MRF475

厂商：
ASI
封装：
描述：
MRF475 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

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MRF475 数据手册

MRF475 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF475 is Designed for 13.6 V FM Large-Signal Amplifier Applications to 30 MHz. PACKAGE STYLE TO-220AB (COMMON EMITTER) MAXIMUM RATINGS IC VCE VCB PDISS TSTG TJ θJC 4.0 A 18 V 48 V 10 W @ TC = 25 °C -65 °C to +150 °C -65 °C to +150 °C 12.5 °C/W 1 = BASE 3 = EMITTER 2 = COLLECTOR TAB = COLLECTOR CHARACTERISTICS SYMBOL BVCEO BVCES BVEBO ICBO hFE Cob GPE η IMD IC = 20 mA IC = 50 mA IE = 5.0 mA VCB = 25 V TC = 25 °C TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 18 48 4.0 1.0 UNITS V V V mA --- VCE = 5.0 V VCB = 13.6 V VCC = 13.6 V f1 = 30 MHz IC = 500 mA f = 1.0 MHz ICQ = 20 mA Pout = 12 W (PEP) f2 = 30.001 MHz 30 60 125 145 pF dB % dB 10 40 12 -30 A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 1/1

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MRF475

物料型号： - 型号：MRF475

器件简介： - ASI MRF475是为13.6V FM大信号放大器应用设计的，适用于30MHz频率。

引脚分配： - 1=基极（BASE） - 2=集电极（COLLECTOR TAB=COLLECTOR） - 3=发射极（EMITTER）

参数特性： - 最大电流Ic：4.0A - 集电极-发射极电压VCE：18V - 基极-集电极电压VCB：48V - 耗散功率PDIss：10W@Tc=25°C - 存储温度TSTG：-65°C至+150°C - 工作结温TJ：-65°C至+150°C - 热阻OJc：12.5°C/W

功能详解： - 该晶体管具有高增益和低噪声特性，适用于高频应用。

应用信息： - 适用于13.6V FM大信号放大器，频率范围可达30MHz。

封装信息： - 封装类型：TO-220AB（共发射极） - 封装尺寸数据以毫米和英寸为单位列出，具体数值请参考PDF文档中的详细表格。

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