MSC80614

厂商：
ASI
封装：
描述：
MSC80614 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

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MSC80614 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR PACKAGE STYLE .280 2L FLG DESCRIPTION: The ASI MSC80614 is designed for Class C, DME/TACAN Applications up to 1150 MHz. • OmnigoldTM Metalization system • Input Matching network • Emitter Ballasting 2 3 1 FEATURES INCLUDE: MAXIMUM RATINGS IC VCC PDISS TJ TSTG θJC 250 mA 37 V 10 W @ TC ≤ 100 °C -65 °C to +200 °C -65 °C to +150 °C 10 °C/W 1 = COLLECTOR 2 = BASE 3 = EMITTER CHARACTERISTICS SYMBOL BVCBO BVCER BVEBO ICES hFE PG PIN ηC IC = 10 mA TC = 25 °C TEST CONDITIONS IC = 5.0 mA IE = 1.0 mA VCE = 35 V VCE = 5.0 V VCC = 35 V IC = 100 mA f = 1025 to 1150 MHz DUTY CYCLE = 1.0% RBE = 10 Ω MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 45 45 3.5 1.0 30 9.0 0.25 35 300 UNITS V V mA --dB W % POUT = 2.0 W PULSE WIDTH = 10 µS A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. C 1/1

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MSC80614

1. 物料型号：MSC80614，这是一个NPN硅射频功率晶体管。

2. 器件简介：ASI MSC80614设计用于C类、DME/TACAN应用，频率可达1150MHz。特点包括Omnigold金属化系统、输入匹配网络和发射极均衡。

3. 引脚分配： - 1=集电极 - 2=基极 - 3=发射极

4. 参数特性： - 最大电流Ic：250 mA - 供电电压Vcc：37 V - 发散功率PDIss：10 W@ Tc≤ 100°C - 工作温度TJ：-65°C至+200°C - 存储温度TSTG：-65°C至+150°C - 热阻OJc：10°C/W

5. 功能详解：该晶体管适用于高频率的射频应用，具有优化的热性能和电气特性，适用于需要高功率输出的场合。

6. 应用信息：适用于C类功率放大器、DME/TACAN通信系统等。

7. 封装信息：封装风格为2802L FLG。

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