ハイ リ ド型 リ ブッ ニアホールIC EQシ ーズ リ
(暫定) EQ-712L
●磁電変換特性
Vout
S マーク面
梱包は500個/袋のバルク供給となります。
EQ-712Lは、 InAs高感度ホール素子と増幅回路を独自のアセンブル技術を用いてハイブリ ド化したものです。 ッ
注意 弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の : 「重要注意事項」 を良くお読み下さい。
Vcc VsatH
1
2
3
1:Vcc 2:GND 3:OUT
VoutO
VsatL
N 印加磁束の方向
N
Magnetic flux density
S
●最大定格 (Ta=25℃)
項 目 電 出 源 力 電 電 記号 圧 Vcc 流 Iout 定 格 6 ±1.2(*)
−30 ∼ 100 −40 ∼ 125
●回路構成
1:Vcc
単 位 V mA
3:OUT
動 作 周 囲 温 度 Topr 保 存 温 度 Tstg
℃ ℃
2:GND Hall Element Amplifier
(*) Vcc=5V時
●磁気及び電気的特性 (Ta=25℃,Vcc=5V)
項 目 記号 測 定 条 件 最小 3 標準 5 9 2.4 B=25mT 30 Vcc-0.3 0 100 3 -5 -0.35 0 0 5 5 2.5 40 最大 5.5 12 2.6 50 Vcc 0.3 単位 V mA V mV/mT V V kHz μsec %/℃
動 作 電 圧 範 囲 VCC 消 中 磁 費 点 気 電 電 感 流 Icc
圧 Vout0 度
(*)
VH
出力飽和電圧1 出力飽和電圧2 帯 域 幅 応答速度 磁気感度温度係数 中点電圧温度係数
VsatH Iout=-0.5mA VsatL Iout=0.5mA fT Tr 10%低下周波数 90%到達時
(*)
(*)
(*)
(**)
αVH Ta=-30∼100℃の範囲で Ta=25℃の時に対する最大誤差 αVout0 Ta=-30∼100℃最小二乗近似
(**)
0.35 mV/℃
(*)の項目は設計保証と り す。 なま (**)の項目は参考値です。
1 mT] [Gauss] [ =10
EQ-712L
•製品はある確率で故障する可能性があります。 医療機器、 自動車、 航空宇宙機器、 原子力制御用機器等、 その装置 機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、 ・ ・ ・ 生命 身体 財 産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、 必ず事前に弊社の書面による同意をおとり ください。 •当製品にはガリウムヒ素 (GaAs) が使用されています。 取り扱い及び廃棄に注意してください。
●外形寸法図 (単位 mm) :
●動作電圧範囲
6
5°
5.5 5
入力電圧〔V〕
45° 4.1 φ0.3 Sensor Center 1.15 10° 0.79 3.0 0.41 10° Max. 15.0 5° 0.55 1 Vcc : 2 GND : 3 OUT : 5°
4.5 4 3.5 3 2.5 2 -40
-20
0
20
40
60
80
100
120
3−0.4
周 囲温度〔℃〕
1
2
3
0.25
1.27 1.27 ※注 センサの中心はφ0.3mmの 円内に位置します。
●磁電変換特性
5.0 4.5 4.0 出 力電圧〔V〕 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 -75 -50 -25 0 磁束密度〔mT〕 25 50 75 T a=25℃ Vcc=3V Vcc=4V V cc=5V
●磁気感度温度特性
60
● (参考) 中点電圧温度特性
3.0
磁 気感度〔mV/mT〕
Vcc=5V Vcc=4V Vcc=3V
2.5 中点電圧〔V〕
Vcc=5V
40
2.0
Vcc=4V
20
1.5 B=25mT
Vcc=3V
B=0mT 0 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 周 囲温度〔℃〕 1.0 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
周 囲温度〔℃〕
本品は開発品のため仕様は予告なく変更することがあります。
重要注意事項
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2008 年 11 月 17 日現在
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