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MAX8794ETB/V+T

MAX8794ETB/V+T

  • 厂商:

    AD(亚德诺)

  • 封装:

    WFDFN10_EP

  • 描述:

    Automotive, AEC-Q100 LDO (Linear), DDR Voltage Regulator IC 1 Output 10-TDFN-EP (3x3)

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MAX8794ETB/V+T 数据手册
MAX8794ETB/V+T
物料型号: - MAX8794ETB+:工业级,工作温度范围-40°C至+85°C,10引脚TDFN-EP(3mm x 3mm)封装,标记为ASW。 - MAX8794ETB/V+:汽车级,工作温度范围-40°C至+85°C,10引脚TDFN-EP(3mm x 3mm)封装,标记为ASW。

器件简介: MAX8794是一款低电压DDR线性稳压器,能够使用内部n沟道MOSFET提供高达3A峰值的源电流和沉电流。这款线性稳压器可以从1.1V至3.6V的低电压电源输入中提供精确的0.5V至1.5V输出。MAX8794使用一个单独的3.3V偏置电源来为控制电路和驱动内部n沟道MOSFET供电。此外,MAX8794还提供了电流和热限制以防止线性稳压器损坏,并生成一个电源良好(PGOOD)信号以指示输出处于调整状态。

引脚分配: - REFOUT:缓冲的参考输出。 - Vcc:模拟电源输入。 - AGND:模拟地。 - REFIN:外部参考输入。 - PGOOD:开漏电源良好输出。 - OUTS:输出感测输入。 - SHDN:关闭控制输入。 - PGND:电源地。 - OUT:线性稳压器的输出。 - IN:电源输入。 - EP:暴露的垫,连接到大的AGND地平面。

参数特性: - 内部电源MOSFET具有电流限制(典型值3A)。 - 快速负载瞬态响应。 - 外部参考输入和参考输出缓冲。 - 1.1V至3.6V的电源输入范围。 - ±15mV最大负载调整误差。 - 热故障保护。 - 关闭输入。 - 电源良好窗口比较器,典型延迟2ms。 - 小型、低轮廓、10引脚、3mm x 3mm TDFN封装。 - 陶瓷或聚合物输出电容器。

功能详解: MAX8794可以用于DDR应用中的终止电源,提供1.25V或0.9V,峰值电流达3A,输入电压为1.1V至3.6V。它还提供shoot-through保护,确保源和汇MOSFET不会同时导通,同时产生快速的源到汇负载瞬态。MAX8794具有开漏PGOOD输出,在输出初次达到调整后2ms内变为高电平。PGOOD在输出超出调整范围±150mV或进入关闭状态时在10μs内变为低电平。MAX8794具有电流和热限制电路,以防止故障条件下的损坏。

应用信息: MAX8794适用于笔记本电脑/桌面电脑DDR内存终止、活动终止总线、图形处理器核心供电以及芯片集/RAM供电,最低可达0.5V。
MAX8794ETB/V+T 价格&库存

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