1. 物料型号:
- 型号:TPV591
2. 器件简介:
- TPV591是一款NPN硅射频功率晶体管,设计用于高线性电视波段IV和V发射机的共发射极设备。
3. 引脚分配:
- 1=集电极(Collector)
- 2=基极(Base)
- 3&4=发射极(Emitter)
4. 参数特性:
- 最大额定值:
- 集电极电流(Ic):300 mA
- 基极-集电极电压(VcB):45V
- 发散功率(PDIss):5.3 W@TC= 25°C
- 工作温度范围(TJ):-55°C至+200°C
- 存储温度范围(TSTG):-55°C至+200°C
- 热阻(OJc):33.0°C/W
- 特性参数(Tc=25°C):
- 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):最小值22V
- 基极-集电极击穿电压(BVCBO):最小值45V
- 集电极-基极击穿电压(BVEBO):最小值3.5V
- 电流增益(hFE):最小值20,最大值200
- 集电极电容(Cob):3.0 pF(在VcB = 28V,f = 1.0 MHz条件下)
- 发射极去耦(Pg):13dB(在Pref = 0.5 W,声音载波=-7.0 dB,图像载波=-8.0 dB,色度=-16 dB,f = 860 MHz条件下)
- 互调失真(IMD):-58dB(在Pref = 0.5 W,VE = 20 V,IE = 150 mA,声音载波=-7.0dB,图像载波=-8.0 dB,色度=-16 dB,f = 860 MHz条件下)
5. 功能详解和应用信息:
- 该晶体管适用于高线性电视波段IV和V发射机,具有高功率和良好的射频特性,适用于需要高线性和功率输出的应用。
6. 封装信息:
- 封装风格:280 4L STUD
- 封装尺寸参数(单位:毫米/英寸):
- A:25.40/1.000
- B:45/5'
- C:0.76/0.030
- D:5.18DIA/.204DIA
- E:1.19/.047
- F:0.13/.005
- G:2.92/.115
- H:12.83/.505
- I:3.30/.130
- J:16.18/.637(参考值)
- K:1.52/.060