SD1169

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ASI
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描述：
SD1169 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

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SD1169 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI SD1169 is a Common Emitter Device Designed for Class C Amplifier Applications in HF Land Mobile Radios. PACKAGE STYLE .500 4L STUD FEATURES INCLUDE: • Aluminum Metalization • Emitter Ballasting MAXIMUM RATINGS IC VCB PDISS TJ T STG θ JC 6A 36 V 80 W @ TC = 25 OC -65 OC to +200 OC -65 OC to +150 OC 2.2 OC/W 1 = COLLECTOR 2 & 4 = EMITTER 3 = BASE CHARACTERISTICS SYMBOL BV CEO BV CEO BV EBO ICBO hFE COB GPE ηC IC = 100mA IC = 50mA IE = 10mA VCB = 15 V TC = 25 OC TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 18 36 4.0 5 UNITS V V V mA --- VCE = 5.0 V VCB = 12.5 V VCE = 12.5 V IC = 1.0 A f = 1.0 MHz POUT = 40 W f = 88 MHz 5 200 6.0 7.5 65 pF dB % A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. A 1/1

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SD1169

1. 物料型号：SD1169 2. 器件简介：ASI SD1169是一个共发射极设备，设计用于高频陆地移动无线电中的C类放大器应用。 3. 引脚分配：1=集电极，2&4=发射极，3=基极。 4. 参数特性： - 集电极电流（Ic）：6A - 集电极-基极电压（VcB）：36V - 耗散功率（PDIss）：80W @ TC=25°C - 工作结温（TJ）：-65°C至+200°C - 存储温度（TSTG）：-65°C至+150°C - 热阻（OJc）：2.2°C/W 5. 功能详解：该晶体管具有铝金属化和发射极球ast特性，适用于需要高功率放大的射频应用。 6. 应用信息：适用于高频陆地移动无线电中的C类放大器。 7. 封装信息：STYLE.500 4L STUD封装。

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