AOY514

1. 物料型号：AOD514、AOI514、AOY514 2. 器件简介： - 采用最新的沟槽功率MOSFET技术。 - 极低的VGS=4.5V时的RDS(on)。 - 低栅极电荷。 - 高电流承载能力。 - 符合RoHS和无卤素标准。 3. 引脚分配： - TO252 DPAK封装：AOD514。 - TO251A IPAK封装：AOI514。 - TO251B (IPAK短引线)封装：AOY514。 4. 参数特性： - 漏源电压(VDS)最大30V。 - 栅源电压(VGS)最大20V。 - 连续漏电流在25°C时最大46A，100°C时最大36A，脉冲漏电流最大163A。 - 雪崩电流最大25A。 - VOS尖峰电压100ns时最大36V。 5. 功能详解： - 包括静态参数、动态参数和开关参数的详细电气特性。 - 提供了导通区域特性、转移特性、导通电阻与漏电流和栅源电压的关系、导通电阻与结温的关系、体二极管特性等图表。 6. 应用信息： - 适用于计算领域的DC/DC转换器、电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器。 7. 封装信息： - 提供了TopView和BottomView的视图，展示了不同封装的引脚布局。