物料型号：
- 型号为MRF572。
器件简介：
- MRF572是一款设计用于低噪声通用VHF和UHF放大器和振荡器应用的硅NPN射频晶体管。
引脚分配：
- 1号引脚为集电极（Collector）。
- 2和4号引脚为发射极（Emitter）。
- 3号引脚为基极（Base）。
参数特性：
- 最大额定值：
- 集电极电流（Ic）：60 mA
- 集电极-发射极电压（VCE）：12V
- 集电极功耗（PDIss）：500 mW @ Tc = 25 °C
- 工作结温（TJ）和存储温度（TSTG）：-65 °C至+200 °C
功能详解：
- 特性参数（Tc = 25°C）：
- 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：最小值12V
- 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：最小值20V
- 集电极-基极反向漏电流（ICBO）：最大值200nA
- 基极-发射极击穿电压（BVEBO）：最小值1.5V
- 电流增益（hFE）：在VcE = 8.0V和Ic = 10mA条件下，最小值30，最大值300
- 电容（Ccb）：在VcB = 8.0V和f = 1.0MHz条件下，最大值0.25pF
- 截止频率（f1）：在VcE = 8.0V和Ic = 25mA条件下，最大值8.0GHz
- 增益（IS21E2）：在VCE = 8.0V、Ic = 25mA和f = 1.0GHz条件下，最大值16.9dB；在f = 2.0GHz条件下，最大值12.0dB
- 功率增益（GNF）：在VCE = 8.0V、Ic = 0mA和f = 0.5GHz条件下，最小值10dB；在f = 2.0GHz条件下，最小值12dB
- 噪声系数（NF）：在VCE = 8.0V、Ic = 0mA和f = 0.5GHz条件下，最小值1.0dB；在f = 2.0GHz条件下，最小值2.0dB
应用信息：
- 该晶体管适用于低噪声的VHF和UHF频段的放大器和振荡器。
封装信息：
- 封装风格为100mil陶瓷带状线封装。
工商网监
湘ICP备2023018690号
