ASIBLX65S

厂商：
ASI
封装：
描述：
ASIBLX65S - NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

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ASI BLX65S NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI BLX65S is Designed for 12.5 V Class C Amplifier Applications in the 100 to 500 MHz Frequency Range. PACKAGE STYLE TO-39 FEATURES INCLUDE: • Economical TO-39 Package • 8 dB Typical Gain • Emitter Ballasting MAXIMUM RATINGS IC VCBO PDISS TJ TSTG θJC O O 750 mA 36 V 5.0 W @ TC = 25 C -65 C to +200 C -65 C to +200 C 35 C / W O O O O 1 = EMITTER 2 = BASE 3 = COLLECTOR (CASE) CHARACTERISTICS SYMBOL BVCEO BVCES BVEBO ICBO hFE COB GPE ηC IC = 50 mA IC = 50 mA IE = 1.0 mA VCB = 15 V VCB = 5.0 V TA = 25 C O NONE TEST CONDITIONS MINIMUM 16 36 2.5 TYPICAL MAXIMUM UNITS V V V 1.0 IC = 50 mA f = 1.0 MHz POUT = 2.0 W f = 470 MHz 7.0 55 20 15 200 mA --pF dB % VCB = 12.5 V VCE = 12.5 V A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 1/1

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ASIBLX65S

1. 物料型号： - 型号：ASI BLX65S

2. 器件简介： - ASI BLX65S是一款NPN硅高频晶体管，设计用于12.5V的C类放大器应用，频率范围为100至500MHz。

3. 引脚分配： - 1=发射极（Emitter） - 2=基极（Base） - 3=集电极（Collector，即外壳）

4. 参数特性： - 最大额定值： - 集电极电流（Ic）：750mA - 基极-集电极击穿电压（VCBO）：36V - 耗散功率（PDISs）：5.0W @ 25°C - 工作结温（TJ）：-65°C至+200°C - 存储温度（TSTG）：-65°C至+200°C - 热阻（OJc）：35°C/W

5. 功能详解和应用信息： - 该晶体管具有经济的TO-39封装，典型增益为8dB，并且具有发射极电流均衡功能。它适用于100至500MHz频率范围内的C类放大器应用。

6. 封装信息： - 封装风格：TO-39 - 封装尺寸：详细尺寸参数以英寸和毫米为单位列出，包括最小值和最大值。

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