AOI2606

物料型号：AOD2606/AOI2606 器件简介：60V N-Channel MOSFET，采用沟道功率MV MOSFET技术，具有低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于快速开关应用。

引脚分配：D（漏极）、G（栅极）、S（源极） 参数特性： - 漏源电压（VDS）：60V - 栅源电压（VGS）：-20V至+20V - 漏极电流（ID）：连续46A，脉冲184A - 雪崩电流（IAs）：60A - 雪崩能量（EAS）：180mJ - 存储温度范围：-55°C至+175°C 功能详解：适用于DC/DC和AC/DC转换器的同步整流，工业和电机驱动应用。

应用信息：100% UIS测试，100% Rg测试 封装信息： - AOD2606：TO-252封装，卷带封装，最小订购量2500 - AOI2606：TO-251A封装，管式封装，最小订购量4000

电气特性包括静态参数、动态参数和开关参数，涉及漏源击穿电压、栅极电流、阈值电压、导通电阻、电容等。

热特性包括最大结到环境热阻、结到外壳热阻等。

典型电气和热特性图表提供了导通区域特性、转移特性、导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、体二极管特性、栅极电荷特性、电容特性、最大正向偏置安全工作区、单脉冲功率额定值、归一化最大瞬态热阻等信息。