HF100-12

厂商：
ASI
封装：
描述：
HF100-12 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

数据手册：

下载HF100-12.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

HF100-12 数据手册

HF100-12 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI HF100-12 is a 12.5 V ClassC epitaxial planar transistor designed primarily for HF communications. This device utilizes state of the art diffused Emitter Ballasting to achieve extreme ruggedness under severe operating conditions. PACKAGE STYLE .500 4L FLG .112x45° A FULL R L E C Ø.125 NOM. C B B E D G F K FEATURES: • PG = 13 Typ. min. at 100 W/30 MHz • IMD3 = -30 dBc max. at 100 W (PEP) • Omnigold™ Metalization System DIM A B C E H IJ MINIMUM inches / mm MAXIMUM inches / mm .220 / 5.59 .125 / 3.18 .245 / 6.22 .720 / 18.28 .125 / 3.18 .970 / 24.64 .495 / 12.57 .003 / 0.08 .090 / 2.29 .150 / 3.81 .980 / 24.89 .230 / 5.84 .255 / 6.48 .7.30 / 18.54 .980 / 24.89 .505 / 12.83 .007 / 0.18 .110 / 2.79 .175 / 4.45 .280 / 7.11 1.050 / 26.67 MAXIMUM RATINGS IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ TSTG θJC 20 A 36 V 18 V 4.0 V 290 W @ TC = 25 °C -65 °C to +200 °C -65 °C to +150 °C 0.6 °C/W D E F G H I J K L ORDER CODE: ASI10599 CHARACTERISTICS SYMBOL BVCBO BVCES BVCEO BVEBO ICES hFE COB TC = 25 °C NONETEST CONDITIONS IC = 100 mA IC = 100 mA IC = 100 mA IE = 10 mA VCE = 15 V VCE = 5.0 V VCB = 12.5 V IC = 5.0 A f = 1.0 MHz MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 36 36 18 4.0 20 10 400 200 UNITS V V V V mA --pF REV. B A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. 1/2 HF100-12 ERROR! REFERENCE SOURCE NOT FOUND. GP IMD3 VCE = 12.5 V VCE = 12.5 V ICQ = 150 mA ICQ = 150 mA f = 30 MHz POUT = 100 W 11 13 -30 dB dBc A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. B 2/2

下载 PDF

HF100-12

### 物料型号 - 型号：HF100-12

### 器件简介 - 描述：ASI HF100-12是一款12.5V的Class C外延平面晶体管，主要用于高频通信。该器件采用最先进的扩散发射极球ast技术，在严苛的工作条件下具有极高的耐用性。

### 引脚分配 - 封装风格：5004L FLG

### 参数特性 - 最大额定值： - 集电极电流（Ic）：20 A - 集电极-基极击穿电压（VCBO）：36V - 集电极-发射极击穿电压（VCEO）：18V - 发射极-基极击穿电压（VEBO）：4.0V - 功率耗散（PDISs）：290 W @ Tc = 25°C - 结温范围（TJ）：-65°C 至 +200°C - 存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C - 热阻（OJc）：0.6°C/W

### 功能详解 - 特性： - 最大输出功率（P_G）：在100W/30MHz时，典型值为13W - 互调失真（IMDg）：在100W/PEP时，最大为-30 dBc - 金属化系统：OmnigoldM

### 应用信息 - 应用：主要用于高频通信。

### 封装信息 - 封装尺寸：详细尺寸参数如下表所示，单位为英寸/毫米： - A: 220/5.59 至 230/5.84 - B: 0.125/3.18 - C: 245/6.22 至 255/6.48 - D: 0.720/18.28 至 0.730/18.54 - E: 0.125/3.18 - F: 0.970/24.64 至 0.980/24.89 - G: 495/12.57 至 0.505/12.83 - H: 0.003/0.08 至 0.007/0.18 - I: 0.090/2.29 至 0.110/2.79 - J: 0.150/3.81 至 0.175/4.45 - K: 至 0.280/7.11 - L: 0.980/24.89 至 1.050/26.67

HF100-12 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“HF100-12”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货