物料型号: AON2420
器件简介:
- 采用最新的Trench Power AlphaMOS (αMOS LV)技术
- 30V电压等级
- 在4.5V栅极电压下具有非常低的RDS(on)
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS和无卤素标准
引脚分配:
- 封装类型:DFN 2x2B
- 引脚1:G(栅极)
参数特性:
- 漏源电压(VDS):最大30V
- 栅源电压(VGs):最大20V
- 连续漏极电流(ID):最大8A
- 脉冲漏极电流:最大32A
- 栅源电压尖峰(VSPIKE):最大36V
- 功耗(Po):最大2.8W(25°C),最大1.8W(70°C)
- 结点和储存温度范围:-55°C至150°C
功能详解:
- 静态参数包括漏源击穿电压(BVoss)、零栅压漏电流(DSS)、栅体漏电流(GSS)、栅极阈值电压(VGs(th))、静态漏源导通电阻(RDS(ON))、正向跨导(gFs)、二极管正向电压(VSD)、最大体二极管连续电流。
- 动态参数包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)、栅极电阻(R)。
- 开关参数包括总栅极电荷(Q(10V))、栅源电荷(Qgs)、栅漏电荷(Qgd)、开通延迟时间(tD(on))、开通上升时间、关断延迟时间(tD(off))、关断下降时间、体二极管反向恢复时间、体二极管反向恢复电荷。
应用信息:
- 适用于计算、服务器和POL中的DC/DC转换器
- 适用于电信和工业中的隔离DC/DC转换器
封装信息:
- 提供了DFN 2x2B封装的顶视图和底视图