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MSC82003

MSC82003

  • 厂商:

    ASI

  • 封装:

  • 描述:

    MSC82003 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
MSC82003 数据手册
MSC82003 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MSC82003 is Designed for General Purpose Class C Power Amplifier Applications up to 2300 MHz. PACKAGE STYLE .250 2L FLG A ØD C E .060 x 45° CHAMFER B FEATURES: • PG = 10 dB min. at 3 W/ 2,000 MHz • Hermetic Microstrip Package • Omnigold™ Metalization System DIM A L G H J F I K M NP MINIMUM inches / mm MAXIMUM inches / mm .028 / 0.71 .740 / 18.80 .245 / 6.22 .128 / 3.25 .125 / 3.18 .110 / 2.79 .117 / 2.97 .560 / 14.22 .790 / 20.07 .225 / 5.72 .165 / 4.19 .003 / 0.08 .058 / 1.47 .119 / 3.02 .149 / 3.78 .032 / 0.81 .255 / 6.48 .132 / 3.35 .117 / 2.97 .570 / 14.48 .810 / 20.57 .235 / 5.97 .185 / 4.70 .007 / 0.18 .068 / 1.73 .135 / 3.43 .187 / 4.75 MAXIMUM RATINGS IC VCC PDISS TJ TSTG θJC O B C D E F G H I J K L M N P 600 mA 35 V 21.8 W @ TC = 25 OC -65 C to +200 C -65 OC to +200 OC 15 C/W O O Common Base CHARACTERISTICS SYMBOL BVCBO BVCER BVEBO ICBO hFE Cob PG ηC TC = 25 C O NONETEST CONDITIONS IC = 1.0 mA IC = 5.0 mA IE = 1.0 mA VCB = 28 V VCE = 5.0 V VCB = 28 V VCC = 28 V POUT = 3.0 W IC = 200 mA f = 1.0 MHz f = 2.0 GHz RBE = 10 Ω MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 45 45 3.5 1.0 15 120 3.5 10 35 UNITS V V V mA --pF dB % A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 1/2 MSC82003 ERROR! REFERENCE SOURCE NOT FOUND. A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 2/2
MSC82003
1. 物料型号: - 型号为MSC82003。

2. 器件简介: - ASI MSC82003适用于通用类C功率放大器应用,频率可达2300 MHz。

3. 引脚分配: - 提供了封装风格2502L FLG的尺寸信息,但没有明确指出每个引脚的分配。

4. 参数特性: - 最大额定值:Ic(集电极电流)为600 mA,Vcc(电源电压)为35 V,PDIss(耗散功率)为21.8 W @ 25°C,TJ(结温)范围为-65°C至+200°C,TSTG(储存温度)范围也为-65°C至+200°C,OJc(热阻)为15°C/W。 - 特性参数:BVCBO(集电极-基极电压)最小值为45V,BVCER(集电极-发射极电压)最小值为45V,BVEBO(基极-发射极电压)最小值为3.5V,ICBO(集电极漏电流)为1.0 mA,hFE(直流电流增益)最小值为15,典型值为120,Cob(输出电容)为3.5 pF,PG(功率增益)最小值为10 dB,nc(效率)典型值为35%。

5. 功能详解: - 该型号晶体管设计用于高达2300 MHz的类C功率放大器应用,具有高功率增益和效率。

6. 应用信息: - 适用于需要高功率增益和效率的射频功率放大器应用。

7. 封装信息: - 提供了2502L FLG封装的详细尺寸参数,包括各个维度的最小值和最大值。
MSC82003 价格&库存

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