AONY36354
30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
• Trench Power MOSFET technology
• Low RDS(ON)
• Low Gate Charge
• High Current Capability
• RoHS and Halogen-Free Compliant
VDS
Q1
30V
Q2
30V
ID (at VGS=10V)
49A
85A
RDS(ON) (at VGS=10V)
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- 1+3.60800
- 100+2.88200
- 750+2.57400
- 1500+2.42000
- 3000+2.31000
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- 1+13.506321+1.62177
- 10+8.5457110+1.02613
- 100+5.70139100+0.68460
- 500+4.48294500+0.53829
- 1000+4.090791000+0.49120
- 国内价格 香港价格
- 3000+3.328443000+0.39967
- 6000+3.250956000+0.39036
- 国内价格
- 100+7.19630
- 1000+4.90670
- 3000+3.27110