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TVU005

TVU005

  • 厂商:

    ASI

  • 封装:

  • 描述:

    TVU005 - NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR - Advanced Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
TVU005 数据手册
ASI TVU005 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI TVU005 is a Common Emitter Device Designed for High Linearity Class A Television Band IV and V Transmitters. PACKAGE STYLE .280 4L STUD FEATURES INCLUDE: • Gold Metalization • Emitter Ballasting MAXIMUM RATINGS IC VCB PDISS TJ T STG θ JC 500 mA 45 V 8.0 W @ TC = 25 OC -55 OC to +200 OC -55 OC to +200 OC 22.0 C/W O 1 = COLLECTOR 2 = BASE 3 & 4 = EMITTER CHARACTERISTICS SYMBOL BV CEO BV CBO BV EBO hFE Cob PG IMD3 IC = 20 mA IC = 1.0 mA IE = 1.0 mA VCE = 5.0 V VCB = 28 V VCE = 20 V TC = 25 OC TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM 24 45 3.5 UNITS V V V IC = 100 mA f = 1.0 MHz IC = 220 mA Pref = 0.5 W f = 860 MHz CHROMA = -16 dB 20 5.0 10 11 120 --pF dB VISION CARRIER = -8.0 dB SOUND CARRIER = -7.0 dB -58 A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 Specifications are Subject to change without notic. REV. A 1/1
TVU005
物料型号: - ASI TVU005

器件简介: - ASI TVU005是一个共发射极设备,设计用于高线性A类和B类电视频段IV和V发射器。

引脚分配: - 1=集电极 - 2=基极 - 3&4=发射极

参数特性: - 最大额定值: - 电流(Ic):500 mA - 基极-集电极电压(VcB):45V - 发散功率(PDIss):8.0 W@Tc = 25°C - 工作温度(TJ):-55°C至+200°C - 存储温度(TSTG):-55°C至+200°C - 热阻(OJc):22.0°C/W

功能详解: - 特性(Tc=25°C): - 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):最小24V - 基极-集电极击穿电压(BVCBO):最小45V - 基极-发射极击穿电压(BVEBO):最小3.5V - 电流增益(hFE):最小20,典型值120 - 基极电容(Cob):最小5.0pF(在VcB = 28V,f = 1.0MHz条件下) - 三阶互调(PG IMD3):在VCE= 20V,Ic= 220mA条件下,预失真功率Pref= 0dBm,载波电平-8.0dB,视觉载波-7.0dB,色度-16dB,参数值分别为10dB和11dB,-58dB。

应用信息: - 适用于高线性A类和B类电视频段IV和V发射器。

封装信息: - 封装风格:280 4L 管脚
TVU005 价格&库存

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