500)
BSC
0.30 (0.0118)
0.10 (0.0039)
COPLANARITY
0.10
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
10.65 (0.4193)
10.00 (0.3937)
0.75 (0.0295)
45°
0.25 (0.0098)
2.65 (0.1043)
2.35 (0.0925)
SEATING
PLANE
8°
0°
0.33 (0.0130)
0.20 (0.0079)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-013-AA
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
图28. 16引脚标准小型封装[SOIC_W]
宽体
(RW-16)
图示尺寸单位：mm和(inch)
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1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
03-27-2007-B
1
ADuM3223/ADuM4223
订购指南
型号1, 2
ADuM3223ARZ
ADuM3223ARZ-RL7
ADuM3223BRZ
ADuM3223BRZ-RL7
ADuM3223CRZ
ADuM3223CRZ-RL7
ADuM3223WARZ
ADuM3223WARZ-RL7
ADuM3223WBRZ
ADuM3223WBRZ-RL7
ADuM3223WCRZ
ADuM3223WCRZ-RL7
ADuM4223ARWZ
ADuM4223ARWZ-RL
ADuM4223BRWZ
ADuM4223BRWZ-RL
ADuM4223CRWZ
ADuM4223CRWZ-RL
ADuM4223WARWZ
ADuM4223WARWZ-RL
ADuM4223WBRWZ
ADuM4223WBRWZ-RL
ADuM4223WCRWZ
ADuM4223WCRWZ-RL
EVAL-ADuM3223AEBZ
EVAL-ADuM4223AEBZ
1
2
通道数
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
输出峰值电流
(A)
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
最小输出
电压(V)
4.5
4.5
7.5
7.5
11.5
11.5
4.5
4.5
7.5
7.5
11.5
11.5
4.5
4.5
7.5
7.5
11.5
11.5
4.5
4.5
7.5
7.5
11.5
11.5
4.5
4.5
温度范围
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
封装描述
16引脚 SOIC_N
16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘
16引脚 SOIC_N
16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘
16引脚 SOIC_N
16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘
16引脚 SOIC_N
16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘
16引脚 SOIC_N
16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘
16引脚 SOIC_N
16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘
16引脚 SOIC_W
16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘
16引脚 SOIC_W
16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘
16引脚 SOIC_W
16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘
16引脚 SOIC_W
16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘
16引脚 SOIC_W
16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘
16引脚 SOIC_W
16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘
ADuM3223评估板
ADuM3223评估板
封装选项
R-16
R-16
R-16
R-16
R-16
R-16
R-16
R-16
R-16
R-16
R-16
R-16
RW-16
RW-16
RW-16
RW-16
RW-16
RW-16
RW-16
RW-16
RW-16
RW-16
RW-16
RW-16
订购数量
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1000
1000
1000
1000
1000
1000
Z = 符合RoHS标准的器件。
ADuM3223W和ADuM4223W = 通过汽车应用认证。
汽车应用产品
ADuM3223W和ADuM4223W生产工艺受到严格控制，以提供满足汽车应用的质量和可靠性要求。请注意，车用型号的
技术规格可能不同于商用型号；因此，设计人员应仔细阅读本数据手册的技术规格部分。只有显示为汽车应用级的产品
才能用于汽车应用。欲了解特定产品的订购信息并获得这些型号的汽车可靠性报告，请联系当地ADI客户代表。
©2012–2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and
registered trademarks are the property of their respective owners.
D10450sc -0-4/14(D)
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工商网监
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