LT4275BHDD#TRPBF

LT4275BHDD#TRPBF

  • 厂商:

    AD(亚德诺)

  • 封装:

    WFDFN10_EP

  • 描述:

    IC POE CNTRL 1 CHANNEL 10DFN

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
LT4275BHDD#TRPBF 数据手册
LT4275BHDD#TRPBF
### 物料型号 - LT4275A:支持LTPoE++™,能提供最高90W的功率。 - LT4275B:符合IEEE 802.3at标准,提供最高25.5W的功率。 - LT4275C:符合IEEE 802.3af标准,提供最高13W的功率。

### 器件简介 LT4275是一款兼容IEEE 802.3和LTPoE++的受电设备(PD)控制器。该系列包括不同的型号,以支持不同的功率级别和标准。

### 引脚分配 - IEEEUVLO (Pin 1):热插拔开启阈值控制。 - AUX (Pin 2):辅助电源检测。 - RCLASS (Pin 3):可编程PoE分类电阻。 - RCLASS++ (Pin 4, LT4275A Only):LTPoE++分类电阻。 - GND (Pin 5):地线引脚。 - T2P (Pin 6, LT4275A/LT4275B Only):PSE类型指示器。 - PWRGD (Pin 7):电源良好指示器。 - HSSRC (Pin 8):外部热插拔MOSFET源极。 - HSGATE (Pin 9):外部热插拔MOSFET栅极控制。 - VPORT (Pin 10):PD接口上部电源轨和外部热插拔MOSFET漏极连接。 - Exposed Pad (Pin 11, DFN Package Only):地线,必须焊接到PCB地线。

### 参数特性 - 最大输入电压:100V。 - 结温范围:-40°C至125°C。 - 过温保护:集成。 - 外部热插拔N沟道MOSFET:用于最低功耗和最高系统效率。

### 功能详解 LT4275内部的充电泵提供N沟道MOSFET解决方案,消除了更大且成本更高的P沟道MOSFET。低RDS(ON) MOSFET也最大化了功率传输和效率,减少了功耗和热量产生,简化了热设计。

### 应用信息 适用于高功率无线数据系统、户外安全摄像机设备、商业和公共信息显示器以及高温工业应用。

### 封装信息 - DFN封装:10引脚塑料DFN(3mm×3mm)。 - MSOP封装:10引脚塑料MSOP。
LT4275BHDD#TRPBF 价格&库存

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