2SC1971

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ASI
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描述：
2SC1971 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

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2SC1971 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 2SC1971 is Designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. FEATURES INCLUDE: • • • Replaces Original 2SC1971 in Most Applications High Gain Reduces Drive Requirements Economical TO-220CE Package PACKAGE STYLE TO-220AB (COMMON EMITTER) MAXIMUM RATINGS IC VCBO PDISS TSTG θJC 2.0 A 35 V 12.5 W @ TC = 25 °C -55 °C to +150 °C 10 °C/W 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR TAB = EMITTER CHARACTERISTICS SYMBOL BVCEO BVCBO BVEBO ICBO IEBO hFE COB GPE η POUT IC = 50 mA IC = 10 mA TC = 25 °C TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 17 35 4.0 500 500 UNITS V V V µA µA --pF dB % W IE = 5.0 mA VCES = 25 V VEB = 3.0 V VCE = 10 V VCB = 30 V VCC = 13.5 V PIN = 0.6 W IC = 100 mA f = 1.0 MHz f =175 MHz 10 50 15 180 10 60 6.0 70 7.0 A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 1/1

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2SC1971

1. 物料型号： - 型号：2SC1971 - 描述：NPN硅射频功率晶体管，用于VHF频段移动无线电应用的射频功率放大器。

2. 器件简介： - ASI 2SC1971设计用于VHF频段移动无线电应用的射频功率放大器。 - 特点包括：TO-220AB封装（共发射极）、在大多数应用中可替代原始2SC1971、高增益减少驱动需求、经济的TO-220CE封装。

3. 引脚分配： - 1=基极（BASE） - 2=发射极（EMITTER） - 3=集电极引线=发射极（COLLECTOR TAB = EMITTER）

4. 参数特性： - 最大额定值： - 集电极电流（Ic）：2.0A - 集电极-基极击穿电压（VCBO）：35V - 耗散功率（PDIss）：12.5W @ Tc = 25°C - 存储温度范围（TSTG）：-55°C至+150°C - 热阻（OJc）：10°C/W

5. 功能详解： - 该晶体管在25°C时的特性参数包括： - 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：最小17V - 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：35V - 发射极-基极击穿电压（BVEBO）：4.0V - 集电极反向漏电流（IcBO）：最大500μA - 基极反向漏电流（IEBO）：最大500μA - 电流增益（hFE）：10至180 - 集电极-基极电容（CoB）：15pF - 功率增益（GPE）：10dB - 功率增益平坦度（n）：60%至70% - 输出功率（PoUT）：6.0W至7.0W

6. 应用信息： - 适用于VHF频段移动无线电应用的射频功率放大器。

7. 封装信息： - 封装风格：TO-220AB（共发射极） - 封装尺寸： - A: 10mm至10.4mm（0.393至0.409英寸） - B: 15.2mm至15.9mm（0.598至0.626英寸） - C: 12.7mm至13.7mm（0.500至0.539英寸） - D至U：具体尺寸详见文档中的“DIMENSIONS”部分。

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