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LT3014

LT3014

  • 厂商:

    ASI

  • 封装:

  • 描述:

    LT3014 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
LT3014 数据手册
LT3014 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI LT3014 is a Common Emitter Device Designed for General Purpose Class A and AB Amplifier Applications up to 1.0 GHz. FEATURES INCLUDE: • Gold Metalization • Emitter Ballasting • High Gain PACKAGE STYLE .280 4L STUD MAXIMUM RATINGS IC VCB PDISS TJ T STG θ JC 300 mA 45 V 5.0 W @ TC = 25 OC -55 OC to +200 OC -55 OC to +200 OC 33.0 OC/W 1 = COLLECTOR 2 & 4 = EMITTER 3 = BASE CHARACTERISTICS SYMBOL BV CEO BV CES BV EBO hFE PG P1dB IP3 Cob ft IC = 10 mA VBE = 0 V IE = 1.0 mA VCE = 5.0 V VCE = 20 V VCE = 20 V VCE = 20 V VCB = 28 V VCE = 20 V TC = 25 OC NONE TEST CONDITIONS IC = 10 mA MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 22 50 3.5 UNITS V V V IC = 100 mA ICQ = 150 mA ICQ = 150 mA f = 1.0 GHz f = 1.0 GHz 20 3.0 27 3.5 29 48 2.0 3.0 3.5 200 --GHz dBm dBm ICQ = 150 mA f = 1.0 GHz POUT = 10 dBm (2 EQUAL TONES) f = 1.0 MHz ICQ = 150 mA f = 1.0 GHz 3.0 pF GHz A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 1/1
LT3014
1. 物料型号: - 型号为LT3014。

2. 器件简介: - LT3014是ASI公司生产的一个共发射极设备,设计用于1.0 GHz以下的通用A类和AB类放大器应用。

3. 引脚分配: - 1=集电极(Collector) - 2&4=发射极(Emitter) - 3=基极(Base)

4. 参数特性: - 最大额定值: - 集电极电流(Ic):300 mA - 集电极-基极电压(VcB):45V - 发散功率(PDIss):5.0 W @ Tc= 25°C - 工作温度范围(TJ):-55°C至+200°C - 存储温度范围(TSTG):-55°C至+200°C - 热阻(OJc):33.0°C/W

5. 功能详解: - 该器件具备以下特性: - 金金属化 - 发射极球面电阻 - 高增益

6. 应用信息: - 适用于1.0 GHz以下的射频功率放大器应用,特别是在A类和AB类放大器中。

7. 封装信息: - 封装风格为280 4L STUD,具体尺寸参数如下: - A:25.40 mm,公差±0.38 mm - B:45°,公差±5' - C:0.76 mm,公差±0.13 mm - D:直径5.18 mm,公差±0.13 mm - E:1.19 mm,公差±0.13 mm - F:0.13 mm,公差±0.02 mm - G:2.92 mm,公差±0.13 mm - H:12.83 mm,公差±0.38 mm - I:3.30 mm,公差±0.13 mm - J:16.18 mm,参考尺寸 - K:1.52 mm,公差±0.13 mm
LT3014 价格&库存

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