MRF175GV

厂商：
ASI
封装：
描述：
MRF175GV - RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

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MRF175GV RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF175GV is a N-Channel Enhancement-Mode Push Pull MOSFET, Designed for FM, and TV Solid State Transmitter Applications up to 500 MHz. PACKAGE STYLE MAXIMUM RATINGS ID VDSS PDISS TJ TSTG θJC O O 26 A 65 V 400 W @ TC = 25 C -65 C to +200 C -65 C to +150 C 0.44 C/W O O O O 1 = DRAIN 2 = DRAIN(2) 3 = GATE(1) 4 = GATE(2) 5 = SOURCE (1&2) -CASE CHARACTERISTICS SYMBOL V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(th) VDS(on) gfs Ciss Coss Crss Gps η ψ ID = 50 mA VDS = 28 V VDS = 0 V TC = 25 C O NONE TEST CONDITIONS VGS = 0 V VGS = 0 V VGS = 20 V VDS = 10 V VGS = 10 V VDS = 10 V VGS = 0 V f = 1.0 MHz MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 65 2.5 1.0 1.0 2.0 3.0 3.0 180 200 20 12 55 10:1 14 65 --6.0 1.5 UNITS V mA µA V V mhos pF ID =100 mA ID = 5.0 A ID = 2.5 A VDS = 28 V VDD = 28 V IDQ = 2 X 100 mA POUT = 200 W f = 225 MHz dB % --- A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 1/1

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MRF175GV

物料型号：MRF175GV

器件简介： MRF175GV是一款N-Channel Enhancement-Mode Push Pull MOSFET，专为FM和TV固态发射机应用设计，适用于高达500MHz的频率。

引脚分配： 1. DRAIN 2. DRAIN(2) 3. GATE(1) 4. GATE(2) 5. SOURCE(182)-CASE

参数特性： - 最大连续漏极电流（Io）：26 A - 漏极源极电压（Vpss）：65 V - 耗散功率（PDIss）：400 W @ T = 25°C - 工作结温（TJ）：-65°C至+200°C - 存储结温（TSTG）：-65°C至+150°C - 热阻（OJc）：0.44°C/W

功能详解： - 该MOSFET具有低导通电阻和高开关速度，适用于高功率发射机应用。 - 具有两个漏极和两个栅极，可以用于推挽配置，提高效率和功率处理能力。

应用信息：适用于FM和TV固态发射机，特别适用于需要高功率和高频率的应用场合。

封装信息： PDF中提供了详细的封装尺寸，包括最小和最大英寸/毫米尺寸，但未提供具体的封装类型。封装尺寸数据如下： - A: 850/21.59至8/0/22.10毫米 - B: 395/10.03至40//10.34毫米 - C: 125/3.18至1925/4.889毫米 - D: 580/14.73至620/15.75毫米 - E: 660/16.76至1.090/27.69毫米 - F: 1.335/33.91至1.345/34.16毫米 - G: 003/0.08至007/0.18毫米 - H: 060/1.52至070/1.78毫米 - I: 082/2.08至097/2.46毫米 - J: 至205/5.21毫米

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