1. 物料型号：2N918
2. 器件简介：
- 2N918是一种NPN硅高频晶体管，专为高频低噪声放大器和振荡器应用而设计。
3. 引脚分配：
- 1=发射极（EMITTER）
- 2=基极（BASE）
- 3=集电极（COLLECTOR）
- 4=外壳（CASE）
4. 参数特性：
- 最大额定值：
- 集电极电流（Ic）：50 mA
- 集电极-发射极电压（VCE）：15V
- 功率耗散（PpIss）：300mW@Tc=25°C，200mW@Tc=25°C
- 工作温度范围（TJ, TsTG）：-65°C至+200°C
5. 功能详解：
- 特性（在Tc=25°C时）：
- 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：15V
- 集电极-基极击穿电压（BVcBO）：30V
- 基极电流（IcBO）：0.01μA至1.0μA
- 发射极-基极击穿电压（BVEBO）：3.0V
- 直流电流增益（hFE）：20
- 饱和压降（VCE(SAT)）：0.4V
- 饱和基极-发射极电压（VBE(SAT)）：1.0V
- 截止频率（f）：600MHz（在VCE=10V，Ic=4.0mA时）
- 零偏置电容（Cob）：3.0pF（在VcB=10V时）
- 零偏置输入电容（Cib）：2.0pF（在VEB=0.5V时）
- 噪声系数（NE）：6.0dB（在VcE=6.0V，Ic=1.0mA，f=60MHz时）
- 功率增益（Gpe）：15dB（在VcB=12V，Ic=6.0mA，f=200MHz时）
- 输出功率（Pout）：25mW（在VcB=15V，Ic=8.0mA，f=500MHz时）
6. 应用信息：
- 2N918适用于高频低噪声放大器和振荡器应用。
7. 封装信息：
- 封装风格为TO-72。
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