AF4825PSLA

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ANACHIP
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AF4825PSLA - P-Channel 30-V (D-S) MOSFET - Anachip Corp

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AF4825P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Features -Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life -Miniature SO-8 Surface Mount Package Saves Board Space -High power and current handling capability -Extended VGS range (±25) for battery pack applications General Description These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are PWM DC-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, battery charger, telecommunication power system, and telephones power system. Product Summary VDS (V) -30 rDS(on) (mΩ) 13@VGS=-10V 19@VGS=-4.5V ID (A) -11.5 -9.3 Pin Assignments S S S G 1 2 3 4 8 7 6 5 Pin Descriptions D D D D Pin Name S G D Description Source Gate Drain SOP-8 Ordering information AX Feature F :MOSFET PN 4825P X X X Package S: SOP-8 Lead Free Blank : Normal L : Lead Free Package Packing Blank : Tube or Bulk A : Tape & Reel This datasheet contains new product information. Anachip Corp. reserves the rights to modify the product specification without notice. No liability is assumed as a result of the use of this product. No rights under any patent accompany the sale of the product. Rev. 1.0 Jul 16, 2004 1/3 AF4825P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Absolute Maximum Ratings (TA=25ºC unless otherwise noted) Symbol VDS VGS ID IDM IS PD TJ, TSTG Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (Note 1) TA=25ºC TA=70ºC Pulsed Drain Current (Note 2) Continuous Source Current (Diode Conduction) (Note 1) TA=25ºC Power Dissipation (Note 1) TA=70ºC Operating Junction and Storage Temperature Range Rating -30 ±25 -11.5 -9.3 ±50 -2.1 3.1 2.3 -55 to 150 Units V V A A A W ºC Thermal Resistance Ratings Symbol RθJC RθJA Parameter Maximum Junction-to-Case (Note 1) Maximum Junction-to-Ambient (Note 1) t < 5 sec t < 5 sec Maximum 25 50 Units ºC/W ºC/W Note 1: surface Mounted on 1”x 1” FR4 Board. Note 2: Pulse width limited by maximum junction temperature Specifications (TA=25ºC unless otherwise noted) Symbol Static V(BR)DSS VGS(th) IGSS IDSS ID(on) rDS(on) Parameter Drain-Source breakdown Voltage Gate-Threshold Voltage Gate-Body Leakage Zero Gate Voltage Drain Current On-State Drain Current (Note 3) Drain-Source On-Resistance (Note 3) Test Conditions VGS=0V, ID=-250uA VDS= VGS, ID=-250uA VDS=0V, VGS=±25V VDS=-24V, VGS=0V VDS=-24V, VGS=0V, TJ=55ºC VDS=-5V, VGS=-10V VGS=-10V, ID=-11.5A VGS=-4.5V, ID=-9.3A VGS=-10V, ID=-13A, TJ=55ºC VGS=-15V, ID=-11.5A IS=2.5A, VGS=0V VDS=-15V, VGS=-10V, ID=-11.5A Min. -30 -1 -50 Limits Typ. -1.6 10 15 11 29 -0.8 64 11 17 15 13 100 54 Max. -3 ±100 -1 -5 13 19.0 13 -1.2 100 25 20 152 81 S V Unit V V nA uA A mΩ gfs Forward Tranconductance (Note 3) VSD Diode Forward Voltage Dynamic (Note 4) Qg Total Gate Charge Qgs Gate-Source Charge Qgd Gate-Drain Charge Switching td(on) Turn-On Delay Time tr Rise Time td(off) Turn-Off Delay Time tf Fall-Time nC VDD=-15, RL=6Ω, ID=-1A, VGEN=-10V nS Note 3: Pulse test: PW < 300us duty cycle < 2%. Note 4: Guaranteed by design, not subject to production testing. Anachip Corp. www.anachip.com.tw 2/3 Rev. 1.0 Jul 16, 2004 AF4825P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Marking Information SOP-8L ( Top View ) 8 Logo Part Number 4825P AA Y W X 1 Lot code: "X": Non-Lead Free; "X": Lead Free "A~Z": 01~26; "A~Z": 27~52 Week code: "A~Z": 01~26; "A~Z": 27~52 Year code: "4" =2004 Factory code ~ Package Information Package Type: SOP-8L E H L VIEW "A" D 7 (4X) 0.015x45 7 (4X) A2 A A1 e B y C VIEW "A" Symbol A A1 A2 B C D E e H L y θ Dimensions In Millimeters Min. Nom. Max. 1.40 1.60 1.75 0.10 0.25 1.30 1.45 1.50 0.33 0.41 0.51 0.19 0.20 0.25 4.80 5.05 5.30 3.70 3.90 4.10 1.27 5.79 5.99 6.20 0.38 0.71 1.27 0.10 0O 8O Dimensions In Inches Min. Nom. Max. 0.055 0.063 0.069 0.040 0.100 0.051 0.057 0.059 0.013 0.016 0.020 0.0075 0.008 0.010 0.189 0.199 0.209 0.146 0.154 0.161 0.050 0.228 0.236 0.244 0.015 0.028 0.050 0.004 0O 8O Anachip Corp. www.anachip.com.tw 3/3 Rev. 1.0 Jul 16, 2004

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AF4825PSLA

1. 物料型号： - 型号：AF4825P

2. 器件简介： - 该器件为P-Channel 30-V (D-S) MOSFET，采用高单元密度工艺。低漏源电阻（rDS(on)）确保最小功耗和能量节省，使其非常适合用于电源管理电路。典型应用包括PWM DC-DC转换器、便携式和电池供电产品的电源管理，如电脑、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统。

3. 引脚分配： - S（源极） - G（栅极） - D（漏极）

4. 参数特性： - 漏源电压（Vos）：-30V - 栅源电压（VGS）：±25V - 连续漏源电流（ID）：-11.5A（TA=25°C时），-9.3A（TA=70°C时） - 脉冲漏源电流（IoM）：±50A - 连续源电流（Is）：-2.1A - 功耗（Po）：3.1W（TA=25°C时），2.3W（TA=70°C时） - 工作结温和存储温度范围（TJ,TSTG）：-55至150°C

5. 功能详解： - 该器件利用高单元密度工艺，具有低rDS(on)，有助于减少功率损失和节省能源。适用于电源管理电路，特别是在PWM DC-DC转换器和便携式电池供电产品中。

6. 应用信息： - 适用于PWM DC-DC转换器、便携式和电池供电产品的电源管理，如电脑、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统。

7. 封装信息： - 封装类型：SOP-8L - 具体尺寸（单位：毫米和英寸）： - A：1.40（最小）至1.75（最大），0.055至0.069英寸 - A1：0.10（最小）至0.25（最大），0.040至0.100英寸 - A2：1.30（最小）至1.50（最大），0.051至0.059英寸 - B：0.33（最小）至0.51（最大），0.013至0.020英寸 - C：0.19（最小）至0.25（最大），0.0075至0.010英寸 - D：4.80（最小）至5.30（最大），0.189至0.209英寸 - E：3.70（最小）至4.10（最大），0.146至0.161英寸 - H：5.79（最小）至6.20（最大），0.228至0.244英寸 - L：0.38（最小）至1.27（最大），0.015至0.050英寸 - y：0.10英寸

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