LTC4359HS8#PBF

物料型号：LTC4359 器件简介：LTC4359是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动外部N沟道MOSFET，替代肖特基二极管。

它通过控制MOSFET的正向电压降，确保即使在轻载情况下也能平滑提供电流，无振荡。

如果电源故障或短路，快速关断功能可以最小化反向电流瞬变。

器件还提供关闭模式，以将静态电流降至9μA（用于负载开关）或14μA（用于理想二极管应用）。

引脚分配： - OUT：漏极电压感应 - VSS：供电电压返回和器件地 - SHDN：关闭控制输入 - GATE：栅极驱动输出 - IN：电压感应和供电电压 - SOURCE：源连接 参数特性： - 工作电压范围宽：4V至80V - 反向输入保护至-40V - 关闭模式下静态电流低：9μA（负载开关）或14μA（理想二极管） - 工作电流低：150μA - 无振荡平滑切换 - 控制单个或背靠背N沟道MOSFET 功能详解： - 在高电流二极管应用中，LTC4359减少功耗、散热、电压损失和PCB板面积。

- 宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力以及高温度等级使其满足汽车和电信应用的苛刻要求。

- LTC4359还可以轻松地在具有冗余电源的系统中对电源进行“或”操作。

应用信息： - 汽车电池保护 - 冗余电源 - 电信基础设施 - 计算机系统/服务器 - 太阳能系统 封装信息： - 6引脚（2mm × 3mm）塑料DFN - 8引脚塑料MSOP - 8引脚塑料SO

以上信息摘自LTC4359的数据手册。