ASIMV1807J1

ASIMV1807J1

  • 厂商:

    ASI

  • 封装:

  • 描述:

    ASIMV1807J1 - SILICON VARACTOR DIODE - Advanced Semiconductor

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ASIMV1807J1 数据手册
MV1807J1 SILICON VARACTOR DIODE DESCRIPTION: The ASI MV1807J1 is a Diffused Epitaxial Varactor Diode Designed for Multiplier Applications. PACKAGE STYLE DO-4 MAXIMUM RATINGS I V PDISS TJ TSTG θJC O O 100 mA 80 V 21 W @ TC = 25 C -65 C to +150 C -65 C to +175 C 6.0 C/W O O O O Cathode to case CHARACTERISTICS SYMBOL VB CT RS FOUT POUT FIN PIN IR = 10 µA VR = 6.0 V VR = 6.0 V TC = 25 C O NONE TEST CONDITIONS f = 1.0 MHz f = 50 MHz MINIMUM 80 10.8 TYPICAL MAXIMUM 13.2 UNITS V pF Ohms MHz W MHz W 0.25 1000 25.1 500 37.0 A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 1/1
ASIMV1807J1
1. 物料型号:MV1807J1

2. 器件简介: - MV1807J1是一款用于倍频应用的扩散外延变容二极管。

3. 引脚分配: - 文档中提到了“Cathode to case”,意味着阴极连接到外壳。

4. 参数特性: - 最大额定值: - 电流(I):100 mA - 电压(V):80 V - 耗散功率(PDISS):21 W @ TC = 25°C - 工作结温(TJ):-65°C 至 +150°C - 存储结温(TSTG):-65°C 至 +175°C - 热阻(θJC):6.0°C/W - 特性参数: - 反向电压(VB)@ IR = 10 µA:80 V - 电容(CT)@ f = 1.0 MHz:10.8 至 13.2 pF - 串联电阻(RS)@ f = 50 MHz:0.25 Ohms - 功率参数: - FOUT(输出频率):1000 MHz - POUT(输出功率):25.1 W - FIN(输入频率):500 MHz - PIN(输入功率):37.0 W

5. 功能详解: - MV1807J1设计用于在多倍频应用中工作,具有特定的电容和功率特性,以满足高频电路的需求。

6. 应用信息: - 该器件适用于需要倍频功能的高频电路,如通信设备中的信号处理部分。

7. 封装信息: - 封装风格为DO-4。
ASIMV1807J1 价格&库存

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