AF4825PSA

厂商：
ANACHIP(易亨)
封装：
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AF4825PSA - P-Channel 30-V (D-S) MOSFET - Anachip Corp

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AF4825P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Features -Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life -Miniature SO-8 Surface Mount Package Saves Board Space -High power and current handling capability -Extended VGS range (±25) for battery pack applications General Description These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are PWM DC-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, battery charger, telecommunication power system, and telephones power system. Product Summary VDS (V) -30 rDS(on) (mΩ) 13@VGS=-10V 19@VGS=-4.5V ID (A) -11.5 -9.3 Pin Assignments S S S G 1 2 3 4 8 7 6 5 Pin Descriptions D D D D Pin Name S G D Description Source Gate Drain SOP-8 Ordering information AX Feature F :MOSFET PN 4825P X X X Package S: SOP-8 Lead Free Blank : Normal L : Lead Free Package Packing Blank : Tube or Bulk A : Tape & Reel This datasheet contains new product information. Anachip Corp. reserves the rights to modify the product specification without notice. No liability is assumed as a result of the use of this product. No rights under any patent accompany the sale of the product. Rev. 1.0 Jul 16, 2004 1/3 AF4825P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Absolute Maximum Ratings (TA=25ºC unless otherwise noted) Symbol VDS VGS ID IDM IS PD TJ, TSTG Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (Note 1) TA=25ºC TA=70ºC Pulsed Drain Current (Note 2) Continuous Source Current (Diode Conduction) (Note 1) TA=25ºC Power Dissipation (Note 1) TA=70ºC Operating Junction and Storage Temperature Range Rating -30 ±25 -11.5 -9.3 ±50 -2.1 3.1 2.3 -55 to 150 Units V V A A A W ºC Thermal Resistance Ratings Symbol RθJC RθJA Parameter Maximum Junction-to-Case (Note 1) Maximum Junction-to-Ambient (Note 1) t < 5 sec t < 5 sec Maximum 25 50 Units ºC/W ºC/W Note 1: surface Mounted on 1”x 1” FR4 Board. Note 2: Pulse width limited by maximum junction temperature Specifications (TA=25ºC unless otherwise noted) Symbol Static V(BR)DSS VGS(th) IGSS IDSS ID(on) rDS(on) Parameter Drain-Source breakdown Voltage Gate-Threshold Voltage Gate-Body Leakage Zero Gate Voltage Drain Current On-State Drain Current (Note 3) Drain-Source On-Resistance (Note 3) Test Conditions VGS=0V, ID=-250uA VDS= VGS, ID=-250uA VDS=0V, VGS=±25V VDS=-24V, VGS=0V VDS=-24V, VGS=0V, TJ=55ºC VDS=-5V, VGS=-10V VGS=-10V, ID=-11.5A VGS=-4.5V, ID=-9.3A VGS=-10V, ID=-13A, TJ=55ºC VGS=-15V, ID=-11.5A IS=2.5A, VGS=0V VDS=-15V, VGS=-10V, ID=-11.5A Min. -30 -1 -50 Limits Typ. -1.6 10 15 11 29 -0.8 64 11 17 15 13 100 54 Max. -3 ±100 -1 -5 13 19.0 13 -1.2 100 25 20 152 81 S V Unit V V nA uA A mΩ gfs Forward Tranconductance (Note 3) VSD Diode Forward Voltage Dynamic (Note 4) Qg Total Gate Charge Qgs Gate-Source Charge Qgd Gate-Drain Charge Switching td(on) Turn-On Delay Time tr Rise Time td(off) Turn-Off Delay Time tf Fall-Time nC VDD=-15, RL=6Ω, ID=-1A, VGEN=-10V nS Note 3: Pulse test: PW < 300us duty cycle < 2%. Note 4: Guaranteed by design, not subject to production testing. Anachip Corp. www.anachip.com.tw 2/3 Rev. 1.0 Jul 16, 2004 AF4825P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Marking Information SOP-8L ( Top View ) 8 Logo Part Number 4825P AA Y W X 1 Lot code: "X": Non-Lead Free; "X": Lead Free "A~Z": 01~26; "A~Z": 27~52 Week code: "A~Z": 01~26; "A~Z": 27~52 Year code: "4" =2004 Factory code ~ Package Information Package Type: SOP-8L E H L VIEW "A" D 7 (4X) 0.015x45 7 (4X) A2 A A1 e B y C VIEW "A" Symbol A A1 A2 B C D E e H L y θ Dimensions In Millimeters Min. Nom. Max. 1.40 1.60 1.75 0.10 0.25 1.30 1.45 1.50 0.33 0.41 0.51 0.19 0.20 0.25 4.80 5.05 5.30 3.70 3.90 4.10 1.27 5.79 5.99 6.20 0.38 0.71 1.27 0.10 0O 8O Dimensions In Inches Min. Nom. Max. 0.055 0.063 0.069 0.040 0.100 0.051 0.057 0.059 0.013 0.016 0.020 0.0075 0.008 0.010 0.189 0.199 0.209 0.146 0.154 0.161 0.050 0.228 0.236 0.244 0.015 0.028 0.050 0.004 0O 8O Anachip Corp. www.anachip.com.tw 3/3 Rev. 1.0 Jul 16, 2004

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AF4825PSA

### 物料型号 - 型号：AF4825P

### 器件简介 - 这些微型表面贴装MOSFET采用高细胞密度工艺。低漏源电阻（rDS(on)）确保最小功耗和能量节省，使该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括PWM DC-DC转换器、便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统。

### 引脚分配 | 引脚名称 | 描述 | | --- | --- | | S | 源极 | | G | 栅极 | | D | 漏极 |

### 参数特性 - 绝对最大额定值： - VDS（漏源电压）：-30V - VGS（栅源电压）：±25V - ID（连续漏极电流）：-11.5A（TA=25ºC时）和-9.3A（TA=70ºC时） - IDM（脉冲漏极电流）：±50A - IS（连续源极电流）：-2.1A - PD（功率耗散）：3.1W（TA=25ºC时）和2.3W（TA=70ºC时） - TJ, TSTG（工作结和存储温度范围）：-55至150ºC

- 热阻等级： - RθJC（最大结到外壳热阻）：25ºC/W（t < 5秒） - RθJA（最大结到环境热阻）：50ºC/W（t < 5秒）

- 静态参数： - V(BR)DSS（漏源击穿电压）：-30V - VGS(th)（栅阈值电压）：-1.6V - IGSS（栅体漏电流）：±100nA - IDSS（零栅压漏极电流）：-5uA - ID(on)（导通漏极电流）：-50A - rDS(on)（漏源导通电阻）：11mΩ至19mΩ - gfs（正向跨导）：29S - VSD（二极管正向电压）：-1.2V

- 动态参数： - Qg（总栅电荷）：64至100nC - Qgs（栅源电荷）：11nC - Qgd（栅漏电荷）：17nC - td(on)（导通延迟时间）：15至25ns - tr（上升时间）：13至20ns - td(off)（关断延迟时间）：100至152ns - tf（下降时间）：81至152ns

### 功能详解 - 该器件具有低漏源电阻，提供更高的效率并延长电池寿命。它还具有高功率和电流处理能力，扩展的栅源电压范围（±25V）适用于电池组应用。

### 应用信息 - 适用于PWM DC-DC转换器、便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统。

### 封装信息 - 封装类型：SOP-8L - 封装尺寸（单位：毫米）： - A：1.40至1.75 - A1：0.10至0.25 - A2：1.30至1.50 - B：0.33至0.51 - C：0.19至0.25 - D：4.80至5.30 - E：3.70至4.10 - e：1.27 - H：5.79至6.20 - L：0.38至1.27 - y：0.10 - 0：8°

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