物料型号：AON7528
器件简介：30V N-Channel AlphaMOS（αMOS LV）技术，50A < 2mΩ < 3.4mΩ，HBM Class 2，30V，极低的RDS(on)在4.5VGS，低栅极电荷，ESD保护，符合RoHS和无卤素标准。
引脚分配：1-D（漏极），2-S（源极），3-S（源极），4-D（漏极），G（栅极）
参数特性：漏源电压30V，栅源电压+20V，连续漏极电流50A（25°C时）/39A（100°C时），脉冲漏极电流200A，雪崩电流50A，雪崩能量63mJ（0.05mH负载下），VDS尖峰36V（100ns），功耗83W（25°C时）/33W（100°C时）/4W（70°C时），结温和储存温度范围-55至150°C。
功能详解：器件采用最新的沟道功率AlphaMOS技术，具有极低的导通电阻和低栅极电荷特性，适用于DC/DC转换器等应用。
应用信息：适用于DC/DC转换器。
封装信息：DFN 3.3x3.3 EP Top View，封装具有顶视图和底视图。
