物料型号:AOTF10N50FD
器件简介:AOTF10N50FD是一款采用先进的高压MOSFET工艺制造的N沟道MOSFET,具有快速恢复二极管。它设计用于在流行的交流-直流应用中提供高性能和鲁棒性,提供低RDS(on)、Ciss和Crss以及保证的雪崩能力。
引脚分配:文档中未明确提供引脚分配信息,但通常TO-220F封装的MOSFET会有S(源极)、D(漏极)、G(栅极)三个引脚。
参数特性:包括但不限于漏源电压、栅源电压、连续漏电流、脉冲漏电流、雪崩电流、重复雪崩能量、单脉冲雪崩能量、峰值二极管恢复dv/dt、功耗、结温和存储温度范围、最大焊接温度等。
功能详解:文档提供了详细的电气特性表,包括静态参数、动态参数和开关参数,以及典型的电气和热特性图表。
应用信息:文档中未明确提供应用信息,但根据其电气特性,该器件适用于需要高电压和大电流的AC-DC电源转换应用。
封装信息:器件采用TO-220F封装。