物料型号:
- 型号为MS2200。
器件简介:
- MS2200是一款密封的、金金属化硅NPN脉冲功率晶体管,采用共基平衡配置。该晶体管设计用于在400-500MHz频率范围内需要高峰值功率和低占空比的应用。
引脚分配:
- 1. Collector(集电极)
- 2. Base(基极)
- 3. Emitter(发射极)
- 4. Base(基极)
参数特性:
- 绝对最大额定值(Tcase = 25°C):
- VCBO:Collector-Base Voltage(集电极-基极电压)65V
- VcES:Collector-Emitter Voltage(集电极-发射极电压)65V
- VEBO:Emitter-Base Voltage(发射极-基极电压)3.5V
- Ic:Device Current(器件电流)43.2A
- PDISS:Power Dissipation(功率耗散)1167W
- TJ:Junction Temperature(结温)+200°C
- TSTG:Storage Temperature(储存温度)-65 to +150°C
功能详解:
- MS2200具有500瓦特在250微秒脉冲宽度、10%占空比下的脉冲功率,具有输入匹配、共基配置、无限VSWR能力等特点,适用于UHF脉冲应用。
应用信息:
- 适用于需要高峰值功率和低占空比的应用,特别是在400-500MHz的频率范围内。
封装信息:
- 封装为.400x.500 4LFL(M102),是一种密封封装。