MRF340

厂商：
ASI
封装：
描述：
MRF340 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

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MRF340 数据手册

MRF340 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF340 is Designed for VHF Radios that use Collector Modulation in the Driver/Final Amplifiers to Produce an Amplitude Modulated Signal. FEATURES INCLUDE: • Replaces Original MRF340 in Most Applications • High Gain Reduces Drive Requirements • Economical TO-220CE Package PACKAGE STYLE TO-220AB (COMMON EMITTER) MAXIMUM RATINGS IC VCES PDISS TSTG θJC 1.0 A 40 V 12.5 W @ TC = 25 °C -55 °C to +150 °C 10 °C/W 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR TAB = EMITTER CHARACTERISTICS SYMBOL BVCES BVCBO BVEBO ICES hFE COB GPE GPE η IC = 50 mA IC = 10 mA IE = 5.0mA VCES = 25V VCE = 10V VCB = 30 V TC = 25 °C TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 40 40 4.0 1.0 UNITS V V V mA --pF dB dB % IC = 100mA f = 1.0 MHz Pout = 2.0 W Pout = 8.0 Wpk f =136 MHz f =136 MHz 10 15 10 13.0 15.0 55 200 VCC = 13.5V VCC = 27 V A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. B 1/1

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MRF340

### 物料型号 - 型号：MRF340

### 器件简介 - 描述：MRF340是为使用集电极调制的VHF无线电设计的产品，用于在驱动器/最终放大器中产生调幅信号。

### 引脚分配 - 1=基极（BASE） - 2=发射极（EMITTER） - 3=集电极（COLLECTOR TAB）=发射极（EMITTER）

### 参数特性 - 最大额定值： - 集电极电流（Ic）：1.0A - 集电极-发射极电压（VCES）：40V - 耗散功率（PDIss）：12.5W @ Tc = 25°C - 贮存温度范围（TSTG）：-55°C至+150°C - 结-壳热阻（OJc）：10°C/W

### 功能详解 - 特点： - 替代大多数应用中的原始MRF340 - 高增益减少驱动需求 - 经济的TO-220CE封装

### 应用信息 - 应用：用于产生调幅信号的VHF无线电。

### 封装信息 - 封装风格：TO-220AB（共发射极） - 尺寸：PDF中提供了详细的尺寸参数，包括最小值、最大值、英寸和毫米单位。

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