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MLN2027F

MLN2027F

  • 厂商:

    ASI

  • 封装:

  • 描述:

    MLN2027F - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
MLN2027F 数据手册
MLN2027F NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MLN2027F is Designed for Class A Linear Applications up to 2.0 GHz. PACKAGE STYLE .250 2L FLG A ØD C E .060 x 45° CHAMFER B FEATURES: • Class A Operation • PG = 8.0 dB at 0.5 W/2.0 GHz • Omnigold™ Metalization System DIM A L G H J F I K M NP M INIMUM inches / mm MAXIMUM inches / mm .028 / 0.71 .740 / 18.80 .245 / 6.22 .128 / 3.25 .125 / 3.18 .110 / 2.79 .117 / 2.97 .560 / 14.22 .790 / 20.07 .225 / 5.72 .165 / 4.19 .003 / 0.08 .058 / 1.47 .119 / 3.02 .149 / 3.78 .032 / 0.81 MAXIMUM RATINGS IC VCE PDISS TJ TSTG θJC 300 mA 20 V --- W -65 °C to +200 °C -65 °C to +200 °C 25 °C/W B C D E F G H I J K L M N P .255 / 6.48 .132 / 3.35 .117 / 2.97 .570 / 14.48 .810 / 20.57 .235 / 5.97 .185 / 4.70 .007 / 0.18 .068 / 1.73 .135 / 3.43 .187 / 4.75 ORDER CODE: ASI10630 CHARACTERISTICS SYMBOL BVCBO BVCEO BVEBO ICEO hFE COB PG TC = 25 °C NONETEST CONDITIONS IC = 1.0 mA IC = 5.0 mA IE = 1.0 mA VCE = 18 V VCE = 5.0 V VCB = 28 V VCE = 20 V POUT = 0.5 W ICQ = 120 mA IC = 100 mA f = 1.0 MHz f = 2.0 GHz MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 50 20 3.5 0.5 15 120 4.0 8.0 UNITS V V V mA --pF dB A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. C 1/2 M NOT FOUND. ERROR! REFERENCE SOURCELN2027F TYPICAL S PARAMETERS: ZO = 50 Ω VCE = 15 V, IC = 160 mA, TA = 25°C FREQ. GHz 0.20 0.50 1.00 1.50 2.00 dB 16.40 9.00 5.20 1.40 -0.60 S21 Mag 6.60 2.81 1.81 1.17 0.93 Ang 90 71 55 42 24 Mag 0.0281 0.0467 0.0944 0.1548 0.2344 S12 Ang 42 52 63 62 52 Mag 0.8709 0.8709 0.8128 0.7673 0.7762 S11 Ang -173 170 156 141 112 Mag 0.2511 0.4027 0.3801 0.5888 0.6998 S22 Ang -138 -144 -136 -139 -171 A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. C 2/2
MLN2027F
1. 物料型号: - 型号:MLN2027F

2. 器件简介: - MLN2027F是一款NPN硅射频功率晶体管,专为2.0 GHz以下的Class A线性应用而设计。

3. 引脚分配: - 封装风格:250 2L FLG - 引脚尺寸数据以表格形式给出,包括最小和最大尺寸(单位为英寸和毫米)。

4. 参数特性: - 最大额定值:集电极电流(Ic)300 mA,集电极-发射极电压(VCE)20 V,功耗(PpIss)未给出,结温(TJ)-65°C至+200°C,储存温度(TSTG)-65°C至+200°C,热阻(OJc)25°C/W。 - 特性参数:击穿电压(BVCBO)50V,集电极截止电压(BVCEO)20V,发射极截止电压(BVEBO)3.5V,集电极截止电流(ICEO)0.5mA,电流增益(hFE)15至120,反向电容(CoB)4.0pF,功率增益(PG)8.0dB。

5. 功能详解: - MLN2027F具备Class A操作,具有OmnigoldTM金属化系统,提供优秀的射频性能。

6. 应用信息: - 适用于2.0 GHz以下的Class A线性应用。

7. 封装信息: - 封装风格为250 2L FLG,详细尺寸参数已在PDF中提供。
MLN2027F 价格&库存

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