BLV99

厂商：
ASI
封装：
描述：
BLV99 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

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BLV99 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV99 is a Common Emitter Device Designed for Amplifier Applications up to 860 MHz. FEATURES INCLUDE: • Gold Metallization • Emitter Ballasting • High Gain PACKAGE STYLE 205 4L STUD MAXIMUM RATINGS IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ TSTG θJC 300 mA 45 V 25 V 3.5 V 5.3 W @ TC = 25 °C -65 °C to +200 °C -65 °Cto +150 °C 33 °C/W 1 = COLLECTOR 2 & 4 = EMITTER 3 = BASE CHARACTERISTICS SYMBOL BVCBO BVCER BVEBO ICBO hFE COB PG IMD1 IC = 1.0mA IC = 10 mA TC = 25 °C TEST CONDITIONS RBE = 10 Ω MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 45 45 3.5 1.0 UNITS V V V mA --- IE = 1.0 mA VEB = 5.0 V VCE = 5 V VCB = 24 V VCE = 20 V VCE = 20 V Pout = 0.5 W IC = 150 mA IC = 150 mA IC = 100 mA f = 1.0 MHz f = 860 MHz f = 860 MHz 20 3.5 12 -58 pF dB dBc A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 1/1

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BLV99

物料型号： - 型号：BLV99

器件简介： - ASI BLV99是一个共发射极设备，设计用于高达860 MHz的放大器应用。

引脚分配： - 1=集电极(COLLECTOR) - 2&4=发射极(EMITTER) - 3=基极(BASE)

参数特性： - 集电极电流(Ic)：300 mA - 集电极-基极击穿电压(VCBO)：45V - 集电极-发射极击穿电压(VCEO)：25V - 基极-发射极击穿电压(VEBO)：3.5V - 功率耗散(PpIss)：5.3 W @ Tc = 25 °C - 工作结温(TJ)：-65 °C至+200 °C - 存储温度(TSTG)：-65 °C至+150 °C - 热阻(BJc)：33°C/W

功能详解： - 该晶体管具有金属化金、发射极阻尼、高增益等特点，适用于射频功率放大。

应用信息： - 适用于高达860 MHz的放大器应用。

封装信息： - 封装风格：205 4L STUD - 封装尺寸参数以毫米和英寸给出，具体数值如下： - A: 25.40 mm, 1.000 inch - B: 45 mm, 1.75 inch - C: 0.76 mm, 0.030 inch - D: 5.18 mm直径, 0.204 inch直径 - E: 1.19 mm, 0.047 inch - F: 0.13 mm, 0.005 inch - G: 2.92 mm, 0.115 inch - H: 12.83 mm, 0.505 inch - I: 3.30 mm, 0.130 inch - J: 16.18 mm, REF - K: 1.52 mm, 0.060 inch

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