SD1444

厂商：
ASI
封装：
描述：
SD1444 - SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

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SD1444 数据手册

SD1444 SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI SD1444 is designed for large signal power amplifier applications operating in the 250-512 MHz range. FEATURES: • Common Emitter • POUT = 4.0 Watts • 12.5 Volts PACKAGE STYLE TO-39 MAXIMUM RATINGS: IC VCB VCE PDISS TJ TSTG θJC 0.4 A 36 V 16 V 5.0 W @ TC = 25 °C -65 °C to +200 °C -65 °C to +200 °C 35.0 °C/W 1 = EMITTER 2 = BASE 3 = COLLECTOR CHARACTERISTICS SYMBOL BVCEO BVCES BVEBO ICBO HFE COB GPE IC = 50 mA IC = 50 mA TC = 25 °C TRANS1.SYM TEST CONDITIONS MINIMUM 16 36 4.0 TYPICAL MAXIMUM UNITS V V V IC = 1.0 mA VCE = 15 V VCE = 5.0 V VCB = 15.0 V IC = 50 mA f = 1.0 MHz POUT = 2.0 W f = 470 MHz 1.0 20 200 15 8.0 15 mA --pF dB VCE = 12.5 V IMPEDANCE DATA FREQ 470 MHz POUT = 2.0 W VCC = 12.5 V ZIN(Ω) 2.9 + j0.6 ZCL(Ω) 15.6 – j10.2 A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004 Specifications are subject to change without notice. REV. - 1/1

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SD1444

1. 物料型号：ASI SD1444，是一款硅NPN射频功率晶体管。

2. 器件简介：ASI SD1444设计用于在250-512 MHz范围内的大信号功率放大应用。

3. 引脚分配： - 1=发射极（EMITTER） - 2=基极（BASE） - 3=集电极（COLLECTOR）

4. 参数特性： - 最大输出功率（P_OUT）：4.0瓦特 - 最大工作电压（VcB）：36V - 最大集电极-发射极电压（VCE）：16V - 最大功耗（PDIss）：5.0瓦特（在25°C时） - 工作温度范围（TJ）：-65°C至+200°C - 存储温度范围（TSTG）：-65°C至+200°C - 热阻（OJc）：35.0°C/W

5. 功能详解： - 共发射极配置 - TO-39封装样式

6. 应用信息：适用于需要大信号功率放大的场合，特别是在250-512 MHz的频率范围内。

7. 封装信息：TO-39封装。

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