AO3423_102

物料型号：AO3423 器件简介：AO3423是一款20V P沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压（最低2.5V）特性，适用于负载开关应用。

引脚分配：SOT23封装，引脚从左到右依次为D（漏极）、G（栅极）、S（源极）。

参数特性：包括漏源电压（-20V）、栅源电压（-2V）、连续漏极电流（-2A）、脉冲漏极电流（-17A）、功耗（1.4W/0.9W）、结温和储存温度范围（-55至150摄氏度）等。

功能详解：包括静态参数、动态参数和开关参数，如漏源击穿电压、栅极阈值电压、导通状态下的漏极电流、导通状态下的漏源电阻、正向跨导、二极管正向电压、最大体二极管连续电流、输入电容、输出电容、反向传输电容、栅极电阻、总栅极电荷、栅源电荷、栅漏电荷、导通延迟时间、导通上升时间、关断延迟时间、关断下降时间、体二极管反向恢复时间、体二极管反向恢复电荷等。

应用信息：适用于负载开关应用。

封装信息：SOT23封装。