AO6800L_003

物料型号为 AO6800，是一款30V双N沟道MOSFET。

器件简介指出，AO6800采用先进的沟槽技术，具有出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作，适用于负载开关或PWM应用。

引脚分配如下： - Pin1: D1 - S1: S1 - G1: G1 - D2: D2 - S2: S2 - G2: G2

参数特性包括： - VDS ID（在VGS=10V时）：3.4A < RDS(ON) < 60mΩ < 70mΩ < 90mΩ 30V - 绝对最大额定值：漏源电压VDs最大30V，栅源电压VGs最大±12V - 连续漏极电流：25°C时未给出具体数值，70°C时为低 - 脉冲漏极电流：在25°C时为1.15A，脉冲宽度和占空比未给出具体数值

功能详解和应用信息： - 器件适用于负载开关或PWM应用 - 器件的热特性参数ROJA典型值为78°C/W，最大值为110°C/W - 最大结到环境的热阻为106°C/W（≤10s），稳态为150°C/W - 器件的静态特性、转移特性、导通电阻与栅极电压的关系、结温对导通电阻的影响、栅极电压对导通电阻的影响以及体二极管特性等图表和数据

封装信息为TSOP6。

请注意，文档中还包含了电气特性、热特性、开关参数等详细信息，以及测试电路和波形图。