AON7408

物料型号：AON7408 器件简介：AON7408是一款30V N-Channel MOSFET，采用先进的沟槽技术和30V设计，提供优异的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。

适用于一般用途的应用。

引脚分配：DFN 3x3 EP封装，引脚1为源极（S），引脚2为漏极（D），引脚3为栅极（G）。

参数特性：漏源电压（VDS）最大30V，栅源电压（VGS）最大+20V，连续漏极电流（ID）在25°C时最大18A，在100°C时最大11.5A，脉冲漏极电流最大64A，导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时小于20mW，在VDS=4.5V时小于32mW。

功能详解：器件符合RoHS和无卤素标准，经过100% UIS测试和100% Rg测试，确保了产品的可靠性和一致性。

应用信息：适用于一般用途，但未授权用于生命维持设备或系统中的关键组件。

封装信息：采用DFN 3x3 EP封装，具有优异的热性能和电气特性，适用于表面贴装技术。

以上信息摘自AOSMD官方网站提供的AON7408数据手册。