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BLW50F

BLW50F

  • 厂商:

    ASI

  • 封装:

  • 描述:

    BLW50F - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BLW50F 数据手册
BLW50F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLW50F is Designed for use in transmitters in the HF and VHF band applications up tp 30 MHz. PACKAGE STYLE .500 4L FLG FEATURES: • PG = 14 dB min. at 75 W/30 MHz • IMD3 = 50 dBc max. at 75 W (PEP) • Omnigold™ Metalization System MAXIMUM RATINGS IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ TSTG θJC 3.25 A 110 V 55 V 4.0 V 87 W @ TC = 25 °C -65 °C to +200 °C -65 °C to +150 °C 2.0 °C/W 1 = COLLECTOR 2 = BASE 3 & 4 = EMITTER ORDER CODE: ASI10834 O CHARACTERISTICS SYMBOL BVCES BVCE0 BVEBO ICES hFE Cob GP IMD3 ηC TC = 25 C NONETEST CONDITIONS IC = 100 mA IC = 200 mA IE = 10 mA VCE = 55 V VCE = 6.0 V VCB = 50 V IC = 1.4 A f = 1.0 MHz MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 110 55 4.0 10 19 --50 100 14 --37 ---30 UNITS V V V mA --pF dB dBc % VCE = 50 V POUT = 75 W (PEP) A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 1/1
BLW50F
1. 物料型号: - 型号:BLW50F

2. 器件简介: - ASI BLW50F设计用于在HF和VHF频段的发射机中使用,最高可达30MHz。封装风格为5004L FLG。

3. 引脚分配: - 1=集电极(Collector) - 2=基极(Base) - 3&4=发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 最大额定值: - A(Anode电流):220mA至230mA - C(Collector电流):245mA至255mA - D(Dissipation功率):7.20W至7.30W - E(Emitter电流):125mA - F(Collector-Emitter电压):9.70V至9.80V - G(Base-Emitter电压):4.95V至5.05V - I(Collector leakage current):3mA至7mA - L(Lead length):90%至110%英寸 - K(储存温度):-55°C至150°C - 工作参数: - Ic(集电极电流):3.25A - VCBO(集电极-基极击穿电压):110V - VCEO(集电极-发射极击穿电压):55V - VEBO(发射极-基极击穿电压):4.0V - PpISs(功率耗散):87W @ Tc = 25°C - TJ(结温范围):-65°C至+200°C - TSTG(储存温度范围):-65°C至+150°C - OJc(热阻):2.0°C/W

5. 功能详解: - 该晶体管具有14dB min的功率增益和50dBc max的互调失真,在75W(峰值包络功率)下工作。它使用了Omnigold金属化系统。

6. 应用信息: - 适用于HF和VHF频段的发射机,最高30MHz的应用。

7. 封装信息: - 封装风格为5004L FLG。
BLW50F 价格&库存

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