- 物料型号:AOL1412
- 器件简介:使用先进的沟槽技术和集成的肖特基二极管,提供出色的RDS(ON)和低门极电荷。适用于作为开关电源、负载开关和通用应用的低端FET。
- 引脚分配:文档提供了顶视图和底视图的封装信息,显示了G(门极)、D(漏极)、S(源极)的引脚位置。
- 参数特性:
- 漏源电压(VDS)最大值为30V
- 栅源电压(VGS)最大值为±12V
- 存储温度范围为-55至150°C
- 静态漏源导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时小于3.8mΩ
- 100% UIS测试和100% Rg测试
- 功能详解:包括了详细的电气特性,如栅极阈值电压(VGS(th))、漏极电流(ID(ON))、输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)等。
- 应用信息:适用于开关电源、负载开关和通用应用。
- 封装信息:UltraSO-8封装,提供了详细的引脚布局和视图。