AOI4T60

物料型号：AOD4T60 和 AOI4T60

器件简介： - AOD4T60 和 AOI4T60 是使用先进的高电压MOSFET工艺制造的，旨在为流行的AC-DC应用提供高性能和鲁棒性。 - 提供低RDS(on)、Ciss和Crss，同时保证雪崩能力，这些部件可以快速采用于新的和现有的离线电源设计中。

引脚分配： - 引脚分配的视图展示了顶视图和底视图，包括D（漏极）、S（源极）和G（栅极）。

参数特性： - 绝对最大额定值和电气特性表提供了详细的参数，如漏极-源极电压、栅极-源极电压、连续漏极电流、脉冲漏极电流、雪崩电流、重复雪崩能量、单脉冲雪崩能量、MOSFET dv/dt鲁棒性、峰值二极管恢复dv/dt等。 - 热特性表包括最大结至环境热阻、最大封装至散热器热阻、最大结至封装热阻。 - 电气特性表包括静态参数和动态参数，如漏极-源极击穿电压、零栅极电压漏极电流、栅极阈值电压、静态漏极-源极导通电阻、正向跨导、二极管正向电压、最大体二极管连续电流、最大体二极管脉冲电流、输入电容、输出电容、有效的输出电容（与能量相关）、有效的输出电容（与时间相关）、反向传输电容、栅极电阻、总栅极电荷、栅源电荷、栅漏电荷、开通延迟时间、开通上升时间、关断延迟时间、关断下降时间、体二极管反向恢复时间、体二极管反向恢复电荷。

功能详解： - 功能详解包括了器件的导通区域特性、传输特性、导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、导通电阻与结温的关系、击穿电压与结温的关系、体二极管特性、栅极电荷特性、Coss存储能量与功耗、电容特性、最大正向偏置安全工作区、功率降额和电流降额。

应用信息： - 该产品已设计并合格用于消费市场。未经授权，不得在生命支持设备或系统中作为关键组件使用。

封装信息： - 提供了TO252、TO251A、DPAK和IPAK封装的视图。