LTC4412HVIS6#TRPBF

物料型号：LTC4412HV 是一款由凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）生产的36V低压降PowerPath控制器，采用ThinSOT封装。

器件简介：LTC4412HV用于控制外部P沟道MOSFET，实现接近理想的二极管功能，用于电源切换或负载共享。

它能够在多种电源之间高效地进行“或”操作，延长电池寿命，降低自加热。

导通时，MOSFET上的电压降通常为20mV。

引脚分配： - VIN1（引脚1）：主输入电源电压。

- GND2（引脚2）：地。

- CTL3（引脚3）：数字控制输入。

- STAT4（引脚4）：开漏输出状态引脚。

- GATE5（引脚5）：主P沟道MOSFET电源开关栅极驱动引脚。

- SENSE6（引脚6）：电源感应输入引脚。

参数特性： - 供电电压范围：3V至36V。

- 工作温度范围：-40°C至125°C。

- 低静态电流：11µA。

- 电池电压范围：2.5V至36V。

- 反向电池保护。

- 栅极保护钳位。

- 手动控制输入。

- 薄型SOT-23封装。

功能详解： - LTC4412HV通过控制外部MOSFET实现高效电源切换和负载共享，自动断开电池负载以连接辅助电源，允许多个LTC4412HV互联实现电池间的负载共享或多电池充电。

- STAT引脚可启用辅助P沟道MOSFET电源开关，或向微控制器指示辅助电源已连接。

- CTL输入允许用户强制关闭主MOSFET并拉低STAT引脚。

应用信息： - 适用于工业和汽车应用、笔记本电脑和手持计算机、USB供电外设、不间断电源等。

- 设计师可利用LTC4412HV实现低成本、高效率的电源管理。

封装信息：LTC4412HV采用薄型（1mm）SOT-23封装，具有优良的散热性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限的应用场合。