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ASITPV591

ASITPV591

  • 厂商:

    ASI

  • 封装:

  • 描述:

    ASITPV591 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

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ASITPV591 数据手册
TPV591 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI TPV591 is a Common Emitter Device Designed for High Linearity Class A Television Band IV and V Transmitters. PACKAGE STYLE .280 4L STUD FEATURES INCLUDE: • Gold Metalization • Emitter Ballasting MAXIMUM RATINGS IC VCB PDISS TJ T STG θ JC 300 mA 45 V 5.3 W @ TC = 25 OC -55 OC to +200 OC -55 OC to +200 OC 33.0 OC/W 1 = COLLECTOR 2 = BASE 3 & 4 = EMITTER CHARACTERISTICS SYMBOL BV CEO BV CBO BV EBO hFE Cob IC = 10 mA IC = 10 mA IE = 1.0 mA VCE = 5.0 V VCB = 28 V TC = 25 OC NONE TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 22 45 3.5 UNITS V V V IC = 100 mA f = 1.0 MHz f = 860 MHz 20 200 3.0 --pF dB Pref = 0.5 W Pg SOUND CARRIER = -7.0 dB VISION CARRIER = -8.0 dB 13 CHROMA = -16 dB IMD Pref = 0.5 W f = 860 MHz VCE = 20 V IC = 150 mA SOUND CARRIER =-7.0dB VISION CARRIER = -8.0 dB CHROMA = -16 dB -58 dB A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 1/1 ERROR! REFERENCE SOURCE NOT FOUND. Α ∆ ς Α Ν Χ Ε ∆ Σ Ε Μ Ι Χ Ο Ν ∆ Υ Χ Τ Ο Ρ, Ι Ν Χ. 7525 ΕΤΗΕΛ ΑςΕΝΥΕ • ΝΟΡΤΗ ΗΟΛΛΨΩΟΟ∆, ΧΑ 91605 • (818) 982−1202 • Τελεξ: 18−2651 • ΦΑΞ (818) 765−3004
ASITPV591
1. 物料型号: - 型号:TPV591

2. 器件简介: - TPV591是一款NPN硅射频功率晶体管,设计用于高线性电视波段IV和V发射机的共发射极设备。

3. 引脚分配: - 1=集电极(Collector) - 2=基极(Base) - 3&4=发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 最大额定值: - 集电极电流(Ic):300 mA - 基极-集电极电压(VcB):45V - 发散功率(PDIss):5.3 W@TC= 25°C - 工作温度范围(TJ):-55°C至+200°C - 存储温度范围(TSTG):-55°C至+200°C - 热阻(OJc):33.0°C/W - 特性参数(Tc=25°C): - 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):最小值22V - 基极-集电极击穿电压(BVCBO):最小值45V - 集电极-基极击穿电压(BVEBO):最小值3.5V - 电流增益(hFE):最小值20,最大值200 - 集电极电容(Cob):3.0 pF(在VcB = 28V,f = 1.0 MHz条件下) - 发射极去耦(Pg):13dB(在Pref = 0.5 W,声音载波=-7.0 dB,图像载波=-8.0 dB,色度=-16 dB,f = 860 MHz条件下) - 互调失真(IMD):-58dB(在Pref = 0.5 W,VE = 20 V,IE = 150 mA,声音载波=-7.0dB,图像载波=-8.0 dB,色度=-16 dB,f = 860 MHz条件下)

5. 功能详解应用信息: - 该晶体管适用于高线性电视波段IV和V发射机,具有高功率和良好的射频特性,适用于需要高线性和功率输出的应用。

6. 封装信息: - 封装风格:280 4L STUD - 封装尺寸参数(单位:毫米/英寸): - A:25.40/1.000 - B:45/5' - C:0.76/0.030 - D:5.18DIA/.204DIA - E:1.19/.047 - F:0.13/.005 - G:2.92/.115 - H:12.83/.505 - I:3.30/.130 - J:16.18/.637(参考值) - K:1.52/.060
ASITPV591 价格&库存

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