物料型号：
- MAX15018A/B 和 MAX15019A/B 是Maxim Integrated生产的高速半桥MOSFET驱动器。
器件简介：
- 这些驱动器适用于高频、125V半桥、n沟道MOSFET，能在高压应用中驱动高侧和低侧MOSFET。它们独立控制，具有35ns（典型值）的传播延迟，并在驱动器间匹配在2ns（典型值）以内。这些设备适用于高频电信电源转换器中的大功率应用。
引脚分配：
- VDD（1）：供电电压引脚，电压范围8V至12.6V。
- BST（2）：升压飞电容连接。
- DH（3）：高侧栅极驱动输出。
- HS（4）：高侧MOSFET源连接。
- INH（5）：高侧非反相逻辑输入。
- INL（6）：低侧非反相（MAX15018A/MAX15019A）或反相（MAX15018B/MAX15019B）输入。
- GND（7）：地。
- DL（8）：低侧栅极驱动输出。
- EP（暴露垫）：与GND内部连接，应连接到大的地平面以帮助散热。
参数特性：
- 工作电压：8V至12.6V。
- 峰值源/汇电流：3A。
- 传播延迟：35ns（典型值）。
- 逻辑输入电压：CMOS（VDD/2）或TTL电平。
- 封装：8引脚SO-EP封装，可在+70°C环境温度下耗散1.95W的功率。
功能详解：
- 这些驱动器提供快速开关时间，非常短的传播延迟，并且在驱动器之间匹配传播延迟时间，非常适合高频应用。内部逻辑电路在输出状态变化期间防止直通，并最小化封装功耗。
应用信息：
- 电信电源、同步降压DC-DC转换器、半桥、全桥和双开关正向转换器、电源模块、电机控制。
