文档中的物料型号为:SI2301CSD-T1-GE3。
器件简介:SI2301CSD-T1-GE3 是一款 N 通道功率 MOSFET,具有低导通电阻和快速开关特性。
引脚分配:G(栅极),D(漏极),S(源极)。
参数特性:导通电阻(RDS(on))为 2.5 mΩ max,击穿电压(V(BR)DSS)为 30V。
功能详解:用于低电压、高效率的电源转换和电机控制应用。
应用信息:适用于需要高效率和低功耗的电源管理、电机驱动和电池管理系统。
封装信息:采用 T1 封装,适用于表面贴装技术(SMT)。