1. 物料型号：MSC81111
2. 器件简介：
- MSC81111是一款NPN硅射频功率晶体管，设计用于0.4至1.2 GHz频段的C类放大器应用，并采用共基极封装。
3. 引脚分配：
- 1=发射极（Emitter）
- 2=集电极（Collector）
- 3=基极（Base）
4. 参数特性：
- 最大直流电流（Ic）: 600 mA
- 集电极-基极电压（VcB）: 35 V
- 耗散功率（PDIss）: 21.8 W @ Tj = 25°C
- 工作温度范围（TJ）: -65°C 至 +200°C
- 存储温度范围（TSTG）: -65°C 至 +200°C
- 热阻（OJc）: 8°C/W
5. 功能详解：
- 特性表提供了在25°C时的一些关键参数，包括集电极发射极击穿电压（BVCER）、集电极基极击穿电压（BVcBO）、集电极电流（IcBO）、基极发射极击穿电压（BVEBO）、电流增益（hFE）、基极电容（CoB）以及输出功率和增益（Pout nc Gp）。
6. 应用信息：适用于0.4至1.2 GHz频段的C类放大器应用。
7. 封装信息：HLP-1，具体尺寸如下：
- A: 0.790至0.810英寸（20.07至20.6毫米）
- B: 0.225至0.235英寸（5.72至5.97毫米）
- C: 0.144至0.180英寸（3.66至4.58毫米）
- D: 0.115至0.125英寸（2.93至3.17毫米）
- E: 0.055至0.065英寸（1.40至1.65毫米）
- F: 0.045至0.055英寸（1.15至1.39毫米）
- H: 0.115至0.135英寸（2.93至3.42毫米）
- J: 0.003至0.006英寸（0.08至0.15毫米）
- K: 0.225至0.275英寸（5.72至6.98毫米）
- N: 0.220至0.240英寸（5.59至6.09毫米）
- co: 0.125至0.135英寸（3.18至3.42毫米）
- 总高度: 0.552至0.572英寸（14.03至14.5毫米）
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