AON6850

物料型号：AON6850

器件简介： - AON6850采用SDMOSTM沟槽技术制造，结合了优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低Qrr。 - 该技术适用于PWM、负载开关和通用应用。

引脚分配： - 引脚分配图显示了D1、S1、G1、D2、S2、G2的布局，具体为： - D1、S1、G1在顶部视图的左侧。 - D2、S2、G2在顶部视图的右侧。

参数特性： - 绝对最大额定值：Vds最大100V，Vgs最大28V。 - 电气特性：包括漏源击穿电压、零栅极电压漏电流、栅极体漏电流、栅极阈值电压、导通状态下的漏电流、静态漏源导通电阻、正向跨导、二极管正向电压、最大体二极管连续电流等。 - 动态参数：输入电容、输出电容、反向传输电容、栅极电阻。 - 开关参数：总栅极电荷、栅源电荷、栅漏电荷、开通延迟时间、开通上升时间、关断延迟时间、关断下降时间、体二极管反向恢复时间、体二极管反向恢复电荷。

功能详解： - AON6850的静态特性图包括导通区域特性、转移特性、漏源导通电阻与漏电流和栅极电压的关系、漏源导通电阻与结温的关系、漏源导通电阻与栅源电压的关系、体二极管特性。 - 动态特性图包括栅极电荷特性和电容特性。 - 最大正向偏置安全工作区、单脉冲功率额定值、结到外壳的单脉冲功率额定值、归一化最大瞬态热阻抗、单脉冲雪崩能力、功率降额、单脉冲功率额定值（结到环境）、归一化最大瞬态热阻抗（结到环境）、二极管反向恢复电荷和峰值电流与导通电流的关系、二极管反向恢复时间和软度因子与导通电流的关系、二极管反向恢复电荷和峰值电流与di/dt的关系、二极管反向恢复时间和软度因子与di/dt的关系。

应用信息： - 该产品已设计并符合消费市场，未授权在生命支持设备或系统中作为关键组件使用。

封装信息： - 提供的封装信息为DFN5X6 EP2。