AO5404EL

物料型号：AO5404E 器件简介：AO5404E是一款N沟道增强型场效应晶体管，采用先进的沟槽技术，能在低至1.8V的门极电压下工作，适用于负载开关或脉宽调制（PWM）应用。

引脚分配：D（漏极）、S（源极）、G（栅极） 参数特性：漏源电压（VDS）20V，连续漏极电流（ID）0.5A（在VGS=4.5V时），静态漏源导通电阻（RDS(ON)）在不同VGS下分别为0.55Ω、0.68Ω和0.80Ω。

功能详解：AO5404E/L具有低导通电阻、低栅极电荷和在低门极电压下工作的特点，符合RoHS标准，具有静电放电（ESD）保护功能。

应用信息：适用于负载开关或PWM应用，且AO5404E和AO5404EL在电气特性上是相同的。

封装信息：SC89-3L。

以上信息摘自Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.官方网站提供的PDF文档。