物料型号: AOW25S65 & AOWF25S65
器件简介:
- 这些晶体管使用先进的αMOSTM高压工艺制造,旨在在开关应用中提供高性能和鲁棒性。
- 它们具有低RDS(on)、Qg和EOSS,以及保证的雪崩能力。
引脚分配:
- AOW25S65和AOWF25S65的引脚分配在顶视图和底视图中显示,通常包括漏极(D)、源极(S)和栅极(G)。
参数特性:
- 绝对最大额定值包括650V的漏源电压、±30V的栅源电压、25A的连续漏电流等。
- 热特性包括最大结到环境的热阻(RaJA)为65°C/W。
功能详解:
- 包括静态参数、动态参数和开关参数的详细电气特性表。
- 例如,RDS(ON)的静态漏源导通电阻在25°C时的典型值为0.165mΩ,而在150°C时为0.47mΩ至0.53mΩ。
应用信息:
- 这些晶体管适用于新的和现有的离线电源设计。
封装信息:
- 提供了TO-262和TO-262F两种封装类型。