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2N6439

2N6439

  • 厂商:

    ASI

  • 封装:

  • 描述:

    2N6439 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6439 数据手册
2N6439 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2N6439 is a Common Emitter Device Designed For Large signal output amplifier stages in the 225-400 MHz range. PACKAGE STYLE .500 6L FLG FEATURES INCLUDE: • Internal Input Matching Network • 30:1 Load VSWR Capability • All Gold Metalization MAXIMUM RATINGS VCB PDISS 60 V 146 W @ TC = 25 °C 1 = Collector 2 = Base 3 & 4 = Emitter TSTG θJC -65 °C to +200 °C 1.2 °C/W CHARACTERISTICS SYMBOL BVCBO BVCES BVCBO hFE COB GPe GPe ηC Ψ VCE = 28 V IC = 50 mA IC = 50 mA IE = 5.0 mA VCE = 5.0 V VCB = 28 V VCE = 28 V TC = 25 °C TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 33 60 4.0 UNITS V V V IC = 1.0 A f = 1 MHz POUT = 60 W POUT = 60 W f =225- 400 MHz f = 400 MHz 10 67 7.8 7.8 55 30:1 8.5 10.0 100 75 --pF dB % --- A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. 1/1
2N6439
1. 物料型号: - 型号:2N6439

2. 器件简介: - ASI 2N6439是一个共发射极设备,设计用于225-400 MHz范围内的大信号输出放大级。

3. 引脚分配: - 1=集电极 - 2=基极 - 3&4=发射极

4. 参数特性: - 最大额定值: - VcB:60V - PDISs:146W @ T= 25°C - TSTG:-65°C至+200°C - AJc:1.2°C/W - 特性参数: - BVCBO:33V(Ic=50mA时) - BVCES:60V(Ic=50mA时) - BVCBO:4.0V(Ie=5.0mA时) - hFE:10至100(VCE=5.0V,Ic=1.0A) - CoB:67至75pF(VcB=28V,f=1MHz) - Gpe:7.8至8.5dB(VCE=28V,PoUT=60W,f=225-400MHz) - Gpe:7.8至10.0dB(VCE=28V,PoUT=60W,f=400MHz) - nc:55%(VCE=28V,PoUT=60W,f=400MHz) - Y:30:1

5. 功能详解: - 2N6439具有内部输入匹配网络,能够承受30:1的负载VSWR,并且所有金属化都是全金的。

6. 应用信息: - 适用于225-400 MHz范围内的大信号输出放大级。

7. 封装信息: - 封装风格:5006L FLG
2N6439 价格&库存

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